GB/T 1550-1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

ICS77.040.01直21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T：1550—1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法Standardmethodsformeasuringconduetivityypeofextrinsicsemiconductingmaterials1997-06-03發(fā)布1997-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1550-1997中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵郵政編碼：100045電話：63787337、637874471997年11月第一版2005年1月電子版制作書號(hào)：155066·1-14168版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

GB/T1550-1997本標(biāo)準(zhǔn)等效采用美國試驗(yàn)與材料協(xié)會(huì)STMF42—88《非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法》，結(jié)合我國實(shí)際情況，對國家標(biāo)準(zhǔn)GB1550一79、GB5256—85進(jìn)行修訂而成的,在技術(shù)內(nèi)容上與ASTM標(biāo)淮等效。為了滿足需要，本標(biāo)準(zhǔn)增加了“室溫電阻率大于400·cm的錯(cuò)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測定，探針采用鉛或石黑等材料制作,熱探針溫度高于室溫5C。在"引用標(biāo)準(zhǔn)”中,凡我國已有國家標(biāo)準(zhǔn)的，均用相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)代替ASTMF42-88中的"引用標(biāo)本標(biāo)準(zhǔn)與GB1550—79、GB5256-85比較，增加了測試方法B——一冷探針法、方法D一一全類型系統(tǒng)測試方法·擴(kuò)大了使用范圍，增加了干擾因素一章,這就使本標(biāo)準(zhǔn)更好地滿足國內(nèi)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)廠用戶對品鍵、品片的測試要求。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起，代替GB1550-79、GB5256-85。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口，本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳永同、劉文魁、吳福立。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550-1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法Standardmethodsformeasuringconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials1范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測試方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測定，其中較詳細(xì)地規(guī)定了錯(cuò)和硅導(dǎo)電類型的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)方法能保證對均勾的同一導(dǎo)電類型的材料測得的可靠結(jié)果,對于非均勾試樣，可在其表面上測出不同導(dǎo)電類型區(qū)域。本標(biāo)準(zhǔn)方法不適用于分層結(jié)構(gòu)試樣，如外延片的導(dǎo)電類型的測定，1.2本標(biāo)準(zhǔn)包括四種測試方法。1.2.1方法A——熱探針，熱電勢導(dǎo)電類型測試方法1.2.2方法B--冷探針，熱電勢導(dǎo)電類型測試方法。1.2.3方法C點(diǎn)接觸，整流導(dǎo)電類型測試方法。1.2.4方法D-全類型系統(tǒng)測試方法。方法D,整流導(dǎo)電類型測試方法。方法D。熱電勢導(dǎo)電類型測試方法1.3方法A,對室溫電阻率1000Q·cm以下的n型和p型硅，可給出可靠的測試結(jié)果1.4方法B,對室溫電阻率20·cm以下的n型和p型錯(cuò)，室溫電阻率1000·cm以下的n型和p型硅，可給出可靠的測試結(jié)果。1.5方法C,對室溫電阻率1～1000Q·cm之間的n型和p型硅，可給出可靠的測試結(jié)果。而對于錯(cuò)材料，此方法不宜采用。1.6方法D,，適用于室溫下電阻率0.1～1000·cm的n型和p型硅材料。17方法D,適用于室溫電阻率0.002～0.1Q·cm的n型和p型硅材料。1.8這些方法也可用于測定電阻率超過上述范圍的錯(cuò)和硅材料，但對超出諸范圍的適用性未經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)1.9如果用這些方法不能得到滿意的結(jié)果，建議采用GB4326中闌述的“霍耳效應(yīng)測試方法"來測定試樣的導(dǎo)電類型。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列最新版本的可能性、GB/T1552一1995硅、錯(cuò)單品電阻率測