各種電容的優(yōu)缺點

1、各種電容的優(yōu)缺點極性名稱制作優(yōu)點缺點無無感CBB電容2層聚丙乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。無感，高頻特性好， 體積較小不適合做大容量，價格比較高，耐熱性能較差。無CBB電容2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。有感，其他同上。無瓷片電容薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。體積小，耐壓高，價格低，頻率高（有一種是高頻電容） 易碎！容量低無云母電容云母片上鍍兩層金屬薄膜容易生產，技術含量低。體積大，容量小，（幾乎沒有用 了）無 獨石電容 體積比CBB更小，其他同CBB，有感有電解電容兩片鋁帶和兩層絕緣膜相互層疊，轉捆后浸泡在電解液（含酸性的合成溶液）中。容 量大。高頻特性不好。有鉭電容

2、用金屬鉭作為正極，在電解質外噴上金屬作為負極。穩(wěn)定性好，容量大，高頻特性好。 造價高。（一般用于關鍵地方）1）名稱：聚酯（滌綸）電容（CL）符號：電容量：40p-4u額定電壓：63-630V主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩(wěn)定性差應用：對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路2）名稱：聚苯乙烯電容（CB）符號：電容量：10p-1u額定電壓：100V-30KV主要特點：穩(wěn)定，低損耗，體積較大應用：對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路3）名稱：聚丙烯電容（CBB）符號：電容量：1000p-10u額定電壓：63-2000V主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的

3、電路4）名稱：云母電容（CY）符號：電容量：10p-0。1u額定電壓：100V-7kV主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路5）名稱：高頻瓷介電容（CC）符號：電容量：1-6800p額定電壓：63-500V主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好應用：高頻電路6）名稱：低頻瓷介電容（CT）符號：電容量：10p-4。7u額定電壓：50V-100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差應用：要求不高的低頻電路7）名稱：玻璃釉電容（CI）符號：電容量：10p-0。1u額定電壓：63-400V主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）應用：脈沖、耦合、旁路等電路8）

4、名稱：鋁電解電容（CD）符號：電容量：0。47-10000U額定電壓：6。3-450V主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等9）名稱：鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN）符號：電容量：0。1-1000U額定電壓：6。3-125V主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容10）名稱：空氣介質可變電容器符號:可變電容量：100-1500p主要特點：損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等應用：電子儀器，廣播電視設備等11）名稱：薄膜介質可變電容器符號：可變電容量：15-550p主要特點：體積小，重量輕

5、；損耗比空氣介質的大應用：通訊，廣播接收機等12）名稱：薄膜介質微調電容器符號：可變電容量：1-29p主要特點：損耗較大，體積小應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償13）名稱：陶瓷介質微調電容器符號：可變電容量：0。3-22p主要特點：損耗較小，體積較小應用：精密調諧的高頻振蕩回路14）名稱：獨石電容電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。容量范圍：耐壓：二倍額定電壓。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U,另一種叫II型，容量大，但性能一般。獨石電容最大的缺點是

6、溫度系數(shù)很高，做振蕩器的穩(wěn)漂讓人受不了，我們 做的一個555振蕩器，電容剛好在7805旁邊,開機后，用示波器看頻率，眼看著就慢慢變化，后來換成滌綸電容 就好多了.就溫漂而言：獨石為正溫條數(shù)+130左右,CBB為負溫系數(shù)-230，用適當比例并聯(lián)使用，可使溫漂降到很小.就價格而言：鉭，鈮電容最貴，獨石,CBB較便宜，瓷片最低，但有種高頻零溫漂黑點瓷片稍貴.云母電容Q值較高，也稍 貴.鋁電解電容與鉭電解電容鋁電解電容的容體比較大，串聯(lián)電阻較大，感抗較大，對溫度敏感。它適用于溫度變化不大、工作 頻率不高（不高于25kHz）的場合，可用于低頻濾波。鋁電解電容具有極性，安裝時必須保證正確的極性， 否則有爆

7、炸的危險。與鋁電解電容相比，鉭電解電容在串聯(lián)電阻、感抗、對溫度的穩(wěn)定性等方面都有明顯的優(yōu)勢。但是， 它的工作電壓較低。紙介電容和聚酯薄膜電容其容體比較小，串聯(lián)電阻小，感抗值較大。它適用于電容量不大、工作頻率不高（如1MHz以下） 的場合，可用于低頻濾波和旁路。使用管型紙介電容器或聚酯薄膜電容器時，可把其外殼與參考地相連， 以使其外殼能起到屏蔽的作用而減少電場耦合的影響。云母和陶瓷電容其容體比很小，串聯(lián)電阻小，電感值小，頻率/容量特性穩(wěn)定。它適用于電容量小、工作頻率高（頻 率可達500MHz）的場合，用于高頻濾波、旁路、去耦。但這類電容承受瞬態(tài)高壓脈沖能力較弱，因此不 能將它隨便跨接在低阻電源線

8、上，除非是特殊設計的。聚苯乙烯電容器其串聯(lián)電阻小，電感值小，電容量相對時間、溫度、電壓很穩(wěn)定。它適用于要求頻率穩(wěn)定性高的場 合，可用于高頻濾波、旁路、去耦。獨石電容器技術參數(shù)容量溫度特性是選用電介質種類的一個重要依據(jù)CC4（1CG）： 1類電介質，電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變而改變，屬超穩(wěn) 定型、低損耗電容材料型，適用于對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻電路。特性：-55120C 030PPM/C 容量偏差 B:,C:, D: F:1PF , J:5% , K:10%CT4 （2B1, 2C1）： 2類電介質、電氣性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓、時間的改變性能略有改變，屬 穩(wěn)

9、定型電容材料，適用于隔直、耦合、旁路、濾波電路及可靠性要求較高的中鑒頻電路。CT4D （2F2, 2F4）： 2類電介質，具有較高的介電常數(shù)，常用于生產電容較大的電容器，屬低頻 通用型電容材料，廣泛用于對容量、損耗要求不高的電路。我們把用來制造片式多層瓷介電容（MLCC）的陶瓷叫電容器瓷。這里所說的瓷介就是用電容器瓷 制成的陶瓷介質。大家知道，陶瓷是一類質硬、性脆的無機燒結體。就其顯微結構而論，大都具有多晶 多相結構。其性能往往決定于其成份和結構。當配方確定之后，能否達到預期的效果，關鍵取決于制造 陶瓷粉料的工藝。按其用途可以分為三類：高頻熱補償電容器瓷（UJ、SL）；高頻熱穩(wěn)定電容器瓷（NP

10、O）； 低頻高介電容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。按溫度系數(shù)分可以分為兩類：負溫度系數(shù)電容器瓷（即高頻熱補償電容器瓷）；正溫度系數(shù)電 容器瓷（即平時我們常說的COG、X7R、Y5V瓷料）。按工作頻率可以分為三類：低頻、高頻、微波介質。高頻熱補償、熱穩(wěn)定電容器瓷是專供I類瓷介電容器作介質用，其瓷料主要成分是MgTiO3、 CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點是介質系數(shù)較大，介質損耗小， 溫度系數(shù)和范圍廣，一般在（+120-5600） ppm/C之間可調。高頻熱補償電容瓷常用來制造的負溫產品， 其用途最廣的地方就是振蕩回路，像彩電高頻頭。大家知道，振蕩回

11、路都是由電感和電容構成，回路中 的電感線圈一般具有正的電感溫度系數(shù)。因此，為了保持振蕩回路中頻率（F=1/2n/ LC不隨溫度變化而發(fā) 生漂移，就必須先用具有適當?shù)呢摐囟认禂?shù)的電容器來進行補償。低頻高介電容器是指強介鐵電陶瓷，一般用作II類瓷介電容器的介質。具有自發(fā)極化性質的非線性 陶瓷材料，一般以鈦酸鋇（BaTiO3）為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電系數(shù)特別高，一般數(shù)千，甚至上萬；介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場有非線性關系。二、瓷介代號陶瓷介質的代號是按其陶瓷粉料的溫度特性來命名的。常用的幾種陶瓷粉料的含義如下：Y5V:溫度特性Y代表一25C； 5代表+85C；溫度系數(shù)V代

12、表一80%+30%Z5U：溫度特性Z代表+10C； 5代表+85C；溫度系數(shù)U代表一56%+22%X7R：溫度特性X代表 一55C； 7代表+125C溫度系數(shù)R代表土 15%NP0 :溫度系數(shù)是30ppm/C三、其它電子陶瓷的產品及用途壓電陶瓷：利用其機一電轉換性能以制造換能器、濾波器及變壓器等。半導體瓷：其電氣性能對外界物理條件極其敏感，可制造各種敏感元件。比如熱敏電阻，氣敏電阻。磁性瓷：即鐵氧體瓷，是鐵磁性氧化物。用以制造高頻或微波鐵氧體器件、以及恒磁器件。如VCD 中的磁珠。微波介質瓷：其品質因素大，頻率特性好，可制作聲表面波濾波器(SAWF)；陶瓷濾波器(CF)。貼片電容的材質規(guī)格貼片

13、電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我 們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引 起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是敝司三 巨電子公司的命名方法，其他公司的產品請參照該公司的產品手冊。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所 組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器 時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。一 NPO電容

14、器NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、彩和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55C到+125C時容量變化為 030ppm/C,電容量隨頻率的變化小于AC。NPO電容的漂移或滯后小于%,相對大于2%的薄膜電容 來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容 量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器適合用 于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。二X7R電容器X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當

15、溫度在-55C到+125C時其容量變化為15%,需要 注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變 化1%AC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。 它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。三Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主 要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容 量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影

16、響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良 好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。Z5U電容器的其他技術指標如下：工作溫度范圍+10C - +85C溫度特性+22% - -56%介質損耗最大4%四Y5V電容器Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30C到85C范圍內其容量變化可達+22%到 -82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達pF電容器。Y5V電容器的其他技術指標如下：工作溫度范圍-30C -+85C溫度特性+22% - -82%介質損耗最大

17、5%電容的主要特性參數(shù)：容量與誤差:實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有:J級5%, K 級10%, M 級20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D級-%； F級一1%； G級 2%； J 級5%； K 級10%； M 級20%。額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐 壓。對于結構、介質、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內，溫度每變化1C，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千 兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損 耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來