AIOT電子行業(yè)發(fā)展深度報告

1、 AIOT電子行業(yè)發(fā)展深度報告 一、核心觀點行業(yè)整體回顧：20Q3 營收增速環(huán)比提升，歸母凈利潤同比提升好于預(yù)期。 2020 前三季度整體共實現(xiàn)營收 16629.69 億元，同比增長 7%，歸母凈利潤 866.37 億元，同比增長 26%；2020Q3 單季度共實現(xiàn)營收 6556.44 億元，同 比增長 13%，歸母凈利潤 399.73 億元，同比增長 41%。2020 三季度營收和 利潤均有大幅邊際改善，單季度歸母凈利潤連續(xù)兩個季度同比增速超過 30% 以上，伴隨利潤率的提升，盈利質(zhì)量也有所提升。我們認(rèn)為，經(jīng)過上半年全 球疫情影響、宏觀經(jīng)濟下滑等多方面因素，整體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿搅溯^大的沖擊， 從

2、Q2Q3 季度來看，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇好于預(yù)期。具體體現(xiàn)在以下三方面：一 是三季度需求快速回暖，國內(nèi)產(chǎn)能恢復(fù)好于全球，導(dǎo)致國內(nèi)公司訂單景氣度 較高；二是供給端產(chǎn)能有所下降，中小企業(yè)受到疫情影響有部分產(chǎn)能退出， 導(dǎo)致行業(yè)集中度進一步提升，行業(yè)龍頭實現(xiàn)份額提升；三是半導(dǎo)體及消費電 子等主要下游需求來自國內(nèi)，因此一定程度上國內(nèi)需求帶動了全球產(chǎn)業(yè)鏈復(fù) 蘇。消費電子：5G 與 AIOT 時代啟動，消費電子終端將大規(guī)模延伸。梳理過去電 子行業(yè)發(fā)展過程及輪動因素，我們認(rèn)為電子行業(yè)走過了兩個主要的發(fā)展周期， 分別是以個人 PC 為代表的桌面端時代和以智能手機為代表的移動終端時代。 總體來說，電子行業(yè)迭代周期可以以

3、通訊技術(shù)迭代周期（3G/4G/5G）+核心 產(chǎn)品（PC/智能手機/物聯(lián)網(wǎng)）兩個趨勢指標(biāo)作為疊加，觀察行業(yè)周期性變化 的拐點。隨著新一輪技術(shù)的不斷落地，我們認(rèn)為有兩個顯著的變化：1）消費 電子終端將大幅延伸，從 PC 與智能手機延伸到智能音箱、耳機、手表、智能家居、汽車等；2）生態(tài)系統(tǒng)的多端融合，從 PC 端到智能手機的過程，二 者的系統(tǒng)是獨立的，依存度不強，未來以華為鴻蒙為代表的多端系統(tǒng)，將打 通手機、汽車、PC、智能家居、可穿戴等多終端。我們認(rèn)為，以上兩個顯著 的趨勢與變化，將會帶來以多智能終端為基礎(chǔ)，以生態(tài)系統(tǒng)為核心的競爭。半導(dǎo)體：全球半導(dǎo)體復(fù)蘇有望迎來拐點，國產(chǎn)替代帶動下游需求。半導(dǎo)體制

4、 造商持續(xù)增加資本開支，預(yù)計 2020 年同比增加 4%。其他半導(dǎo)體制造商在 2019 年的總支出為 626 億美元，預(yù)計在 2020 年將支出 654 億美元，增長 4%。2019 年，在臺積電支出激增的推動下，芯片代工部門的資本支出增幅 最大，達(dá)到 17%。到 2020 年，晶圓制造行業(yè)的支出預(yù)計將再次出現(xiàn)最大增 長，增幅為 8%。國內(nèi)半導(dǎo)體新建產(chǎn)能持續(xù)增長，進一步擴大國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè) 備需求。根據(jù) SEMI 預(yù)測，雖然新冠肺炎疫情持續(xù)不利，中國大陸的半導(dǎo)體 設(shè)備支出仍將同比增長 5%左右，今年將超過 120 億美元，并在 2021 年同比增長 22%，達(dá)到 150 億美元。2020Q3 全球

5、產(chǎn)業(yè)鏈有不同程度的復(fù)蘇，需 求端的復(fù)蘇先于供給端，由于部分產(chǎn)能仍未達(dá)到疫情前水平、平板需求帶來 同比增長，2020 第三季度全球銷售額分別為 2,491.00，同比增長 3.3%，環(huán) 比增長 14%。LED：LED 市場規(guī)模穩(wěn)步發(fā)展，Mini/Micro LED 有望貢獻行業(yè)增量。國產(chǎn) 替代致各環(huán)節(jié)成本不斷降低，各環(huán)節(jié)集中度不斷提升。上游環(huán)節(jié)，進口設(shè)備 出現(xiàn)國產(chǎn)替代，設(shè)備及原材料成本降低是主要因素；中游環(huán)節(jié)，封裝產(chǎn)能與 集中度趨向頭部企業(yè)；下游環(huán)節(jié) Mini LED & Micro LED 均需要一定研發(fā)實 力，有利于 LED 下游企業(yè)建立技術(shù)壁壘。更小間距顯示屏成為未來的趨勢， Mini L

6、ED 和 MicroLED 產(chǎn)品的問世為行業(yè)發(fā)展提供了新的成長機會，根據(jù)預(yù) 測，2018-2020 年我國 MiniLED 市場規(guī)模可達(dá)到年化 175%左右的增長， 2020 年 MiniLED 市場規(guī)模將達(dá) 22 億元，增速高于全球，國內(nèi)市場有更大發(fā) 展空間。被動元件：5G、新能源汽車帶動 MLCC 國產(chǎn)替代需求。5G 換機潮來臨， MLCC 需求量有望持續(xù)提升。隨 5G 換機潮到來，5G 手機的 MLCC 需求量 預(yù)計比 4G 手機增長一倍以上，各手機品牌均在推出創(chuàng)新產(chǎn)品，無線充電、 全面屏、多攝像頭等功能也增加了對 MLCC 的需求。被動元件往微型化發(fā)展 的同時，單一手機使用量迅速提升。

7、汽車電子化率提升，帶動 MLCC 市場規(guī)模 的擴大，新能源汽車電子化將大幅提升 MLCC 用量。汽車電子主要應(yīng)用于動 力控制系統(tǒng)，車載信息娛樂系統(tǒng)，汽車安全控制系統(tǒng)和車身電子系統(tǒng)等。新 能源汽車帶動汽車電子化程度不斷提高，汽車電子市場也帶來了大量新增的 MLCC 需求。普通燃油車 MLCC 的平均用量約為 3000 顆，混合動力和插電 式混合動力車所需的數(shù)量約為 12000 顆，純電動汽車所需的數(shù)量約為 18000 顆。純電動汽車所需的 MLCC 數(shù)量大約是傳統(tǒng)內(nèi)燃車的六倍。新能源汽車滲 透率的提高，為車用 MLCC 產(chǎn)品提供了廣闊的發(fā)展空間。二、前三季度市場回顧：2020Q3 國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈景氣

8、度提升，盈利能力有所改善2.1 行業(yè)整體綜述：2020Q3 邊際大幅改善三季度電子行業(yè)邊際大幅改善，單三季度營收同比增長 13%。截止 2020 年 三季度，A 股上市公司中按申萬行業(yè)分類，電子行業(yè)共有 296 家公司發(fā)布 2020 年半年報。電子行業(yè)第三季度營業(yè)收入同比增長 13%；前三季度營業(yè) 收入同比增長 7%，實現(xiàn)正向增長的有 199 家，增長幅度的中位數(shù)為 18.4%， 占比為 67%；同比下滑的有 97 家，下滑幅度的中位數(shù)為 10.37%，占比為 33%。從行業(yè)整體來看，2020Q3 業(yè)績整體邊際大幅改善，在 2020Q1 季度 受疫情影響的情況下，連續(xù)兩個季度業(yè)績環(huán)比大幅上漲，

9、部分細(xì)分賽道增長 動力強勁。電子行業(yè) 2020 年前三季度歸母凈利潤同比增長 26%，單三季度歸母凈利潤 同比增長 41%；其中實現(xiàn)正向增長的有 175 家，增速中位數(shù)為 41.4%，占比 59.12%；同比下滑的有 121 家，下滑幅度的中位數(shù)為 43.21%，占比為 40.88%。2.2 行業(yè)橫向?qū)Ρ龋翰糠之a(chǎn)能向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體與消費電子持續(xù)景氣按照申萬電子二級行業(yè)拆分增速來看，與其他申萬一級行業(yè)進行比較。國內(nèi) 經(jīng)濟基本面邊際大幅改善，制造業(yè)在三季度持續(xù)景氣，國內(nèi)產(chǎn)能利用率顯著 高于國外，造成部分訂單進一步向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，Q3 季度整體較 Q2 有大幅改 善。從 20Q3 各行業(yè)的營業(yè)收入來看

10、，電子二級行業(yè)中半導(dǎo)體（+26%）、電 子制造（+14%）、光學(xué)光電子（+1%）均保持正向增長，半導(dǎo)體與電子制造 相比其他一級行業(yè)增長幅度排名靠前。2.3 收入與利潤：2020Q3 營收利潤持續(xù)大幅增長20Q3 營收增速環(huán)比提升，歸母凈利潤同比提升好于預(yù)期。2020 前三季度整 體共實現(xiàn)營收 16629.69 億元，同比增長 7%，歸母凈利潤 866.37 億元，同 比增長 26%；2020Q3 單季度共實現(xiàn)營收 6556.44 億元，同比增長 13%，歸 母凈利潤 399.73 億元，同比增長 41%。2020 三季度營收和利潤均有大幅邊 際改善，單季度歸母凈利潤連續(xù)兩個季度同比增速超過 3

11、0%以上，伴隨利潤 率的提升，盈利質(zhì)量也有所提升。我們認(rèn)為，經(jīng)過上半年全球疫情影響、宏 觀經(jīng)濟下滑等多方面因素，整體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿搅溯^大的沖擊，從 Q2Q3 季度來 看，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇好于預(yù)期。具體體現(xiàn)在以下三方面：一是三季度需求快 速回暖，國內(nèi)產(chǎn)能恢復(fù)好于全球，導(dǎo)致國內(nèi)公司訂單景氣度較高；二是供給 端產(chǎn)能有所下降，中小企業(yè)受到疫情影響有部分產(chǎn)能退出，導(dǎo)致行業(yè)集中度 進一步提升，行業(yè)龍頭實現(xiàn)份額提升；三是半導(dǎo)體及消費電子等主要下游需 求來自國內(nèi)，因此一定程度上國內(nèi)需求帶動了全球產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇。2.4 盈利能力：2020Q3 盈利能力大幅改善，細(xì)分領(lǐng)域加速增長2020Q3 利潤率提升顯著。2020Q3

12、單季度電子行業(yè)毛利率為 17.15%，相比 去年同期增加 1.62pcts，較 Q2 季度環(huán)比提升 0.11pcts；凈利率為 6.24%， 相比上年同期提升 1.29pcts，較 Q2 季度環(huán)比提升 0.46pcts。2020Q3 電子 行業(yè)整體期間費用率為 10.91%，相比去年同期上升 0.33pcts。整體而言，由 于額外抗疫開支，各項費用均有所提升，Q3 季度受到相關(guān)產(chǎn)品價格上漲，盈 利能力顯著提升。2020Q3 經(jīng)營性現(xiàn)金流凈額為 1143.15 億元，相比上年同 期增長 23%，凈現(xiàn)比由去年同期的 2.094 下降至 2020Q3 的 1.57。整體而 言，2020Q3 電子行業(yè)

13、景氣度持續(xù)回暖，上市公司經(jīng)營情況大幅改善。部分 產(chǎn)品產(chǎn)能緊缺導(dǎo)致企業(yè)提前備貨，部分龍頭企業(yè)的業(yè)績高增長有望持續(xù)到明 年一季度。2.5 子行業(yè)對比：半導(dǎo)體加速增長，電子制造增速持平半導(dǎo)體 2020Q3 加速增長。按申萬二級子行業(yè)分類，從營業(yè)收入增速的角度 來看，二級行業(yè)半導(dǎo)體與電子制造 Q3 加速增長，其他電子板塊下降收窄， 光學(xué)元件增速由負(fù)轉(zhuǎn)正；從歸母凈利潤來看，半導(dǎo)體 Q3 季度保持高速增長， 光學(xué)光電子增速由負(fù)轉(zhuǎn)正。從毛利率來看，2020Q3 半導(dǎo)體板塊處于二級行 業(yè)中最高為 26.52%，同比與環(huán)比均有所提升，其余子行業(yè)相比去年同期小幅 波動。從凈利率來看，半導(dǎo)體、元件較為突出，2020

14、Q3 凈利率分別為 9.96%、 7.85%，其中半導(dǎo)體凈利率提升顯著，相比去年同期上升 4.25pcts。對于半 導(dǎo)體等細(xì)分行業(yè)，國內(nèi)需求驅(qū)動了全球產(chǎn)業(yè)鏈增長，國內(nèi)龍頭公司更加受益 于國產(chǎn)替代的持續(xù)落地。三、消費電子：AIOT 周期啟動，關(guān)注核心生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈3.1 產(chǎn)業(yè)鏈隨技術(shù)迭代進入 AIOT 新周期5G 與 AIOT 時代啟動，消費電子終端將大規(guī)模延伸。梳理過去電子行業(yè)發(fā)展 過程及輪動因素，我們認(rèn)為電子行業(yè)走過了兩個主要的發(fā)展周期，分別是以 個人 PC 為代表的桌面端時代和以智能手機為代表的移動終端時代。總體來 說，電子行業(yè)迭代周期可以以通訊技術(shù)迭代周期（3G/4G/5G）+核心產(chǎn)品（

15、PC/ 智能手機/物聯(lián)網(wǎng)）兩個趨勢指標(biāo)作為疊加，觀察行業(yè)周期性變化的拐點。隨 著新一輪技術(shù)的不斷落地，我們認(rèn)為有兩個顯著的變化：1）消費電子終端將 大幅延伸，從 PC 與智能手機延伸到智能音箱、耳機、手表、智能家居、汽 車等；2）生態(tài)系統(tǒng)的多端融合，從 PC 端到智能手機的過程，二者的系統(tǒng)是 獨立的，依存度不強，未來以華為鴻蒙為代表的多端系統(tǒng)，將打通手機、汽 車、PC、智能家居、可穿戴等多終端。我們認(rèn)為，以上兩個顯著的趨勢與變 化，將會帶來以多智能終端為基礎(chǔ)，以生態(tài)系統(tǒng)為核心的競爭。3.2 存量更新?lián)Q代，關(guān)注相關(guān)元器件的產(chǎn)品升級全球手機進入存量換代期，預(yù)計 2021 年 5G 滲透率將大幅提升

16、。隨著國內(nèi) 多家廠商發(fā)布 5G 手機，存量換代趨勢顯著，未來單機價值量提升有望帶動 產(chǎn)業(yè)鏈國內(nèi)相關(guān)公司業(yè)績提升。主要源自：1）國內(nèi) 5G 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)大幅領(lǐng) 先于全球水平，應(yīng)用端滲透率國內(nèi)高于國外；2）國產(chǎn)品牌積極布局 5G 新機， 銷售價格幾乎與 4G 持平；3）蘋果 5G 新機發(fā)布，品牌效應(yīng)帶動的同時，有 望進一步帶動國內(nèi)廠商業(yè)績提升。我們認(rèn)為，在存量競爭與產(chǎn)品升級的背景下，行業(yè)發(fā)展的趨勢主線有以下兩 條：1）手機品牌的集中度持續(xù)提升，導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的集中度將進一步提升； 2）產(chǎn)品元器件升級，技術(shù)迭代過程中部分公司有長期成長的能力。全球迎來新一輪換機潮，關(guān)注存量產(chǎn)品更新升級。我們認(rèn)為，手機

17、銷量有望 實現(xiàn)三年以來的正增長，疊加 5G 換機周期，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司業(yè)績有望提升。 自全球手機銷量 2017 年到達(dá)階段性峰值后，目前已經(jīng)連續(xù)三年下滑，主要 原因為硬件方面創(chuàng)新能力有限遇到階段性瓶頸，以及 4G 背景下應(yīng)用生態(tài)開 發(fā)基本達(dá)到飽和。蘋果 5G 新機發(fā)布，全球出貨量前五廠商已經(jīng)全部完成 5G手機布局，未來將圍繞 5G 智能設(shè)備展開的新一輪元器件更新與生態(tài)應(yīng)用完 善。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，預(yù)計 20Q4 智能手機出貨量將同比增長 2.4，在 2021 年將同比增長 4.4。隨著供應(yīng)鏈快速恢復(fù)，以及 OEM 對新 5G 產(chǎn)品的重點 研發(fā)，預(yù)計到 2024 年，全球市場將以每年 1.3的五

18、年復(fù)合年增長率增長。單機成本下降帶動滲透率大幅提升。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，預(yù)計 5G 智能手機的出 貨量將在 2020 年達(dá)到全球出貨量的 19，并在 2024 年增長到 58。滲透 率的提升的關(guān)鍵因素是單機成本大幅下降，預(yù)計 2020 年全球 5G 平均售價 將同比下降 25至 611 美元，到 2024 年降至 453 美元。我們認(rèn)為，未來智 能手機出貨量增速將放緩至年均增長 3%以下，產(chǎn)業(yè)鏈投資機會轉(zhuǎn)為細(xì)分領(lǐng) 域集中度的提升和元器件的創(chuàng)新與升級。進入存量時代，差異化創(chuàng)新周期被拉長，光學(xué)賽道是為數(shù)不多近年有持續(xù)創(chuàng) 新的細(xì)分領(lǐng)域。目前主要的突破方式有以下兩點：1）成像質(zhì)量的不斷提升， 包括硬件

19、的成像設(shè)備像素，變焦速度，廣角與微距等。隨著智能設(shè)備廠商對 成像質(zhì)量需求提升，攝像頭及 CIS 芯片廠商實現(xiàn)了量價齊升的帶來的盈利提 升過程。2）攝像頭功能性的不斷創(chuàng)新，主要路徑為從單一的高質(zhì)量成像，轉(zhuǎn) 為功能性識別以及生產(chǎn)效率的提升。例如 3D 結(jié)構(gòu)光人臉識別，虛擬現(xiàn)實， 激光攝像頭建模等。5G 時代的到來，光學(xué)設(shè)備作為主要流量入口的趨勢將更 加顯著，ARVR 以及自動駕駛帶來的新需求將為相關(guān)供應(yīng)商帶來了更多的創(chuàng) 新方向。CIS 芯片是攝像頭重要組成部分，主要成本由部分構(gòu)成。智能手機攝像頭拍攝景象通過鏡頭組生成光學(xué)圖像，光學(xué)圖像通過一系列轉(zhuǎn)換過程，包括電信 號、數(shù)字信號等從傳感器送至數(shù)字處理

20、芯片，最終轉(zhuǎn)換成屏幕上呈現(xiàn)的圖像。 物理結(jié)構(gòu)上，其主要由鏡頭組、對焦馬達(dá)、固定器/鏡座、紅外截止濾光片、 圖像傳感器、PCB 板等物理部件組成。攝像頭各組成部分功能及成本占比各 不相同，主要包括圖像傳感器（占比 52%）；鏡頭（收集光線然后將物體成像 到圖像傳感器占比 20%）；音圈馬達(dá)（推動鏡頭移動實現(xiàn)對焦，占比 6%）； 紅外截止濾光片（過濾多余的紅外光和紫外光，占比 3%）；以及最終的模組 封裝（整合攝像頭零部件，占比 19%）。Yole 預(yù)期全球攝像頭模組的出貨量將以 8.2%的 CAGR 增速增長，從 2019 年的 55 億個擴增至 2025 年的 89 億個。2015-2016

21、年是移動設(shè)備中多攝技 術(shù)的初期階段，從單一攝像頭到雙攝像頭；在 2018 到 2019 年發(fā)展為三攝， 趨于成熟。2020 年該技術(shù)已向四攝像頭前進，多樣化的模組帶來多樣化的縮 放或廣角性能。這種情況在 3D 面部識別的前向結(jié)構(gòu)光、AR 應(yīng)用的后置 ToF4 和屏幕下方的光學(xué)指紋模組中都有體現(xiàn)。后置雙攝成為主流后，攝像頭的數(shù)目在持續(xù)增加。根據(jù) IDC 統(tǒng)計，2018 年手機平均搭載 2.84 顆攝像頭，同比增長 6.77%2019 年全球手機平均搭載攝 像頭的數(shù)量在 3.21 顆左右。在多攝像頭的推動下，2019 年全球手機攝像頭 的出貨量在 44 億顆左右，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，未來 5G 技

22、術(shù)的推進，通信基礎(chǔ) 設(shè)施建設(shè)的完善將加快全球范圍內(nèi)智能手機出貨量的需求。預(yù)計 2020 年全 球攝像頭的出貨量將達(dá)到 60 億顆，2021 年全球手機攝像頭的出貨量將達(dá)到 75 億顆。攝像頭像素升級趨勢延續(xù)，高像素攝像頭滲透率有望持續(xù)提升。從目前手機 攝像頭出貨量來看，主流的智能手機搭載的攝像頭在 500-1300 萬區(qū)間范圍 內(nèi)，2019 年出貨量約為 24.46 億顆，占比約為 48.9%，其次為 1300-4800 萬區(qū)間范圍內(nèi)，出貨量約為 10.63 億顆，占比約為 21.3%。隨著光學(xué)元器件 技術(shù)不斷升級，以及有生物識別、AR/VR、激光建模等需求提升，未來 4800 萬像素的出貨量

23、以及占比有望大幅提升，預(yù)計到 2022 年，4800 萬像素以上 攝像頭出貨量有望達(dá)到 24.05 億顆，占比有望提升到 29%。產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司 將持續(xù)受益于光學(xué)創(chuàng)新帶來的市場空間提升。TOF 手機攝像頭有望成為智能手機熱門配置。TOF（Time of Flight，飛行時 間），其實是一種深度信息測量方案，主要由紅外光投射器和接收模組構(gòu)成。 投射器向外投射紅外光，紅外光遇到被測物體后反射，并被接收模組接收， 通過記錄紅外光從發(fā)射到被接收的時間，計算出被照物體深度信息，并完成 3D 建模。目前多家廠商在面部識別上所采用的 3D 結(jié)構(gòu)光技術(shù)，iPhone X、 OPPO Find X 都是采用了

24、 3D 結(jié)構(gòu)光方案。與 TOF 不同，3D 結(jié)構(gòu)光通過利 用點陣投影儀向外投射多個光斑到被測物體，以紅外攝像頭拍攝被測物體的 三維光圖像，再經(jīng)由處理系統(tǒng)計算物體深度信息。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，配置 TOF 攝像頭手機出貨量在 2019 年迎來了爆發(fā)，預(yù)計在 2021 年有望達(dá)到 2.67 億 部，相較 2019 年出貨量增長 4 倍。3.3 增量滲透率提升，關(guān)注產(chǎn)品力與創(chuàng)新力（1）聲學(xué)成為流量入口趨勢顯著，產(chǎn)品創(chuàng)新與滲透率提升帶動產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā) 式增長TWS 未來將成為智能設(shè)備標(biāo)配，增量空間確定性強。在蘋果產(chǎn)品的引領(lǐng)下， 無線耳機滲透率迅速提升，從 AirPods 發(fā)布前后的市占率可以看出，強大的

25、產(chǎn)品力得到市場認(rèn)可。AirPods 被業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為是最好用的無線耳機，19 年 3 月發(fā)布了第二代 AirPods，搭載無線充電技術(shù)，進一步提高市占率；19 年 12 月發(fā)布了 AirPods Pro，升級防水、降噪等功能的升級，使得 AirPods 系列銷量快速增長。隨著終端廠商持續(xù)推進智能耳機技術(shù)革新，智能耳機將會 有包括生物識別、醫(yī)用、軍用等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。立訊精密是為數(shù)不多的具 備精密無線耳機模組生產(chǎn)能力的廠商，預(yù)計未來受益于無線耳機滲透，不斷 增厚業(yè)績。TWS 滲透率仍有提升空間，未來手機取消耳機接口有望成為市場催化劑。根 據(jù)蘋果產(chǎn)品規(guī)劃，Airpods 第三代新品有望在今年順利上市

26、，TWS 滲透率提 升趨勢有望延續(xù)。目前 TWS 滲透率約為 40%，Airpods 市占率約為 45%， 2020 年 Airpods 出貨量有望達(dá)到 1 億臺。據(jù) StrategyAnalytics 研究報告數(shù) 據(jù)顯示，蘋果 AirPods 在 2019 年實現(xiàn)了近 6000 萬的銷量，占全球 TWS 耳機 50%以上。根據(jù) Counterpoint 的數(shù)據(jù)，AirPods 預(yù)計 20/21 年 AirPods 銷量有望達(dá)到 1 億/1.5 億部，其中 AirPodsPro 占比為 36%/40%。安卓系與音頻廠商快速跟進，全面打開市場空間。根據(jù) StrategyAnalytics 數(shù) 據(jù)

27、，1719 年間 AirPods 出貨量從 1400 萬部增長至 6000 萬部,年復(fù)合增長 率高達(dá) 62%，并有望在未來維持高增速。除蘋果外，索尼、華為、小米等安 卓系品牌積極跟進布局，TWS 耳機市場進入快速發(fā)展期。根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù) 1619 年間全球 TWS 耳機出貨量劇增超 13 倍（19 年全球出貨量 1.2 億部），年復(fù)合增長率達(dá) 134%，并預(yù)估 20 年出貨量有望突破 2.3 億部。（2）5G 應(yīng)用層智能產(chǎn)品逐漸顯現(xiàn)，高清視頻與可穿戴值得關(guān)注5G 融合應(yīng)用體系包括 3 大應(yīng)用方向、4 大通用應(yīng)用和多行業(yè)應(yīng)用。從應(yīng)用方 向上看，5G 應(yīng)用包括產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智慧化

28、生活、數(shù)字化治理三大方向。4 大 通用應(yīng)用包括 4K/8K 超高清視頻、VR/AR、無人機/車/船、機器人四大類； 5G 應(yīng)用到工業(yè)、醫(yī)療、教育、安防等領(lǐng)域，還將產(chǎn)生多種創(chuàng)新型行業(yè)應(yīng)用。超清視頻發(fā)展加速直接受益于帶寬提升。5G 將全方位賦能超高清產(chǎn)業(yè)。5G 將在視頻采集回傳、視頻素材云端制作以及超高清視頻節(jié)目播出三個環(huán)節(jié)助 力超高清產(chǎn)業(yè)。4K/8K 攝像機通過編碼推流設(shè)備，將原始視頻流轉(zhuǎn)換成 IP 數(shù) 據(jù)流，通過 5G CPE 或集成 5G 模組的編碼推流設(shè)備將視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)給 5G 基站。畫質(zhì)提升需求帶來超清面板滲透率提升。提升畫質(zhì)是顯示應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)的焦點，目前，4K 產(chǎn)品已經(jīng)普及，43 寸以

29、上的中大尺寸產(chǎn)品中 4K 已成為標(biāo)配。 2018 年全球 4K LCD TV 面板出貨量超過 1.1 億臺，滲透率接近 40%，未來 8K 是面板廠商提前布局的下游應(yīng)用。2019 年韓、臺、中等主流面板廠均積 極規(guī)劃 8K 產(chǎn)品，8K 面板將在 2019 年正式起步，帶動液晶面板的分辨率實 現(xiàn)再一次的跨越。根據(jù)群智咨詢預(yù)計 2020 年出貨量將達(dá)到 260 萬片，滲透率 1%，2022 年滲透率將提升到 3.6%。VR/AR 對時延要求較高，5G 是降低產(chǎn)業(yè)門檻的重要途徑。對于 VR/AR 產(chǎn) 業(yè),若將視覺計算放在云端，能夠顯著降低終端復(fù)雜度，但會引入額外的網(wǎng)絡(luò) 傳輸時延。若 VR 可以順暢體

30、驗，需要至少 60Mbps 的終端速率，時延要低 于 20 毫秒。5G 帶來的高帶寬低時延特性使得 VR/AR 這樣的應(yīng)用可以實現(xiàn) 無線化，實用性大為增強需要至少 60Mbps 的終端速率，時延要低于 20 毫 秒。5G 帶來的高帶寬低時延特性使得 VR/AR 這樣的應(yīng)用可以實現(xiàn)無線化， 實用性大為增強。隨 5G 商用落地，VR 市場規(guī)模有望快速擴大。用戶體驗與終端成本的平衡是 現(xiàn)階段影響 VR 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵問題，隨著產(chǎn)品功能不斷成熟，5G 商用化浪 潮來臨之際，出貨量有了顯著增長。2018 年全年中國虛擬現(xiàn)實設(shè)備出貨量為 120 萬臺，其中 VR 頭顯出貨量為 116.8 臺，AR 頭顯出

31、貨量 3.2 萬臺。根據(jù) 艾瑞咨詢預(yù)測，未來五年 VR 市場的年復(fù)合增長率將超過 80%。預(yù)計到 2021 年，中國會成為全球最大的 VR 市場，行業(yè)整體規(guī)模將達(dá)到 790.2 億元。5G 將為車聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用打開新的空間。5G 極高的數(shù)據(jù)吞吐量、低時延和更高的 可靠性將使車聯(lián)網(wǎng)能提供的信息服務(wù)類型更加豐富，隨著 5G 技術(shù)在低時延、 高可靠方面能力的增強，可以支持提供基于意圖共享、協(xié)同決策的高級別主 動安全預(yù)警、交通出行效率提升類服務(wù)，還將支持構(gòu)建“人車路云”高度協(xié) 同的互連環(huán)境，實現(xiàn)車路協(xié)同控制、遠(yuǎn)程遙控操作、高級別自動駕駛等業(yè)務(wù)， 最終支撐實現(xiàn)完全無人駕駛。5G 與汽車結(jié)合應(yīng)用場景豐富，車聯(lián)網(wǎng)

32、與汽車電子市場規(guī)模有望同步增長。 汽車電子成為新藍(lán)海，有望成為未來半導(dǎo)體應(yīng)用主要增長點，目前已有包括 安全系統(tǒng)、娛樂信息系統(tǒng)、車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、動力系統(tǒng)等，未來汽車半導(dǎo)體市場發(fā) 展空間還將進一步增加。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測，車聯(lián)網(wǎng)未來有望保持36.0% 的年復(fù)合增速，到 2022 年達(dá)到 520 億美元，到 2020 年全球汽車電子產(chǎn)品 市場的產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計將達(dá)到 2400 億美元，其中我國汽車電子市場規(guī)模將超 過 1058 億美元。3.4 板塊財報綜述：Q3 季度消費電子產(chǎn)業(yè)鏈景氣度提升國內(nèi)市場 10 月份出貨量同比下滑，四季度預(yù)期行業(yè)景氣度回升，降幅有望 縮窄。2020年10月，國內(nèi)手機市場總體出貨

33、量2615.3萬部，同比下降27.3%； 1-10 月，國內(nèi)手機市場總體出貨量累計 2.52 億部，同比下降 22.1%。2020 年 10 月，國內(nèi)手機上市新機型 28 款，同比下降 42.9%。1-10 月，上市新機 型累計 387 款，同比下降 19.7%。2020 年 10 月，國內(nèi)市場 5G 手機出貨量 1676.0 萬部，占同期手機出貨量的 64.1%；上市新機型 16 款，占同期手機上市新機型數(shù)量的 57.1%。1-10 月， 國內(nèi)市場 5G 手機累計出貨量 1.24 億部、上市新機型累計 183 款，占比分別 為 49.4%和 47.3%。2020 年 10 月，國產(chǎn)品牌手機出

34、貨量 2032.2 萬部，同比下降 33.5%，占同 期手機出貨量的 77.7%；上市新機型 21 款，同比下降 53.3%，占同期手機 上市新機型數(shù)量的 75.0%。1-10 月，國產(chǎn)品牌手機出貨量累計 2.26 億部， 同比下降 23.2%，占同期手機出貨量的 89.9%；上市新機型累計 348 款，同 比下降 19.3%，占同期手機上市新機型數(shù)量的 89.9%。2020 年 10 月，智能手機出貨量 2501.4 萬部，同比下降 27.7%，占同期手 機出貨量的 95.6%。1-10 月，智能手機累計出貨量 2.43 億部，同比下降 21.5%， 占同期手機出貨量的 96.4%。2020

35、 年 10 月，智能手機上市新機型 25 款， 同比下降 19.4%，占同期手機上市新機型數(shù)量的 89.3%。1-10 月，智能手機 上市新機型累計 298 款，同比下降 17.9%，占同期上市新機型數(shù)量的 77.0%。20Q3 下游需求迅速復(fù)蘇，產(chǎn)業(yè)鏈庫存提升帶來需求預(yù)期。2020Q3 單季度共 實現(xiàn)營收 2845.43 億元，同比增長 19%，歸母凈利潤 204.63 億元，同比增 長 28%；從前三季度來看，共實現(xiàn)營業(yè)收入 7048.73，同比增長 14%，歸母 凈利潤 446.59，同比增長 26%。受到三季度消費電子旺季影響，產(chǎn)業(yè)鏈景氣 度提升，主要原因為 1）全球電子產(chǎn)業(yè)進入周期性

36、向上拐點，5G 換機潮疊加 半導(dǎo)體資本開支見底，供需端均出現(xiàn)了向好變化；2）H1 季度庫存見底，Q3 季度庫存回補需求顯著，加之相關(guān)元器件價格上漲，帶動部分公司盈利提升。2020Q3 利潤率有所改善。2020Q3 單季度電子制造行業(yè)毛利率為 17.06%， 相比去年同期上升 1.14pcts，凈利率為 7.25%，相比上年同期提升 0.34pcts。 2020Q2 電子制造行業(yè)整體期間費用率為 9.81%，其中銷售費用率為 1.99%， 相比去年同期下降 0.05pcts，管理費用（不含研發(fā)費用）率為 2.26%，相比 去年同期上升 0.27pcts，財務(wù)費用率為 1.39%，相比去年同期提升

37、 1.73pcts。 2020Q3 經(jīng)營性現(xiàn)金流凈額為 205.79 億元，相比上年同期下降 0.5%，2020Q 電子制造行業(yè)盈利能力略有提升，費用率略微下降，經(jīng)營性現(xiàn)金流與去年同 期保持持平。四、半導(dǎo)體：行業(yè)拐點已至，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈景氣度好于全球4.1 全球半導(dǎo)體復(fù)蘇周期延續(xù)，疫情影響邊際效應(yīng)遞減全球半導(dǎo)體資本開支受疫情影響或同比下滑，源于存儲芯片公司資本開支大 幅減少。根據(jù) IC Insights 預(yù)測，2020 全球半導(dǎo)體資本開支將同比減少 3%， 雖然全球產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿?Covid-19 爆發(fā)的影響，但由于絕大多數(shù)的支出是針對工 藝技術(shù)進步的長期目標(biāo)或晶圓片啟動能力的增加，因此預(yù)計大部分支出

38、將按 計劃進行。與此同時，IC Insights 預(yù)計今年的資本支出下降主要是由于三大 內(nèi)存供應(yīng)商（三星、海力士和美光）大幅削減了資本開支。這三家大型存儲 公司 2019 年的總支出為 397 億美元，預(yù)計今年將為 336 億美元，大幅下降 15%。半導(dǎo)體制造商持續(xù)增加資本開支，預(yù)計 2020 年同比增加 4%。其他半導(dǎo)體制 造商在 2019 年的總支出為 626 億美元，預(yù)計在 2020 年將支出 654 億美元， 增長 4%。2019 年，在臺積電支出激增的推動下，芯片代工部門的資本支出 增幅最大，達(dá)到 17%。到 2020 年，晶圓制造行業(yè)的支出預(yù)計將再次出現(xiàn)最 大增長，增幅為 8%。除

39、了 2018 年，晶圓廠自 2015 年以來每年都是按產(chǎn)品 類型劃分的資本支出最高的公司。到 2020 年，預(yù)計此行業(yè)將再次占半導(dǎo)體 行業(yè)資本支出的最大比例（29%）。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，臺積電是去 年芯片代工資本支出增加的主要原因，其 2019 年的支出較 2018 年增加了 45 億美元左右。2020 年，臺積電的支出增長預(yù)計將較為平緩，預(yù)計達(dá)到 5.63 億美元。相比之下，中國的中芯國際今年計劃將支出增加約 11 億美元。全球半導(dǎo)體進入復(fù)蘇周期，2020 年有望實現(xiàn)正向增長。2019Q3 隨著存儲芯片、面板等周期性產(chǎn)品產(chǎn)能進一步減少，價格開始見底回升，行業(yè)先行指標(biāo) 出

40、現(xiàn)拐點，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度開始逐步復(fù)蘇，行業(yè)產(chǎn)值增速由負(fù)轉(zhuǎn)正。2020Q3 全球產(chǎn)業(yè)鏈有不同程度的復(fù)蘇，需求端的復(fù)蘇先于供給端，由于部分產(chǎn)能仍 未達(dá)到疫情前水平、平板需求帶來同比增長，2020 第三季度全球銷售額分別 為 2,491.00，同比增長 3.3%，環(huán)比增長 14%。4.2 封測環(huán)節(jié)景氣度大幅提升，終端需求持續(xù)上揚IC 封測門檻相對較低，本土廠商逐漸崛起。目前國內(nèi)已有三家企業(yè)進入世界前十，分別是長電科技、華天科技、通富微電，按照市場份額來看，分別排在全球第三、六、七名。由于封測產(chǎn)業(yè)對規(guī)模化要求較高，相對于設(shè)計與代 工，國內(nèi)封測企業(yè)目前排名相對靠前，主要采用的方式是加大研發(fā)投入以及 并購

41、整合。整體行業(yè)目前集中度略低于設(shè)計與代工，隨著并購持續(xù)進行，未 來集中度有望進一步提升。自第二季起受惠于疫情衍生的宅經(jīng)濟效應(yīng)，終端需求持續(xù)上揚。疊加 9 月 15 日起美國全面禁售相關(guān)含美設(shè)備與技術(shù)芯片給華為（Huawei），進而帶動多 數(shù)封測業(yè)者趕在截止日前交貨。在急單效應(yīng)的加持下，2020 年第三季全球前 十大封測業(yè)者營收上升至 67.59 億美元，年成長 12.9%。2020 年第三季封測 龍頭日月光（ASE）及安靠（Amkor）營收分別為 15.20 億美元與 13.54 億 美元年成長 15.1%及 24.9%。第三季營收成長幅度相較第二季略為放緩，然 隨著 5G 通訊、WiFi6

42、及車用芯片的需求上揚與華為急單助力下，整體表現(xiàn)仍相對出色。封測大廠力成（PTI）第三季營收雖然達(dá) 6.47 億美元，年增 14.2%， 然存儲器封測需求不如預(yù)期，力成逐步開展改革計劃，以降低長期對于存儲 器封裝需求的依賴，并出售和關(guān)閉其他獲利較差的子公司加以應(yīng)對。行業(yè)分工細(xì)化，OSAT 成為主要生產(chǎn)模式，未來先進封裝技術(shù)是提升芯片效 能的增量動力。IDM 與 OSAT 是目前半導(dǎo)體封測產(chǎn)業(yè)的兩種主要模式。IDM 企業(yè)芯片產(chǎn)業(yè)所有環(huán)節(jié)均自己完成，OSAT 企業(yè)僅提供中后段的封裝測試代 工服務(wù)。隨著輕資產(chǎn)的設(shè)計公司的不斷增長，推動 OSAT 企業(yè)快速發(fā)展， OSAT+Foundry 的模式成為半導(dǎo)

43、體行業(yè)發(fā)展的主要模式。隨著 IC 設(shè)計趨于 復(fù)雜與制程工藝不斷提升，封裝環(huán)節(jié)的技術(shù)提升，有望為芯片的性能提供額 外的附加值，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品價值的同時降低成本。目前先進封裝演進方向 主要分為減小尺寸的方向，主要實現(xiàn)方式是 FC、Fan-out、Fan-inWLP 和 Bumping，和異質(zhì)結(jié)融合的方向，主要實現(xiàn)方式是 Sip、3D 封裝和 TSV，通 過這兩類型技術(shù)，實現(xiàn)在更小尺寸里集成更多功能，同時實現(xiàn)更高的封裝效 率。而 Fan-out 和和 Sip 系統(tǒng)級封裝是目前被公認(rèn)的在這兩個方向上具有最 大增長潛力的封裝技術(shù)。4.3 國內(nèi)產(chǎn)線建成提升半導(dǎo)體材料與設(shè)備需求國內(nèi)半導(dǎo)體新建產(chǎn)能持續(xù)增長，進

44、一步擴大國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求。根據(jù) SEMI 預(yù)測，雖然新冠肺炎疫情持續(xù)不利，中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備支出仍將同比增 長 5%左右，今年將超過 120 億美元，并在 2021 年同比增長 22%，達(dá)到 150 億美元。長江存儲開始新一輪半導(dǎo)體設(shè)備招標(biāo)，中芯國際追加資本開支，半 導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化趨勢加快。長江存儲發(fā)布第 40、41 批設(shè)備采購招標(biāo)公告， 涉及產(chǎn)品包括封裝級高并行度測試機臺、高速芯片測試機、鈦化學(xué)氣相沉積 -氮化鈦原子層沉積機臺、鋁刻蝕設(shè)備、層間介質(zhì)層化學(xué)機械拋光機等。長江存儲正處于產(chǎn)能爬坡期，未來將帶來下游需求增量空間。國家存儲器基 地項目二期在武漢東湖高新區(qū)未來科技城國家存儲器基地建設(shè)

45、工地開工建設(shè)。 國家存儲器基地項目于 2016 年 12 月 30 日開工，計劃分兩期建設(shè)，總投資 240 億美元。一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破，建成 10 萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能 20 萬片/月，兩期項目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計 30 萬片。長江存儲表示從全球市場 綜合發(fā)展來看，企業(yè)級 SSD（固態(tài)硬盤）、個人電腦和智能手機將是未來閃 存市場增長的主要驅(qū)動力。預(yù)計到 2024 年，SSD 的需求會占閃存總需求的 57.7%，智能手機占 27.0%。對長江存儲而言，市場的容量足夠大，機會足 夠多，還有很多高速率低延時的應(yīng)用未被充分開發(fā)出來，長江存儲的加入將 為市場帶來新活力。全球半導(dǎo)體資本開始有望在 20

46、21 年保持高增長。根據(jù) SEMI 預(yù)測，2021 年 全球晶圓廠設(shè)備支出將迎來標(biāo)志性一年，將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 677 億美元，增長 率達(dá) 24%。具體而言，存儲器工廠將以 300 億美元的設(shè)備支出領(lǐng)先全球半導(dǎo) 體領(lǐng)域，3DNAND 閃存將在今年推動 30%的投資激增，從而推動支出狂潮，在 2021 年實現(xiàn) 17%的增長。繼今年一季度創(chuàng)下季度營收新高后，中芯國際 追加全年資本開支 11 億美元至 43 億美元。長江存儲和中芯國際等國內(nèi)晶圓 廠的投資以及美國的出口限制將加速半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化趨勢。4.4 關(guān)注第三代半導(dǎo)體材料帶來的技術(shù)變革機會（1）第三代半導(dǎo)體材料對性能提升有明顯優(yōu)勢第三代半導(dǎo)體材料以

47、碳化硅、氮化鎵為代表，極具性能優(yōu)勢。第三代半導(dǎo)體 材料是指帶隙寬度明顯大于 Si 的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括 SiC、GaN、 金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于 2.3 電子伏特，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體 材料。和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、 高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技 術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。第三代半 導(dǎo)體材料在航空、航天、光存儲等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景，在寬帶通訊、太 陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低 50%以上 的能量損失，最高可以使裝備體積減小 75%以上，是

48、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步躍進 的基石。半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了三次明顯的換代和發(fā)展。第一代半導(dǎo)體材料是 Si、Ge 等 單質(zhì)半導(dǎo)體材料，由于其具有出色的性能和成本優(yōu)勢，目前仍然是集成電路 等半導(dǎo)體器件主要使用的材料；第二代半導(dǎo)體材料以 GaAs 和 InP 等材料為 代表。第二代半導(dǎo)體材料在物理結(jié)構(gòu)上具有直接帶隙的特點，相對于 Si 材料 具有光電性能佳、工作頻率高、抗高溫、抗輻射等優(yōu)勢，可以應(yīng)用于光電器 件和射頻器件；第三代半導(dǎo)體材料以 GaN 和 SiC 等材料為代表。1969 年實現(xiàn)了 GaN 單晶薄膜的制備。1994 年中村修二研發(fā)了第一支高亮度的 GaN 基 藍(lán)光 LED。1891 年，SiC 晶體

49、被人工合成。1955 年，飛利浦實驗室的 Lely 發(fā)明 SiC 的升華生長法(或物理氣相傳輸法，即 PVT 法)，后來經(jīng)過改進后的 PVT 法成為 SiC 單晶制備的主要方法。材料分子結(jié)構(gòu)導(dǎo)致先天性能優(yōu)勢。第三代半導(dǎo)體材料相對于 Si 材料具有：禁帶寬度更大、電子飽和飄移速度較高等特點，制作出的半導(dǎo)體器件擁有光電 性能優(yōu)異、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，具備應(yīng)用于光電 器件、微波器件和電力電子器件的先天性能優(yōu)勢。（2）產(chǎn)業(yè)應(yīng)用集中在襯底、射頻器件，2025 年滲透率將達(dá)到 50%以上GaN 襯底技術(shù)難度較大，光電子領(lǐng)域中較為成熟。目前，SiC 襯底技術(shù)相對 簡單，主要制備過程大致

50、分為兩步：第一步 SiC 粉料在單晶爐中經(jīng)過高溫升 華之后在單晶爐中形成 SiC 晶錠；第二步通過對 SiC 晶錠進行粗加工、切割、 研磨、拋光，得到透明或半透明、無損傷層、低粗糙度的 SiC 晶片（即 SiC 襯底）。GaN 襯底的生長主要采用 HVPE（氫化物氣相外延）法，制備技術(shù)仍 有待提升，行業(yè)產(chǎn)量較低，導(dǎo)致 GaN 襯底的缺陷密度和價格較高，目前只有 激光器等少數(shù)器件采用 GaN 同質(zhì)襯底；GaN 電力電子器件的襯底主要采用 Si 襯底，部分企業(yè)采用藍(lán)寶石襯底，GaN 同質(zhì)襯底的器件在研發(fā)中；GaN 射 頻器件主要是 SiC 高純半絕緣襯底，少數(shù)企業(yè)采用 Si 做襯底；GaN 光電子

51、 器件是 GaN 材料最成熟的領(lǐng)域，基于藍(lán)寶石、SiC 和 Si 襯底的藍(lán)寶石 LED 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入成熟階段。高技術(shù)門檻導(dǎo)致第三代半導(dǎo)體材料市場以日美歐寡頭壟占，國內(nèi)企業(yè)在 SiC 襯底方面以 4 英寸為主。目前，國內(nèi)已經(jīng)開發(fā)出了 6 英寸導(dǎo)電性 SiC 襯底和高純半絕緣 SiC 襯底，山東天岳公司、北京天科合達(dá)公司和河北同光晶體公 司分別與山東大學(xué)、中科院物理所和中科院半導(dǎo)體所進行技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化， 在 SiC 單晶襯底技術(shù)上形成自主技術(shù)體系。國內(nèi)目前已實現(xiàn) 4 英寸襯底的量 產(chǎn)；同時山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成 6 英寸襯底的 研發(fā)；中電科裝備已成功研制出 6 英寸半絕緣襯

52、底。在 GaN 襯底方面，國內(nèi) 企業(yè)已經(jīng)可以小批量生產(chǎn) 2 英寸襯底，具備 4 英寸襯底生產(chǎn)能力，并開發(fā)出 6 英寸襯底樣品。目前已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納米所的蘇州納維科技 公司和北京大學(xué)的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司，其中蘇州納維目前已推出 4 英寸襯底產(chǎn)品，并且正在開展 6 英寸襯底片研發(fā)。先進半導(dǎo)體材料已上升至國家戰(zhàn)略層面，2025 年目標(biāo)滲透率超過 50%。底 層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，在 2025 中國制造中，分別對第三 代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊 等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。在任務(wù)目標(biāo)中提到 2025 實現(xiàn)在 5G 通信、高效 能

53、源管理中的國產(chǎn)化率達(dá)到 50%；在新能源汽車、消費電子中實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用， 在通用照明市場滲透率達(dá)到 80%以上。（3）底層材料突破是摩爾定律延續(xù)的關(guān)鍵摩爾定律在硅時代 6nm 已接近效能極限?！澳柖伞痹谶^去的幾十年中是 集成電路性能增長的黃金定律。其核心內(nèi)容：價格維持不變時，集成電路上 可容納的元件數(shù)目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。 根據(jù) ITRS 的觀點，傳統(tǒng)的硅晶體管微縮至 6 納米已達(dá)極限。以硅材料為根 基的摩爾定律即將失效。若半導(dǎo)體仍以摩爾定律趨勢發(fā)展，則需要在底層材 料中形成突破。美國、歐盟、日韓等國家和地區(qū)組織已經(jīng)通過制定研發(fā)項目 的方式來引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

54、。超越摩爾定律，新材料是突破路徑之一。目前市面上超過 99%的集成電路都 是以第一代元素半導(dǎo)體材料之一，硅(Si)、鍺(Ge)材料在 20 世紀(jì) 50 年代有 過高光時刻，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中，但 到了 60 年代后期因耐高溫和抗輻射性能較差，工藝更難、成本更高逐漸被硅 材料取代。第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料(SiC、GaN 等)，因其禁帶寬度(Eg)大于 或等于 2.3 電子伏特(eV)而得名。第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能和能帶 結(jié)構(gòu)，廣泛用于射頻器件、光電器件、功率器件等制造，具有很大的發(fā)展?jié)?力。目前第三代半導(dǎo)體材料已逐漸滲透 5G、新能源汽車、綠色照明等新興領(lǐng)

55、 域，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。美歐等經(jīng)濟體持續(xù)加大化合物半導(dǎo)體投入。2018 年，美國、歐盟等國家和組 織啟動了超過 15 個研發(fā)項目。其中，美國的研發(fā)支持力度最大。2018 年美國能源部（DOE）、國防先期研究計劃局（DARPA）、和國家航空航天局（NASA） 和電力美國(Power America)等機構(gòu)紛紛制定第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研究項目， 支持總資金超過 4 億美元，涉及光電子、射頻和電力電子等方向，以期保持 美國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)先的地位。此外，歐盟先后啟動了“硅基高 效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺（SERENA）”項目和“5GGaN2”項目，以搶占 5G 發(fā)展先機。（4）以

56、充電器為代表，GaN 支持下的快充效率翻倍提升GaN 三個特點大幅提升效率：開關(guān)頻率高、禁斷寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。 開關(guān)頻率是指充電頭內(nèi)部晶閘管，可控硅等電子元件，每秒可以完全導(dǎo)通、 斷開的次數(shù)。變壓器恰好是充電器中體積最大的元器件之一，占據(jù)了內(nèi)部相 當(dāng)大的空間。開關(guān)的頻率高可使用體積更小的變壓器。使用氮化鎵作為變壓 元件，變壓器和電容的體積減少，有助于減少充電頭的體積和重量。禁帶寬 度直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度，禁帶寬度越大，器件能夠承載 的電壓和溫度越高，擊穿電壓也會越高，功率越高。更低的導(dǎo)通電阻，直接 表現(xiàn)為導(dǎo)電時的發(fā)熱量。導(dǎo)通電阻越低，發(fā)熱量越低。2018 年 ANKER

57、將 GaN 帶出實驗室。2018 年 10 月 25 日 ANKER 在美國 紐約發(fā)布了一款劃時代的新品“ANKER Power Port Atom PD1”GaN 充 電器，由于其搭載了高頻高效的 GaN（氮化鎵）功率器件而備受業(yè)界關(guān)注。 該款產(chǎn)品也是首次將第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用在充電設(shè)備上，從而將相關(guān)技術(shù) 從實驗室?guī)驊?yīng)用市場。主流廠商依次跟進，高功率，小體積成最明顯優(yōu)勢。小米于 2020 年 2 月發(fā)布了 GaN 充電器 Type-C65W，能夠為小米 10Pro 最高提供 50W 的充電功率，小米 10Pro 搭配其使用從 0 充電至 100%僅需 45 分鐘。同時，它支持 小米疾速閃充

58、、PD3.0 等快充協(xié)議，并且還支持全系 iPhone 快充，官方表 示，使用小米 GaN 充電器 Type-C65W 為 iPhone11 充電，充電速度比原裝 5W 充電器提升約 50%。得益于新型半導(dǎo)體材料 GaN 的加持，Type-C65W 的體積比小米筆記本標(biāo)配的適配器減小約 48%。此外，小米 Type-C65W 的 USB-C 接口支持多個檔位的智能調(diào)節(jié)輸出電流，能為新款 MacBookPro、小 米筆記本等大功率設(shè)備進行最大 65W 充電，還能兼容大多數(shù) Type-C 接口的 電子設(shè)備，包括 Switch 等。產(chǎn)品搭載 E-Marker 芯片，最大支持 5A 電流。 目前，業(yè)界

59、已推出多種快充技術(shù)方案，主要包括高通 Quick Charge 技術(shù)、 OPPO VOOC 閃充技術(shù)、聯(lián)發(fā)科 Pump Express 技術(shù)、華為 Super Charge 技術(shù)、vivo SUPER Flash Charge 技術(shù)和 USB3.1PD 充電技術(shù)等。從消費電子快充市場來看，未來隨快充需求與 GaN 滲透率不斷提升，2022 年市場規(guī)模有望達(dá)到 87.74 億元。隨著 5G 手機各類參數(shù)不斷提升，內(nèi)部射 頻、處理器、屏幕的耗電量在直線上升，電子產(chǎn)品對快充的需求日益提升。 多家廠商發(fā)布 GaN 快充后，目前的售價大部分用戶已經(jīng)可以接受，未來滲透 率有望逐步提升。假設(shè)智能手機未來三年

60、 GaN 快充滲透率為 1%、3%、5%， 可穿戴需求度相對手機端有所降低，三年的滲透率為 0.5%、1%、2%；我們 預(yù)計 2020 年全球 GaN 充電器市場規(guī)模為 24.41 億元，2022 年有望達(dá)到87.74 億元。（5）新能源汽車市場拐點已至，GaN 功率器件空間可期新能源汽車拐點已至，發(fā)展路徑復(fù)制智能手機。新能源汽車的競爭格局已出 現(xiàn)明顯變化，政策端：全球節(jié)能減排，碳排放成國際談判的重要籌碼，國六 排放的實行，加速新能源汽車替代傳統(tǒng)燃油車。供給端：全球主流廠商規(guī)劃 將未來重點發(fā)展方向放到 NEV，有保有量加速提升，目前全球有超過 150 家 車廠已有規(guī)劃 EV 新車上市；在自動駕