化學(xué):312《晶體結(jié)構(gòu)的堆積模型》優(yōu)秀教案_第1頁
化學(xué):312《晶體結(jié)構(gòu)的堆積模型》優(yōu)秀教案_第2頁
化學(xué):312《晶體結(jié)構(gòu)的堆積模型》優(yōu)秀教案_第3頁
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1、個(gè)人收集整理 僅供參考學(xué)習(xí)第一節(jié) 熟悉晶體第 2 課時(shí) 晶體結(jié)構(gòu)地積累模型【學(xué)習(xí)目標(biāo)】1. 明白最基本地兩種類型(A1 A3)地等徑圓球地密積累型式 2. 知道離子晶體地可視為不等徑圓球地密積累【學(xué)習(xí)過程】二、晶體結(jié)構(gòu)地積累模型 1. 等徑圓球地密積累 1)等徑圓球在一列上進(jìn)行最緊密積累地方式只有一種,即 . 2)等徑圓球在平面上地積累方式許多,但是最緊密,這稱為,試畫出該排列方式 . 積累方式只有一種,即3)兩個(gè)密置層 A 與 B 地最緊密積累形式只有一種,為 . 在此基礎(chǔ)上再積累第三層 C 時(shí),最緊密積累地方式有種,最終可以得到型地最密積累和型地最密積累 . 金屬鎂為,金屬銅為 .2. 非

2、等徑圓球地密積累1)配位數(shù)是指 . 2)在離子晶體中,陰、陽離子半徑是不相同地,可以看成將半徑地離子按肯定方式做等徑圓 球地密積累,然后將半徑地填充在間隙中,例如,氯化鈉晶體中按型方式進(jìn)行最密堆積,填在間隙中;硫化鋅晶體中地按型方式進(jìn)行最密積累,填在間隙中 .3)分子晶體中,原子先,分子間再形成晶體 . 分子地排列與有關(guān) . 例如,干冰地密積累方式為. 【典題解悟】例 1. 以下表達(dá),不正確地是()A.氯化鈉地晶體結(jié)構(gòu)為非等徑圓球密積累B.晶體盡 量實(shí)行緊密積累方式,以使其變得比較穩(wěn)固C.由于共價(jià)鍵有飽和性和方向性,所以原子晶體不遵循“ 緊密積累” 原就D.金屬銅和鎂均以 ABAB方式積累解析

3、:在 NaCl 晶體中,半徑較大地 Cl按 A1型方式進(jìn)行最密積累,Na +填在 Cl所構(gòu)成地間隙中,因此 NaCl 晶體結(jié)構(gòu)為非等徑圓球密積累,A 選項(xiàng)正確 . 密積累原理適合于沒有方向- 1 - / 4 個(gè)人收集整理 僅供參考學(xué)習(xí)性地金屬鍵、離子鍵和分子間作用力相互作用形成地金屬晶體、離子晶體和分子晶體,而不適合于具有方向性和飽和性地共價(jià)鍵所形成地原子晶體以及氫鍵所形成地分子晶體,采納密積累地方式可以降低體系地能量,使晶體變得比較穩(wěn)固,B 和 C 兩選項(xiàng)都正確. 金屬銅采納“ ABCABC ” 方式積累,金屬鎂采納“ 答案 :D ABAB ” 方式堆 積,所以 D選項(xiàng)錯(cuò)誤 .例 2. 晶體

4、結(jié)構(gòu)型式和晶胞匹配地是()AA3 型最密積累六方晶胞 CA1 型最密積累體心立方晶胞 BA2 型密積累面心立方晶胞 DNaCl 型離子晶體簡(jiǎn)潔立方晶胞解析:對(duì)應(yīng)關(guān)系為:A1 型最密積累面心立方晶胞,A2 型密積累體心立方晶胞,NaCl 型離子晶體六方晶胞 .答案: A 【當(dāng)堂檢測(cè)】)1等徑圓球緊密積累形成地密置層中,與每個(gè)球處于相切關(guān)系地球地個(gè)數(shù)為( A 3 B4 C6 D8 2以下表達(dá)與晶體地各向異性有關(guān)地是() A 石墨地導(dǎo)電性與方向無關(guān) B 晶體中微觀粒子地排 列具有肯定地方向要求 C 晶體是勻稱地 D 等徑圓球積累時(shí)無方向性要求 3以下表達(dá)中不正確地是() A 干冰、氯化鈉地晶體結(jié)構(gòu)均

5、為非等徑圓球密積累 B 晶體盡量實(shí)行緊密積累方式以使其變得比較穩(wěn)固 C 由于共價(jià)鍵有飽和性和方向性,所以原子晶體不遵循“ 緊密積累” 原就 D 金屬銅和鎂均以ABAB方式密積累地緣由是()4金屬晶體、離子晶體、分子晶體實(shí)行密積累方式 A 構(gòu)成晶體 地微粒均可視為圓球 B 金屬鍵、離子鍵、分子間作用力均無飽和性和方向性 C 三種晶體地構(gòu)成微粒相同 D 三種晶體地構(gòu)成微粒多少及相互作用都相同5關(guān)于離子晶體地積累情形表達(dá)正確地是()- 2 - / 4 個(gè)人收集整理 僅供參考學(xué)習(xí) A 離子鍵無方向性和飽和性,所以每個(gè)離子地配位數(shù)都是 12 B 陰、陽離子地半徑大小不同,所以兩種離子地配位數(shù)也不同 C

6、先由大離子緊密積累,小離子填充其間隙 D 兩種離子地配位數(shù)比值與其所帶電荷成反比6與分子晶體中分子地積累情形無關(guān)地是() A 范德華力無方向性和飽和性 B存在氫鍵地方向性和飽和性 C 分子地詳細(xì)外形 D分子內(nèi) 共價(jià)鍵地飽和性和方向性7. 等徑圓球形成 地 A1 型最密積累和 A3型最密積累中,每個(gè)球地配位數(shù)分別是()A、 3,3 B、12,12 C、 3,6 D、6,6 8有關(guān) A1型密積累與 A3 型密積累地說法中正確地是()AA1型密積累是最密積累,A3型密積累不是最密積累 . B兩 者都是最密積累,其中A1 型密積累是一、三、五 各層球心重合,二、四、六 各層球心重合; A3 型密積累是四、五、六層 分別和一、二、三層球心重合 .C原子晶體一般都采納 A1 型密積累或 A3 型密積累 . D

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