半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)深度報告：2020中國半導(dǎo)體設(shè)備的轉(zhuǎn)機(jī)之年

1、正文目錄 HYPERLINK l _TOC_250016 2019 年第四季度或是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)恢復(fù)高增長的向上拐點(diǎn)4 HYPERLINK l _TOC_250015 5G 產(chǎn)業(yè)浪潮驅(qū)動，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場出現(xiàn)改善跡象4 HYPERLINK l _TOC_250014 逆周期投資強(qiáng)化中國設(shè)備市場韌性，本土企業(yè)收入及訂單向上拐點(diǎn)到來7 HYPERLINK l _TOC_250013 國內(nèi)設(shè)備產(chǎn)業(yè)體系形成，優(yōu)勢企業(yè)初步具備進(jìn)口替代能力10 HYPERLINK l _TOC_250012 中微公司：CCP 刻蝕機(jī)優(yōu)勢持續(xù)強(qiáng)化，ICP 刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破11 HYPERLINK l _TOC_2500

2、11 北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體設(shè)備布局漸趨完備，打造“平臺型”產(chǎn)品體系15長川科技：探針臺、數(shù)字測試機(jī)新品蓄力，有望實(shí)現(xiàn)測試設(shè)備全品類布局16 HYPERLINK l _TOC_250010 晶盛機(jī)電：半導(dǎo)體單晶爐批量化銷售，向硅片后道加工設(shè)備不斷延展19 HYPERLINK l _TOC_250009 國產(chǎn)設(shè)備崛起還面臨哪些問題？研發(fā)投入、稅收壓力、激勵機(jī)制21 HYPERLINK l _TOC_250008 投資建議24 HYPERLINK l _TOC_250007 風(fēng)險提示26 HYPERLINK l _TOC_250006 附錄：中國半導(dǎo)體設(shè)備非上市公司梳理27 HYPERLINK l _T

3、OC_250005 上海微電子：光刻機(jī)國產(chǎn)化中堅(jiān)力量，滿足 90nm 制程工藝需求27 HYPERLINK l _TOC_250004 沈陽拓荊：PECVD 設(shè)備技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先，成功研發(fā) ALD 設(shè)備28 HYPERLINK l _TOC_250003 中科儀：布局真空獲得設(shè)備與 PVD、CVD 設(shè)備29 HYPERLINK l _TOC_250002 盛美半導(dǎo)體：全球化發(fā)展布局，清洗設(shè)備進(jìn)入國內(nèi)外主流晶圓廠31 HYPERLINK l _TOC_250001 華海清科：12 寸 CMP 設(shè)備先后進(jìn)入中芯國際、上海華力32 HYPERLINK l _TOC_250000 南京晶升能源：12 寸單

4、晶爐進(jìn)入國內(nèi)硅片領(lǐng)先企業(yè)33圖表目錄圖表 1： 20052018 年全球 GDP 與半導(dǎo)體及設(shè)備市場規(guī)模增速比較4圖表 2： 全球半導(dǎo)體市場月度銷售額及增速4圖表 3： 中國半導(dǎo)體市場月度銷售額及增速4圖表 4： 臺積電、中芯國際資本支出及增速6圖表 5： 北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商月度出貨金額及增速6圖表 6： 應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季度收入及同比增速6圖表 7： 中國大陸晶圓廠分布及建設(shè)規(guī)劃7圖表 8： 20052020 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的地區(qū)分布及預(yù)測8圖表 9： 全球主流晶圓廠的技術(shù)迭代進(jìn)程8圖表 10： 中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及增速9圖表 11： 北方華創(chuàng)、長川科技單季度收入及增速

5、9圖表 12： 20052020 年全球、中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模及預(yù)測9圖表 13： 中國半導(dǎo)體設(shè)備代表企業(yè)的產(chǎn)品布局10圖表 14： 中微公司半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品一覽11圖表 15： 中微公司設(shè)立以來主要產(chǎn)品的演變情況12圖表 16： 公司電容性等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）核心技術(shù)12圖表 17： 公司電感性等離子體刻蝕設(shè)備（ICP）核心技術(shù)13圖表 18： 2017 年全球刻蝕設(shè)備市場份額分布情況13圖表 19： 國內(nèi)知名存儲芯片制造企業(yè) A 近期刻蝕設(shè)備份額（臺數(shù)占比）14圖表 20： 國內(nèi)知名存儲芯片制造企業(yè) B 近期刻蝕設(shè)備份額（臺數(shù)占比）14圖表 21： 公司電容性等離子體刻蝕設(shè)備（C

6、CP）主要研發(fā)項(xiàng)目14圖表 22： 公司電感性等離子體刻蝕設(shè)備（ICP）主要研發(fā)項(xiàng)目14圖表 23： 北方華創(chuàng)主要產(chǎn)品布局一覽15圖表 24： 北方華創(chuàng)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域細(xì)分產(chǎn)品一覽15圖表 25： 半導(dǎo)體測試流程及長川科技目前覆蓋的設(shè)備16圖表 26： 各主流測試設(shè)備公司產(chǎn)品情況一覽17圖表 27： STI 主要產(chǎn)品一覽18圖表 28： 晶盛機(jī)電主要產(chǎn)品布局一覽19圖表 29： 晶盛機(jī)電半導(dǎo)體領(lǐng)域新產(chǎn)品一覽20圖表 30： 國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備代表公司的研發(fā)支出/營業(yè)收入對比21圖表 31： 國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備代表公司的研發(fā)支出對比21圖表 32： 集成電路生產(chǎn)企業(yè)稅收優(yōu)惠政策梳理22圖表 33： 國

7、內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司的實(shí)際稅率（所得稅/利潤總額）22圖表 34： 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司的研發(fā)人員數(shù)量及占比23圖表 35： 2018 年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司的人均情況（單位：萬元）23圖表 36： 半導(dǎo)體設(shè)備國內(nèi)核心公司估值及盈利預(yù)測25圖表 37： 半導(dǎo)體設(shè)備海外核心公司估值及盈利預(yù)測25圖表 38： 海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè) 19872019 年 PE-TTM25圖表 39： 海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè) 19872019 年 PS-TTM25圖表 40： 上海微電子發(fā)展歷程27圖表 41： 上海微電子半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品布局一覽27圖表 42： 上海微電子 SSX600 系列光刻機(jī)主要產(chǎn)品型號及參數(shù)28圖表 43：

8、 沈陽拓荊發(fā)展歷程28圖表 44： 沈陽拓荊半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品布局一覽29圖表 45： 沈陽拓荊合作伙伴布局29圖表 46： 沈陽科儀發(fā)展歷程30圖表 47： 中科儀半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品布局一覽30圖表 48： 盛美半導(dǎo)體發(fā)展歷程31圖表 49： 盛美半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品布局一覽31圖表 50： 華海清科主要 CMP 設(shè)備產(chǎn)品一覽32圖表 51： 華海清科公司主要發(fā)展里程碑33圖表 52： 南京晶升能源主要產(chǎn)品布局一覽332019 年第四季度或是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)恢復(fù)高增長的向上拐點(diǎn)5G 產(chǎn)業(yè)浪潮驅(qū)動，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場出現(xiàn)改善跡象全球半導(dǎo)體、半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)景氣度與全球 GDP 增速相關(guān)性較高，但波動幅度更

9、大。半導(dǎo)體行業(yè)雖然有科技革命驅(qū)動，但也會受到全球經(jīng)濟(jì)的影響而出現(xiàn)周期性波動。通過數(shù)據(jù)， 我們可以發(fā)現(xiàn) 20052018 的十幾年里，半導(dǎo)體及設(shè)備市場規(guī)模波動性較大，且與全球經(jīng)濟(jì)的景氣度密切相關(guān)。圖表1： 20052018 年全球 GDP 與半導(dǎo)體及設(shè)備市場規(guī)模增速比較(%) 全球:GDP:同比全球半導(dǎo)體銷售額:同比（右軸）全球半導(dǎo)體設(shè)備:銷售額:同比（右軸）2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 20185(%)20041503210(1)100500(50)(2)(100)資料來源：SEMI，世界銀行，

10、華泰證券研究所全球及中國半導(dǎo)體市場需求或已進(jìn)入筑底階段。2019 年來受全球宏觀經(jīng)濟(jì)承壓、消費(fèi)電子下游需求減弱等因素影響，國內(nèi)外半導(dǎo)體市場銷售額均出現(xiàn)了同比下滑。據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)， 全球、中國市場單月銷售額分別于 2019 年 4 月、2 月跌至近兩年最低點(diǎn)，此后均進(jìn)入環(huán)比回升通道，截至 2019 年 9 月單月銷售仍明顯低于上年同期，但同比增速的下滑幅度已經(jīng)有所企穩(wěn)。受益于 5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、人工智能（AI）等新一輪技術(shù)變革所帶來的增量需求，我們認(rèn)為 2019Q42020 年半導(dǎo)體下游需求具備復(fù)蘇條件。圖表2： 全球半導(dǎo)體市場月度銷售額及增速圖表3： 中國半導(dǎo)體市場月度銷售額及增速美

11、元)合計(jì)合計(jì):同比(億450400350300250200150100500(%) 302520151050(5)(10)(15)2015-012015-042015-072015-102016-012016-042016-072016-102017-012017-042017-072017-102018-012018-042018-072018-102019-012019-042019-07(20)(億160美元)中國中國:同比140120100806040200(%) 403020100(10)2015-032015-062015-092015-122016-032016-062016-0

12、92016-122017-032017-062017-092017-122018-032018-062018-092018-122019-032019-062019-09(20)資料來源：SEMI，華泰證券研究所資料來源：SEMI，華泰證券研究所我們認(rèn)為，縱觀半導(dǎo)體及設(shè)備產(chǎn)業(yè)的歷史，每一次市場低迷都隨著技術(shù)創(chuàng)新的到來而結(jié)束并開啟新的成長期，雖然全球半導(dǎo)體及設(shè)備市場 2019 年處于增速換擋調(diào)整期，2020 年以后 5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、人工智能（AI）等領(lǐng)域的技術(shù)浪潮有望催生產(chǎn)業(yè)的新一輪成長。集成電路旺盛的市場需求帶動產(chǎn)業(yè)的不斷升級和投資的加大，有力促進(jìn)了集成電路裝備制造行業(yè)的發(fā)展，因此半導(dǎo)

13、體設(shè)備市場與集成電路產(chǎn)業(yè)景氣狀況緊密相關(guān)。我們認(rèn)為，雖然短期來看 2019 年 PC、智能手機(jī)等滲透率接近高位在一定程度上影響了半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但 5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）為代表的新需求及其帶動的云計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，有望開啟半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)的增量需求。全球 5G 產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展將對半導(dǎo)體及設(shè)備需求產(chǎn)生較大的拉動作用。5G 技術(shù)的核心在于芯片，無論是基站還是移動手機(jī)，都與之息息相關(guān)。直接受益于 5G 大規(guī)模商用的芯片包括存儲芯片、計(jì)算芯片、控制芯片、智能手機(jī)芯片、基帶芯片等。存儲芯片：流量的增長是 5G 時代的特征之一，無論是服務(wù)器還是云，5G 的高速度、大流量

14、自然會帶來存儲的大量需要，移動終端 10G 內(nèi)存+512G 存儲容量可能會成為主流配置。我們認(rèn)為隨著 5G 大規(guī)模商用進(jìn)程的推進(jìn)，2019 下半年至 2020 年的季度存儲需求量將會同比大幅增加。目前在存儲芯片領(lǐng)域，美國、韓國、中國臺灣等居于主導(dǎo)地位，中國大陸以長江存儲、合肥長鑫為代表的本土存儲芯片制造企業(yè)正在密集投資、奮起直追， 并已取得產(chǎn)能和技術(shù)的階段性突破。計(jì)算芯片：服務(wù)器、核心網(wǎng)、基站等都需要計(jì)算芯片。除了少數(shù)服務(wù)器芯片我國有一定的產(chǎn)品和技術(shù)積累，絕大部分計(jì)算芯片基本上是美國企業(yè)引領(lǐng)世界。智能手機(jī)芯片：移動通信最重要的一個終端就是智能手機(jī)，智能手機(jī)芯片不僅要進(jìn)行計(jì)算，還要進(jìn)行專門的處理

15、，比如 GPU 進(jìn)行圖像處理，NPU 進(jìn)行 AI 處理，智能手機(jī)芯片還需要體積小、功耗低等特性。華為、蘋果、三星等廠商都在研發(fā)自己的旗艦機(jī)芯片。此外，未來 5G 的影響將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出技術(shù)產(chǎn)業(yè)的范圍而影響到社會各個層面，催生新的應(yīng)用場景，推動新的經(jīng)濟(jì)活動，進(jìn)而對全球范圍的各類芯片需求產(chǎn)生更加廣泛、普遍的拉動和刺激，進(jìn)而帶動半導(dǎo)體設(shè)備需求進(jìn)入新的成長期。5G 時代，全球存儲芯片產(chǎn)能擴(kuò)張對刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備的需求拉動較為突出。5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展催生增量需求，疊加下游技術(shù)進(jìn)步對半導(dǎo)體工藝及設(shè)備提出更高要求，刻蝕、光刻、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝設(shè)備的增量需求空間或?qū)⑤^為廣闊。其中存儲芯片擴(kuò)產(chǎn)對設(shè)備的拉動效果顯著，

16、例如在 3D NAND 存儲芯片領(lǐng)域，隨著堆疊層數(shù)不斷增多，刻蝕、薄膜沉積工藝難度和次數(shù)不斷增加，刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備需求更為受益，薄膜沉積設(shè)備需求增長幅度可能最大。我們認(rèn)為上述產(chǎn)業(yè)變革所帶來的新趨勢已經(jīng)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求及企業(yè)發(fā)展方向產(chǎn)生刺激， 逐漸向設(shè)備環(huán)節(jié)傳導(dǎo)， 2019 年第四季度有望成為全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)需求及訂單回升的向上拐點(diǎn)，部分主流晶圓廠資本支出及北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商銷售情況均已出現(xiàn)復(fù)蘇跡象：晶圓廠資本開支是半導(dǎo)體設(shè)備需求的直接影響因素，2018 年臺積電、中芯國際等晶圓廠資本支出均較上年同期有所下滑，但從 2019 年前三季度來看，上述企業(yè)的資本支出已出現(xiàn)明顯同比增長，臺積電

17、、中芯國際增幅分別達(dá) 44%、11%。據(jù) IC Insights 預(yù)測，三星、臺積電 2019Q4 單季資本支出有望創(chuàng)下歷史新高。自 2019 年 4 月以來，北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨金額的同比下滑幅度一直呈現(xiàn)收窄趨勢，9 月同比下滑幅度縮小到 6%，北美是全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)最為集中的區(qū)域，因此北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨金額變化一定程度上也反映了全球設(shè)備需求的好轉(zhuǎn)。與北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨變化趨勢接近，全球薄膜沉積、刻蝕設(shè)備龍頭應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季收入同比變化幅度在 2019Q2 跌至底部，2019Q3 同比變化率均進(jìn)入了回升階段。圖表4： 臺積電、中芯國際資本支出及增速元臺積電YOY：臺積

18、電中芯國際 YOY：中芯國際億美120140%120%100100%8080%60%6040%4020%0%20-20%0201420152016201720182019Q1-3-40%資料來源：Wind，華泰證券研究所圖表5： 北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商月度出貨金額及增速北美北美：當(dāng)月同比(億美元) 30(%)802560204015201005(20)2013-012013-042013-072013-102014-012014-042014-072014-102015-012015-042015-072015-102016-012016-042016-072016-102017-012017-

19、042017-072017-102018-012018-042018-072018-102019-012019-042019-070(40)資料來源：SEMI，華泰證券研究所圖表6： 應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季度收入及同比增速(億美元)應(yīng)用材料泛林半導(dǎo)體YOY：應(yīng)用材料 YOY：泛林半導(dǎo)體504540353025201510502017Q1 2017Q2 2017Q3 2017Q4 2018Q1 2018Q2 2018Q3 2018Q4 2019Q1 2019Q2 2019Q3 2019Q470%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%資料來源：SEMI，華泰證券研究所；

20、應(yīng)用材料 2019Q4 財報已披露逆周期投資強(qiáng)化中國設(shè)備市場韌性，本土企業(yè)收入及訂單向上拐點(diǎn)到來中國大陸正處于晶圓制造產(chǎn)能擴(kuò)張的歷史性階段，逆周期投資是中國半導(dǎo)體設(shè)備需求韌性和成長性較強(qiáng)的重要支撐。中國大陸作為全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場，消費(fèi)重心一定程度上也牽引產(chǎn)能重心轉(zhuǎn)向中國，同時疊加國家戰(zhàn)略支持，全球產(chǎn)能不斷向中國轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國投資建廠，20192021 年中國本土企業(yè)有望成為晶圓廠建設(shè)的主力，大陸半導(dǎo)體設(shè)備需求增長具備堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。圖表7： 中國大陸晶圓廠分布及建設(shè)規(guī)劃資料來源：SEMI 網(wǎng)站，華泰證券研究所受益于晶圓廠建設(shè)快速推進(jìn)，2020 年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有

21、望躍居全球之首。20082018 年，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的地區(qū)分布不斷變化。2016 年中國臺灣以 122 億美元市場規(guī)模位居榜首，2018 年韓國則以 177 億美元設(shè)備銷售躍居第一，中國大陸、中國臺灣分別以 131、102 億美元緊隨其后。據(jù) SEMI 預(yù)計(jì)，20192020 年韓國、中國大陸、中國臺灣將分列世界前三大設(shè)備市場，2020 年中國大陸有望升至全球最大設(shè)備市場。值得關(guān)注的是，作為全球半導(dǎo)體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域之一，中國大陸市場的全球比重總體呈顯著上升趨勢，由 2005 年的 4%提高到 2018 年的 20%，據(jù) SEMI 預(yù)測，2019、 2020 年中國市場的全球占

22、比有望大幅提升到 22%、25%。圖表8： 20052020 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的地區(qū)分布及預(yù)測中國大陸韓國日本北美歐洲中國臺灣其他地區(qū)100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019E 2020E資料來源：SEMI，華泰證券研究所本土晶圓廠先進(jìn)制程的產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)逐步成熟，為國產(chǎn)設(shè)備提供了更好的驗(yàn)證試用平臺和進(jìn)口替代機(jī)會。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗(yàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半

23、導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品，因此海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)的技術(shù)發(fā)展歷程均離不開全球一流晶圓廠緊密配合， 合作開發(fā)、技術(shù)協(xié)同和產(chǎn)品驗(yàn)證至關(guān)重要。目前，以中芯國際、長江存儲、合肥長鑫為代 表的本土半導(dǎo)體制造企業(yè)正分別在邏輯電路芯片、3D NAND 存儲芯片、DRAM 存儲芯片領(lǐng)域布局先進(jìn)制程產(chǎn)能，是中國半導(dǎo)體制程工藝技術(shù)走在最前沿的企業(yè)。中芯國際 28nm 制程的發(fā)展成熟已經(jīng)為本土企業(yè)帶來了可觀的驗(yàn)證機(jī)會，據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會數(shù) 據(jù)，2019 上半年國產(chǎn)設(shè)備在集成電路生產(chǎn)線設(shè)備市場占比達(dá)到 10%左右。我們認(rèn)為，隨著中芯國際、長江存儲、合肥長鑫等企業(yè)在工藝技術(shù)上的進(jìn)一步發(fā)展將為

24、國產(chǎn)設(shè)備帶來更 前沿的驗(yàn)證機(jī)會和更廣闊的進(jìn)口替代市場，國產(chǎn)設(shè)備份額上升潛力較大。圖表9： 全球主流晶圓廠的技術(shù)迭代進(jìn)程資料來源：SEMI 網(wǎng)站，華泰證券研究所受益于全球半導(dǎo)體設(shè)備需求復(fù)蘇和中國本土晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張、技術(shù)進(jìn)步所帶來的進(jìn)口替代機(jī)遇，我們認(rèn)為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)正在處于向上的拐點(diǎn)期，2019 下半年到 2020 上半年本土企業(yè)有望陸續(xù)開始顯現(xiàn)回升態(tài)勢。2019 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度下行對國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)也產(chǎn)生了一定影響，根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會對國內(nèi) 42 家半導(dǎo)體設(shè)備制造商的統(tǒng)計(jì)，2019 上半年中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入同比增長 12.2，增速有所減緩。從單季度收入角度來看，國內(nèi)晶

25、圓加工設(shè)備、測試設(shè)備代表企業(yè)北方華創(chuàng)、長川科技2019Q1、Q2 收入增速也出現(xiàn)了放緩，但 2019Q3 兩家企業(yè)單季收入增速明顯回升，分別達(dá) 53%、79%，且增速遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過海外龍頭應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體同期增速（分別為-14%、-7%）。圖表10： 中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及增速億元1401201008060402002013201420152016201720182019H160%國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額YOY50%40%30%20%10%0%資料來源：中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會，華泰證券研究所圖表11： 北方華創(chuàng)、長川科技單季度收入及增速元北方華創(chuàng) YOY：北方華創(chuàng)長川科技 YOY：長川科技億1

26、4200%12150%10100%850%640%2-50%2017-3-312017-6-302017-9-302017-12-312018-3-312018-6-302018-9-302018-12-312019-3-312019-6-302019-9-300-100%資料來源：Wind，華泰證券研究所基于上述討論，我們認(rèn)為中國半導(dǎo)體設(shè)備市場及本土企業(yè)的向上拐點(diǎn)或已到來，且成長韌性強(qiáng)于全球，2020 年有望實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先于海外的更快增長。據(jù)SEMI 預(yù)測，在經(jīng)歷了20162018年的高速增長后，2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)?；蛎媾R收縮，為 527 億美元/yoy-18%，2020 年有望受益

27、于存儲器資本支出增長和中國大陸新項(xiàng)目推動，回升至 588 億美元/yoy+12%。相比于全球市場，20052018 年中的多數(shù)年份中國市場實(shí)現(xiàn)了更快增長，SEMI預(yù)計(jì) 2019 年中國大陸市場回調(diào)至 117 億美元/yoy-11%，下滑幅度小于全球市場，2020年達(dá) 145 億美元/yoy+24%，增速明顯高于全球市場。圖表12： 20052020 年全球、中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模及預(yù)測(億元)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額：中國大陸 YOY：全球 YOY：中國大陸7006005004003002001000(%)350300250200150100500(50)(100)2005 20

28、06 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019E 2020E資料來源：SEMI，華泰證券研究所國內(nèi)設(shè)備產(chǎn)業(yè)體系形成，優(yōu)勢企業(yè)初步具備進(jìn)口替代能力設(shè)備制造業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，是完成晶圓制造、封裝測試環(huán)節(jié)和實(shí)現(xiàn)集成電路技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵。所需專用設(shè)備主要包括晶圓制造環(huán)節(jié)所需的光刻機(jī)、化學(xué)/物理汽相沉積（CVD/PVD）設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、工藝檢測設(shè)備等；封裝環(huán)節(jié)所需的切割減薄設(shè)備、度量缺陷檢測設(shè)備、鍵合封裝設(shè)備等；測試環(huán)節(jié)所需的測試機(jī)、分選機(jī)、探針臺等； 以及其他前端工序所需的擴(kuò)散、氧化及清洗設(shè)備等。這些設(shè)

29、備的制造需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造難度大、設(shè)備價值及研發(fā)投入高等特點(diǎn)。得益于國內(nèi)需求、政策支持、資本、人才儲備，中國半導(dǎo)體制造具備突破的基礎(chǔ)。中國 IC 產(chǎn)業(yè)處于“前有追趕目標(biāo)，后無潛在對手”的國際格局中，“全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場”的地位是中國“后發(fā)優(yōu)勢”的重要基礎(chǔ)之一。疊加國家戰(zhàn)略、資本實(shí)力、全球研發(fā)人才的儲備，推動硅材料、設(shè)計(jì)、制造、封裝測試及裝備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化突破的基礎(chǔ)堅(jiān)實(shí)而穩(wěn)固。目前中國本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)中已涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀企業(yè)，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備逐漸呈現(xiàn)譜系化發(fā)展，其中在細(xì)分領(lǐng)域走在國內(nèi)前列的企業(yè)包括：北方華創(chuàng)（刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備等）、中微公司（

30、刻蝕設(shè)備）、長川科技（測試設(shè)備）、晶盛機(jī)電（硅片生長、加工設(shè)備）、上海微電子（光刻設(shè)備）、沈陽拓荊（薄膜沉積設(shè)備）、中科儀（真空獲得設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備）、盛美半導(dǎo)體（清洗設(shè)備）、華海清科（CMP 設(shè)備）、南京晶升能源（硅片生長設(shè)備）等。圖表13： 中國半導(dǎo)體設(shè)備代表企業(yè)的產(chǎn)品布局公司硅片制造晶圓制造測試長晶爐磨切拋設(shè)備熱處理設(shè)備光刻機(jī)刻蝕機(jī)薄膜沉積設(shè)備離子注入機(jī)工藝檢測CMP設(shè)備清洗設(shè)備測試機(jī)分選機(jī)探針臺8/12寸-CCPICPCVDPVD-數(shù)字模擬數(shù)模混合-A股上市北方華創(chuàng)A股上市中微公司未上市上海微電子未上市沈陽拓荊新三板上市中科儀未上市華海清科美股上市盛美半導(dǎo)體A股上市長川科技申報科創(chuàng)板

31、華峰測控A股上市晶盛機(jī)電未上市南京晶升能源資料來源：SEMI，華泰證券研究所本土設(shè)備企業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，最“壞”的時代亦是最好的時代。我們認(rèn)為總體上國產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)業(yè)必然受益，但產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的差異會很大。國產(chǎn)化須符合最樸素商業(yè)邏輯，即技術(shù)或配套實(shí)力優(yōu)于進(jìn)口，這樣才會有持續(xù)需求，光靠補(bǔ)貼和支持難以誕生優(yōu)質(zhì)企業(yè)。因此，本土設(shè)備企業(yè)也面臨最“壞”的時代，因?yàn)槲ㄓ屑夹g(shù)準(zhǔn)備充分的企業(yè)才能勝出。但我們認(rèn)為，在芯片需求持續(xù)上升、國產(chǎn)化投資加快、國家戰(zhàn)略支持的大背景下，中國大陸本土半導(dǎo)體制造企業(yè)的崛起有望帶動一批本土優(yōu)秀企業(yè)共同成長，國產(chǎn)設(shè)備有望借助大陸晶圓產(chǎn)線的密集投資而實(shí)現(xiàn)滲透率提升，迎來最好的時代。中微公司：

32、CCP 刻蝕機(jī)優(yōu)勢持續(xù)強(qiáng)化，ICP 刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破中微公司專注于集成電路、LED 關(guān)鍵制造設(shè)備，核心產(chǎn)品包括：1）用于 IC 集成電路領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備（CCP、ICP）、深硅刻蝕設(shè)備（TSV）；2）用于 LED 芯片領(lǐng)域的 MOCVD 設(shè)備。等離子體刻蝕設(shè)備包括電容性等離子體刻蝕設(shè)備（ CCP, CapacitivelyCoupled Plasma）和電感性等離子體刻蝕設(shè)備（ICP, Inductively Coupled Plasma）。電容性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料。電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料

33、。MOCVD 即金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（Metal-organic Chemical Vapor Deposition），MOCVD 設(shè)備是 LED 芯片生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵設(shè)備。目前公司等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝，截至 2018年末中微公司累計(jì)已有 1,100 多個反應(yīng)臺服務(wù)于國內(nèi)外 40 余條先進(jìn)芯片生產(chǎn)線。（資料來源：公司招股說明書）圖表14： 中微公司半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品一覽資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所據(jù)公司招股說明書，自成立以來公司專注于開發(fā)加工微觀器件的大型真空工藝設(shè)備，包括

34、等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備：CCP：公司從 2004 年建立起首先著手開發(fā)甚高頻去耦合的 CCP 刻蝕設(shè)備 PrimoD-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應(yīng)臺 Primo D-RIE，雙反應(yīng)臺 Primo AD-RIE 和單反應(yīng)臺的 Primo AD-RIE 三代刻蝕機(jī)產(chǎn)品，涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米到 5 納米關(guān)鍵尺寸的眾多刻蝕應(yīng)用。ICP：公司從 2012 年開始開發(fā) ICP 刻蝕設(shè)備，到目前為止已成功開發(fā)出單反應(yīng)臺的Primo nanova 刻蝕設(shè)備，同時著手開發(fā)雙反應(yīng)臺 ICP 刻蝕設(shè)備。公司的 ICP 刻蝕設(shè)備主要是涵

35、蓋 14 納米、7 納米到 5 納米關(guān)鍵尺寸的刻蝕應(yīng)用。TSV：公司還順應(yīng)集成電路先進(jìn)封裝和 MEMS 傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，成功開發(fā)了電感性深硅刻蝕設(shè)備。MOCVD：薄膜沉積設(shè)備方面，2010 年中微公司開始開發(fā)用于 LED 器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備MOCVD 設(shè)備。公司已開發(fā)了三代 MOCVD 設(shè)備，該設(shè)備是一種高端薄膜沉積設(shè)備，主要用于藍(lán)綠光 LED 和功率器件等生產(chǎn)加工，包括第一代設(shè)備 Prismo D-Blue、第二代設(shè)備 Prismo A7 及第三代更大尺寸設(shè)備。圖表15： 中微公司設(shè)立以來主要產(chǎn)品的演變情況資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所公司的刻蝕設(shè)備技術(shù)處于世界先進(jìn)水

36、平，符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢。在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)， 公司開發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國際知名客戶最先進(jìn)的生產(chǎn)線上并用于7 納米器件中若干關(guān)鍵步驟的加工；同時，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求優(yōu)化 5 納米及更先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和工藝。在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備技術(shù)可應(yīng)用于64 層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器件客戶的需求正在開發(fā)極高深寬的刻蝕設(shè)備和工藝； 公司也根據(jù)邏輯器件客戶的需求，正在開發(fā)更先進(jìn)的大馬士革等刻蝕應(yīng)用的設(shè)備。由于公司開發(fā)出與美國設(shè)備公司具有同等質(zhì)量和相當(dāng)數(shù)量的等離子體刻蝕設(shè)備并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，美國商務(wù)部在 2015 年宣布解除了對我國等離子體刻蝕設(shè)備多年的出口管

37、制。（資料來源：公司招股說明書）據(jù)公司 2019 中報，2019 年以來，公司 CCP 刻蝕機(jī)優(yōu)勢持續(xù)強(qiáng)化，ICP 刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破。CCP 刻蝕設(shè)備：保持競爭優(yōu)勢，批量應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶的集成電路加工制造，2019年公司已成功取得 5 納米邏輯電路、64 層 3D NAND 制造廠的訂單。在驗(yàn)證順利的情況下，公司將緊跟客戶的生產(chǎn)計(jì)劃、量產(chǎn)需求有序制定生產(chǎn)計(jì)劃。ICP 刻蝕設(shè)備：公司繼續(xù)開拓 ICP 設(shè)備業(yè)務(wù)，已在某先進(jìn)客戶驗(yàn)證成功并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)， 并有設(shè)備在其他數(shù)家客戶的生產(chǎn)線上驗(yàn)證。公司積極推進(jìn)客戶驗(yàn)證，并計(jì)劃開展新的客戶驗(yàn)證，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性和市場競爭力。圖表16： 公司電容性

38、等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）核心技術(shù)資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所圖表17： 公司電感性等離子體刻蝕設(shè)備（ICP）核心技術(shù)資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所刻蝕設(shè)備行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕機(jī)市場份額半壁江山。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步帶來器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導(dǎo)體利用其較低的設(shè)備成本和相對簡單的設(shè)計(jì)，逐漸在 65nm、45nm 設(shè)備市場超過 TEL 等企業(yè)，占據(jù)了全球大半個市場，成為行業(yè)龍頭。根據(jù) The Information Network 的數(shù)據(jù)顯示，泛林半導(dǎo)體在刻蝕設(shè)備行業(yè)的市占率自 2012 年起逐步提高，從 2012 年的約

39、45%提升至 2017 年的約55%，主要替代了東京電子的市場份額，東京電子的市場份額從 2012 年的 30%降至 2017 年的 20%，但仍然保持第二的位置。應(yīng)用材料始終位于第三，2017 年約占 19%的市場份額。前三大公司在 2017 年占據(jù)總市場份額的 94%，行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘明顯。圖表18： 2017 年全球刻蝕設(shè)備市場份額分布情況應(yīng)用材料19%其他6%泛林半導(dǎo)體東京電子20%55%資料來源：The Information Network，華泰證券研究所我們認(rèn)為，中國國產(chǎn) CCP 刻蝕機(jī)有望對應(yīng)用材料、東京電子等海外龍頭的同類產(chǎn)品逐步實(shí)現(xiàn)替代。中微公司的刻蝕設(shè)備雖然在銷售規(guī)

40、模上離全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭尚有一定差距， 但其部分技術(shù)水平已達(dá)到國際同類產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)，并已應(yīng)用于全球最先進(jìn)的 7 納米和 5 納米生產(chǎn)線。據(jù)公司招股說明書，20172018 年兩家國內(nèi)知名存儲芯片制造企業(yè)采購的刻蝕設(shè)備臺數(shù)訂單份額中公司分別占比達(dá) 15%、17%。公司自主研發(fā)的刻蝕設(shè)備正逐步打破國際領(lǐng)先企業(yè)在國內(nèi)市場的壟斷，已被海內(nèi)外主流集成電路廠商接受。圖表19： 國內(nèi)知名存儲芯片制造企業(yè) A 近期刻蝕設(shè)備份額（臺數(shù)占比）圖表20： 國內(nèi)知名存儲芯片制造企業(yè) B 近期刻蝕設(shè)備份額（臺數(shù)占比）東京電子13%應(yīng)用材料其他11%8%應(yīng)用材料其他24%2%中微公司15%泛林半導(dǎo)體53%東京電子38%泛林

41、半導(dǎo)體19%中微公司17%資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所；注：招股說明書未披露企業(yè)名稱，此處與招股說明書原資料保持一致；統(tǒng)計(jì)時間范圍為 20172018 年資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所；注：招股說明書未披露企業(yè)名稱，此處與招股說明書原資料保持一致；統(tǒng)計(jì)時間范圍為 20172018 年公司技術(shù)儲備和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)深厚，是中長期競爭力的必要保障。公司擁有多項(xiàng)自主知識產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù)，截至 2019 年 6 月 30 日，公司已申請 1,280 項(xiàng)專利，其中申請發(fā)明專利 1,118項(xiàng)；已獲授權(quán)專利 961 項(xiàng)，其中授權(quán)發(fā)明專利 814 項(xiàng)。公司先后承擔(dān)了五個國家科技發(fā)展重大專項(xiàng)

42、研發(fā)項(xiàng)目，是執(zhí)行國家科技發(fā)展重大專項(xiàng)的標(biāo)桿單位。公司已順利完成四個等離子體刻蝕機(jī)的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，目前正在執(zhí)行的第五個研發(fā)項(xiàng)目已提前兩年達(dá)到預(yù)定技術(shù)指標(biāo)。（資料來源：公司招股說明書）圖表21： 公司電容性等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）主要研發(fā)項(xiàng)目序號名稱擬達(dá)到的主要目標(biāo)階段及進(jìn)展情況應(yīng)用技術(shù)水平比較14-7 納米 CCP 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化用于先進(jìn)邏輯電路的 CCP下電極和晶圓周邊結(jié)構(gòu)和性能改進(jìn)、開發(fā)減少金屬污染和顆粒物產(chǎn)生的新材料和新表面處理方法，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的要求開發(fā)腔體和氣體傳輸系統(tǒng)采用新型的防腐蝕涂層材料；國際先進(jìn)水平14-7 納米集成電路的多膜層結(jié)構(gòu)刻蝕、前端接

43、觸孔、有機(jī)掩模層刻蝕等刻蝕開發(fā)階段實(shí)現(xiàn)等離子體密度分布的可調(diào) 節(jié)，滿足均勻性、 研究階段7 納米以下邏輯電國際先進(jìn)水平刻蝕設(shè)備減少金屬污染和顆粒物的要求路刻蝕3用于存儲器刻蝕的 CCP 刻蝕設(shè)備設(shè)計(jì)開發(fā)超低頻和超大功率的射頻等離子系統(tǒng)及對應(yīng)的靜電吸 盤、多區(qū)控溫性能的上電極、溫度可調(diào)節(jié)的邊緣環(huán)系統(tǒng)等，滿足超高深寬比的刻蝕需求研究階段3D層NAND，128追趕國際先進(jìn)水平4刻蝕設(shè)備的進(jìn)一步改進(jìn)集成電路刻蝕設(shè)備的工藝改進(jìn)， 電極和晶圓周邊結(jié)構(gòu)和性能的改進(jìn)、優(yōu)化上電極的設(shè)計(jì)等，滿足穩(wěn)定生產(chǎn)的需求研究階段頂層金屬接觸孔、金屬溝槽等的刻蝕國際先進(jìn)水平資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所圖表22：

44、 公司電感性等離子體刻蝕設(shè)備（ICP）主要研發(fā)項(xiàng)目序號名稱擬達(dá)到的主要目標(biāo)階段及進(jìn)展情況應(yīng)用技術(shù)水平比較114-7 納 米 ICP研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化介質(zhì)刻蝕機(jī)涉及開發(fā)射頻能量饋入電感式耦合線圈、雙控細(xì)分多區(qū)動態(tài)靜電吸盤、先進(jìn)的射頻匹配技術(shù)及動態(tài)、分區(qū)域的反應(yīng)氣體注入系統(tǒng)等開發(fā)階段14-7 納米集成電路的刻蝕，如雙重/四重圖形、模板刻蝕、邊墻刻蝕、減薄刻蝕等國際先進(jìn)水平2高端 MEMS 等離子體刻蝕設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化開發(fā)提高氣體解離率和等離子體的均勻性的裝置；設(shè)計(jì)開發(fā)脈沖射頻發(fā)生器；開發(fā)靜電吸附卡盤邊緣保護(hù)裝置和聚焦環(huán)等開發(fā)階段先進(jìn) MEMS 芯片國際先進(jìn)水平資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所

45、北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體設(shè)備布局漸趨完備，打造“平臺型”產(chǎn)品體系北方華創(chuàng)是國內(nèi)目前產(chǎn)品品類覆蓋最廣的半導(dǎo)體設(shè)備“平臺型”企業(yè)。北方華創(chuàng)擁有半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件四個事業(yè)群，為半導(dǎo)體、新能源、新材料等領(lǐng)域提供全方位解決方案。公司現(xiàn)擁有四大產(chǎn)業(yè)制造基地，營銷服務(wù)體系覆蓋歐、美、亞等主要國家或地區(qū)。北方華創(chuàng)建立了豐富而有競爭力的產(chǎn)品體系，半導(dǎo)體裝備包括刻蝕機(jī)、PVD、CVD、氧化/擴(kuò)散爐、清洗機(jī)及氣體質(zhì)量流量控制器等品類。據(jù)公司 2018 年報， 半導(dǎo)體設(shè)備在集成電路領(lǐng)域形成了 28 納米設(shè)備供貨能力，14 納米工藝設(shè)備處于客戶工藝驗(yàn)證階段。圖表23： 北方華創(chuàng)主要產(chǎn)品布局一覽資料

46、來源：北方華創(chuàng)公告，華泰證券研究所據(jù)公司 2019 中報，2019 年公司刻蝕機(jī)、PVD、CVD、立式爐、清洗機(jī)等半導(dǎo)體工藝設(shè)備陸續(xù)批量進(jìn)入國內(nèi) 8 寸和 12 寸集成電路存儲芯片、邏輯芯片及特色芯片生產(chǎn)線，部分產(chǎn)品進(jìn)入國際一流芯片產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。由公司自主研發(fā)的14nm 等離子硅刻蝕機(jī)、單片退火系統(tǒng)、LPCVD 已成功進(jìn)入集成電路主流代工廠；28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD 設(shè)備已率先進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系；12 英寸清洗機(jī)累計(jì)流片量已突破 60 萬片大關(guān)；深硅刻蝕設(shè)備也已進(jìn)入東南亞市場。圖表24： 北方華創(chuàng)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域細(xì)分產(chǎn)品一覽資料來源：北方華創(chuàng)官網(wǎng)，華泰證券

47、研究所長川科技：探針臺、數(shù)字測試機(jī)新品蓄力，有望實(shí)現(xiàn)測試設(shè)備全品類布局長川科技目前主導(dǎo)產(chǎn)品為測試機(jī)、分選機(jī)和探針臺等，在國內(nèi)市場中產(chǎn)品鏈較為完整，產(chǎn)品可以覆蓋晶圓制造和封測兩大工序環(huán)節(jié)。同時受益于國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化需求上升，公司后續(xù)有望取得技術(shù)水平的提升，并有望進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋范圍。圖表25： 半導(dǎo)體測試流程及長川科技目前覆蓋的設(shè)備資料來源：半導(dǎo)體制造技術(shù)，華泰證券研究所公司成功研制了數(shù)字測試機(jī)和探針臺等較高技術(shù)含量的新產(chǎn)品。在數(shù)字測試機(jī)方面：據(jù)公司 2019 中報，公司目前已成功研制并開發(fā)了基于 200Mbps數(shù)字測試速率、1G 向量深度以及 128A 電流測試能力的數(shù)字測試機(jī)。在探

48、針臺方面：據(jù)公司 2019 中報，公司在集成電路分選系統(tǒng)的技術(shù)基礎(chǔ)上，已開發(fā)了我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的全自動超精密 12 寸晶圓探針臺（CP12），兼容 8/12 寸晶圓測試。長川科技的產(chǎn)品鏈完整度處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位。在成功研制數(shù)字測試機(jī)和探針臺后，公司產(chǎn)品覆蓋了測試機(jī)、探針臺和分選機(jī)三大塊主要測試設(shè)備，產(chǎn)品鏈完整度處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位。據(jù)各公司官網(wǎng)，國內(nèi)本土測試設(shè)備龍頭華峰測控的產(chǎn)品線僅覆蓋測試機(jī)，全球測試設(shè)備龍頭愛德萬和泰瑞達(dá)的主流產(chǎn)品為測試機(jī)，愛德萬還擁有部分分選機(jī)；科休的產(chǎn)品線涵蓋分選機(jī)和部分測試機(jī)，東京電子致力于探針臺產(chǎn)品。圖表26： 各主流測試設(shè)備公司產(chǎn)品情況一覽測試機(jī)模擬測試機(jī)數(shù)

49、字測試機(jī)數(shù)模混合測試機(jī)分選機(jī)探針臺華峰測控STS 8200 系列STS 6100（頻率在 100MHz 以下）STS 8250 系列STS 8300 系列長川科技CTT3280F 系列已開發(fā)基于 200Mbps 的數(shù)字測試機(jī)CTA8280 系列重力式（11 個系列）CP12CTT3600 系列CTA8290D 系列平移式（4 個系列）CTA8280F 系列自動化（3 個系列）愛德萬（Advantest）T6391 系列T7912 系列Memory 測試機(jī)（10 個系列）SSD 測試機(jī)（5 個系列）V93000 系列EVA100 系列M4841M4872T2000 系列M4171M6242泰瑞達(dá)

50、（Teradyne）ETS-共 4 個系列FLEXMagnum 低速 DRAM 測試機(jī)（5 個系列）UltraFlex-M 高速 DRAM 測試機(jī)UltraFLEXUltraFLEX plusMicro FLEXSaturn HDD 測試機(jī)J750Neptune SSD 測試機(jī)科休（Cohu）PAx 系列Diamondx 系列DELTA MATRiX東京電子（TokyoPrecio 系列Cellcia 系列Electron）WDF 系列資料來源：各公司官網(wǎng)，華泰證券研究所公司通過對長新投資 90%的股權(quán)收購，獲得新加坡 STI 公司 100%的控制權(quán)。據(jù) 2019-064 號公告，長川科技于

51、2019 年 8 月 1 日完成了長新投資 90%股權(quán)過戶，獲得實(shí)際標(biāo)的資產(chǎn)STI 100%的控制權(quán)。STI 是研發(fā)和生產(chǎn)為芯片以及晶圓提供光學(xué)檢測、分選、編帶等功能的集成電路封裝檢測設(shè)備商。STI 的主要產(chǎn)品有轉(zhuǎn)塔式測編一體機(jī)、平移式測編一體機(jī)、膜框架測編一體機(jī)和晶圓光學(xué)檢測機(jī)。STI 產(chǎn)品的下游客戶包括德州儀器、美光、意法半導(dǎo)體、三星等大型半導(dǎo)體生產(chǎn)公司及日月光、安靠技術(shù)等世界一流的半導(dǎo)體封裝和測試外包服務(wù)商，具備領(lǐng)先的客戶優(yōu)勢。（資料來源：長川科技發(fā)行股份購買資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易報告書）STI 的 AOI 核心技術(shù)有望為公司探針臺及測試機(jī)的進(jìn)一步研發(fā)提供技術(shù)儲備，整合 STI 有望為公司擴(kuò)充產(chǎn)

52、品鏈及客戶群，發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)。長川科技與 STI 將利用雙方的資源優(yōu)勢、研發(fā)優(yōu)勢，進(jìn)一步優(yōu)化資源配置、提高資產(chǎn)利用效率，以提升整體盈利能力。圖表27： STI 主要產(chǎn)品一覽資料來源：STI 官網(wǎng)，華泰證券研究所2019 年公司繼續(xù)加大對新產(chǎn)品投入，為數(shù)字測試機(jī)、探針臺、MEMS 分選機(jī)&測試機(jī)等新品的推廣做技術(shù)研發(fā)儲備。公司重點(diǎn)研發(fā)高速數(shù)字系統(tǒng)信號傳輸、阻抗匹配、同步及延時控制、多工位測試、研究壓力、溫度及 MEMS 集成電路等信號測試技術(shù)，為數(shù)字測試機(jī)和 MEMS 測試機(jī)等新產(chǎn)品的推出做準(zhǔn)備。加強(qiáng)在微米級平移定位及輸送技術(shù)、高功率頂升技術(shù)、針卡自動加載技術(shù)、超精密多目多級視覺定位技術(shù)、多關(guān)節(jié)晶

53、圓機(jī)器人技術(shù)、多運(yùn)動元合成控制技術(shù)、外場施加技術(shù)等諸多關(guān)鍵技術(shù)方面做技術(shù)研究，為探針臺和MEMS 分選機(jī)的研發(fā)、生產(chǎn)做儲備。我們認(rèn)為，公司將有望持續(xù)完善產(chǎn)品鏈，進(jìn)一步強(qiáng)化中高端市場的占有率，增加測試產(chǎn)品大類，提升盈利能力。晶盛機(jī)電：半導(dǎo)體單晶爐批量化銷售，向硅片后道加工設(shè)備不斷延展晶盛機(jī)電是國內(nèi)領(lǐng)先的晶體生長、加工裝備研發(fā)制造和藍(lán)寶石材料生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司主營產(chǎn)品為全自動單晶爐、多晶鑄錠爐等，應(yīng)用于太陽能光伏、集成電路、LED 等新興產(chǎn)業(yè)。公司較早掌握了國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體硅材料生長的裝備技術(shù)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了812 英寸大硅片制造用晶體生長及加工的核心裝備國產(chǎn)化。公司產(chǎn)品覆蓋晶體生長、切

54、磨拋和監(jiān)測等各個環(huán)節(jié)，已逐步從單一的設(shè)備制造商轉(zhuǎn)型成了立足于“新材料、新裝備” 的國際領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商和高端晶體材料生產(chǎn)商。圖表28： 晶盛機(jī)電主要產(chǎn)品布局一覽資料來源：公司官網(wǎng)，華泰證券研究所目前公司已形成以單晶爐、區(qū)熔爐為核心，后道智能加工設(shè)備為重要配套的半導(dǎo)體硅片設(shè)備產(chǎn)品體系，成為實(shí)現(xiàn) 8、12 英寸硅片制造設(shè)備國產(chǎn)化的領(lǐng)軍企業(yè)：前道晶體生長設(shè)備（單晶爐）：據(jù)公司公告（編號 2019-005），公司承擔(dān)的國家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”項(xiàng)目的“300mm 硅單晶直拉生長裝備的開發(fā)”和“8 英寸區(qū)熔硅單晶爐國產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)課題，已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，8、12寸半導(dǎo)體單晶

55、爐已獲得中環(huán)股份、金瑞泓、合晶等國內(nèi)半導(dǎo)體硅片企業(yè)訂單，并陸續(xù)交付；后道加工設(shè)備（磨切拋設(shè)備等）：目前公司已成功開發(fā)了半導(dǎo)體單晶硅滾圓機(jī)、單晶硅截斷機(jī)、全自動硅片拋光機(jī)、雙面研磨機(jī)等新產(chǎn)品，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不斷豐富，建立硅片加工設(shè)備領(lǐng)域的國產(chǎn)化優(yōu)勢；其他產(chǎn)業(yè)配套布局：同時公司在半導(dǎo)體關(guān)鍵輔材、耗材及半導(dǎo)體精密部件領(lǐng)域（半導(dǎo)體級石英坩堝、拋光液、閥門、磁流體部件等）的拓展也在穩(wěn)步推進(jìn)。2017 年公司實(shí)施重大項(xiàng)目投資，攜手下游龍頭公司中環(huán)股份戰(zhàn)略布局下游半導(dǎo)體硅片制造。據(jù)公司 2017 年年報，2017 年公司出資 5 億元參股中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司，占注冊資本的比例為 10%。該項(xiàng)目由中環(huán)股份、無

56、錫市產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)與公司共同投資，計(jì)劃投資 30 億美元。公司投資中環(huán)領(lǐng)先符合公司“新材料、新裝備”戰(zhàn)略規(guī)劃，通過協(xié)同合作企業(yè)建設(shè)國際先進(jìn)的大硅片研發(fā)和生產(chǎn)基地，有望形成更深遠(yuǎn)的產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化公司在半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的核心競爭力。圖表29： 晶盛機(jī)電半導(dǎo)體領(lǐng)域新產(chǎn)品一覽資料來源：晶盛機(jī)電公司公告，華泰證券研究所國產(chǎn)設(shè)備崛起還面臨哪些問題？研發(fā)投入、稅收壓力、激勵機(jī)制半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)屬于典型技術(shù)密集型行業(yè)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)對企業(yè)發(fā)展至關(guān)重要，研發(fā)投入是企業(yè)成長的核心驅(qū)動力。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展、產(chǎn)品復(fù)雜程度與日俱增，生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的制造設(shè)備需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造

57、難度大及研發(fā)投入高等特點(diǎn)。本土企業(yè)的研發(fā)投入占比超過海外龍頭，但在投入規(guī)模上與海外龍頭仍存在很大差距。本土企業(yè)作為后進(jìn)者，在技術(shù)追趕過程中需要的研發(fā)投入相比收入體量來說很高，2018 年北方華創(chuàng)、中微公司、長川科技研發(fā)支出的收入占比分別為 26%、25%、29%，明顯高于同期應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、泰瑞達(dá) 12%、11%、14%。但另一方面，目前和海外龍頭研發(fā)投入的絕對值來看，本土企業(yè)的研發(fā)投入還很不足，2018 年應(yīng)用材料研發(fā)支出達(dá)北方華創(chuàng)的 16 倍，泛林半導(dǎo)體研發(fā)支出達(dá)中微公司的 19 倍，泰瑞達(dá)研發(fā)支出達(dá)長川科技的34 倍。圖表30： 國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備代表公司的研發(fā)支出/營業(yè)收入對比60

58、%北方華創(chuàng)中微公司長川科技應(yīng)用材料（美國）泛林半導(dǎo)體（美國）泰瑞達(dá)（美國）50%40%30%20%10%0%201620172018資料來源：Wind，華泰證券研究所圖表31： 國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備代表公司的研發(fā)支出對比(億元人民幣)北方華創(chuàng)中微公司長川科技應(yīng)用材料（美國）泛林半導(dǎo)體（美國）泰瑞達(dá)（美國）16014012010080604020020142015201620172018資料來源：Wind，華泰證券研究所較高的研發(fā)支出占比導(dǎo)致本土企業(yè)利潤波動相對較大。由于半導(dǎo)體設(shè)備驗(yàn)證周期長，企業(yè)的研發(fā)成果轉(zhuǎn)化為新產(chǎn)品訂單及收入存在一定時滯，因此對于尚處于發(fā)展初期的本土設(shè)備企業(yè)而言，較高的研發(fā)投入可

59、能導(dǎo)致企業(yè)利潤波動較大，在行業(yè)復(fù)蘇階段利潤端的改善或滯后于收入端。國內(nèi)近年已出臺集成電路產(chǎn)業(yè)稅收減免政策，主要針對獲利初期的企業(yè)及項(xiàng)目。財政部先后于 2008、2012、2018 年出臺稅收政策減免集成電路生產(chǎn)企業(yè)所得稅，對 2018 年以后投資新設(shè)企業(yè)或項(xiàng)目：1）線寬130nm 且經(jīng)營期在 10 年以上的，第 12 年免征企業(yè)所得稅，第 35 年減半征收企業(yè)所得稅；2）線寬150 億元，且經(jīng)營期在 15 年以上的，第 15 年免征企業(yè)所得稅，第 610 年減半征收企業(yè)所得稅。2015 年財政部等四部委針對集成電路封測企業(yè)、關(guān)鍵材料和設(shè)備企業(yè)出臺稅收優(yōu)惠政策，自獲利年度起第 12 年免征企業(yè)所

60、得稅，第 35 年減半征收企業(yè)所得稅。圖表32： 集成電路生產(chǎn)企業(yè)稅收優(yōu)惠政策梳理年份文號文件名稱產(chǎn)線要求A配套減稅政策A產(chǎn)線要求B配套減稅政策B獲利起始年份其他要求2018財稅201827號關(guān)于集成電路生產(chǎn)企線寬130nm兩免三減半線寬150上，五免五減半惠；項(xiàng)目按照收入年實(shí)的企業(yè)或項(xiàng)目策問題的通知億行優(yōu)惠2012財稅201227號關(guān)于進(jìn)一步鼓勵軟件線寬800nm兩免三減半線寬80億上，五免五減半；年度起計(jì)算優(yōu)惠期，發(fā)展元經(jīng)營期在15年以并享受至期滿為止企業(yè)所得稅政策的通下，減按15%征稅知2008財稅20081號財政部、國家稅務(wù)總線寬800nm兩免三減半線寬80億上，五免五減半；干優(yōu)惠政策