12-kinetis重要參考sd fsl k60分章閱讀中文

1、第 28 章 Flash器模塊28.1 介紹FTFL 模塊包括以下可的用于中斷向量空間和代碼器區(qū)域：的程序 flash 區(qū)域對于帶有 FlexNVM 的設備：用于數(shù)據(jù)對于帶有 FlexNVM 的設備：用于高FlexNVM和附加代碼的 FlexNVM度的數(shù)據(jù)或者傳統(tǒng) RAM 的對于只有程序 flash 的設備：用來加速 flash 編程的編程加速 RAMflash重編程操作。器用于單電源的程序，提供現(xiàn)場擦寫和無需任何額外高電壓源的FTFL 包含了一個能夠執(zhí)行命令來更改 flash 內(nèi)容的控制器。擦除位為 1，寫入位為 0，一個編程的比特為 0。編程操作是非直接的；它只能把比特數(shù)據(jù)從 1狀態(tài)（已擦

2、除狀態(tài)）更改到0狀態(tài)（已編程狀態(tài)）。只有擦除操作能把比特位從0變到到1；編程操作不能把比特位從0變到到1。警告一個 flash器地址空間在被編程前必須處于已擦除狀態(tài)。在一個 flash 存儲器地址空間內(nèi)累積的比特位編程（沒有擦除操作的背對背編程操作）是不允許的。因為要加重設備負擔，重編程已有的 0 到 0 是不允許的。對于 flash器標準的更改情況是在安全功能關閉的情況下的已擦除狀態(tài)。因為已擦除狀態(tài)（1）或者已編程狀態(tài)（0）的，可能發(fā)生隨時間流逝而丟失數(shù)據(jù)。因此，每個 flash 塊或者扇區(qū)在工廠編程之前被立即重擦除以確保得到完整的數(shù)據(jù)保存能力。28.1.1 特點FTFL 模塊包含下列特征：

3、注意查看設備的配置詳情來了解在你的設備上可用的 flash 的精確數(shù)目28.1.1.1 程序 flash器特點扇區(qū)大小 2KB程序 flash 保護方案可以對已數(shù)據(jù)意外的編寫或者擦除。經(jīng)過驗證的，自動的，內(nèi)置的編程和擦除算法為了更快速的批量編程而使用段編程對于只包含程序 flash器的設備：當另一個邏輯程序塊時，可編程或者擦除另一個邏輯程序 flash 塊。對于包含 FlexNVM程或者擦除一個數(shù)據(jù) flash程序 Flash器的設備：當器或 FlexRAM。器時，可編28.1.1.2 FlexNVM器特點當 FlexNVM 是數(shù)據(jù) flash器的一部分時（設備包含 FlexNVM器）保護方案

4、對于已數(shù)據(jù)意外的編寫或擦除。包含驗證的，自動的，內(nèi)置的，編程和擦除算法為了更快速的批量編程而使用段編程當一個數(shù)據(jù) flash器時，可編程或者擦除另一個程序 flash。28.1.1.3 編程加速 RAM 特點對于只有程序 flash器的設備：用于支持段編程28.1.1.4 FlexRAM 特點對于包含 FlexNVM器的設備：器可以被用來作為傳統(tǒng)的 RAM 或者高度的 EEPROM空間高達 4Kbytes 的 FlexRAM 可用于 EEPROM 或者傳統(tǒng) RAM當被配置用作 EEPROM 時：保護方案對于已數(shù)據(jù)意外的編寫或擦除內(nèi)置硬件模擬方案使 EEPROM 有自動功能可編程EEPROM 數(shù)

5、據(jù)集大小和FlexNVM 分區(qū)代碼使EEPROM更加平衡支持 FlexRAM 一次對齊寫入 1,2 或 4 比特器性能當在程序或數(shù)據(jù) flashFlexRAM器內(nèi)編程或者擦除數(shù)據(jù)時可以當被配置為傳統(tǒng) RAM 時：當在程序或數(shù)據(jù)flash者寫入器內(nèi)編程或者擦除數(shù)據(jù)時可以對FlexRAM或28.1.15 其他 FTFL 模塊特點用于 flash器編程和擦除操作的高壓電源flash 命令完成中斷產(chǎn)生器（可選）。flash 內(nèi)容的 MCU 安全機制支持可以未28.1.2 結構圖FTFL 模塊的結構圖如下圖。圖28-1 FTFL 結構圖只有程序 Flash 的設備：圖 28-2 FTFL 結構圖28.1

6、.3 術語命令寫序列（d write sequence）一串 MCU 到 flashFCCOB寄存器的寫入，它啟動并且控制內(nèi)置在 FTFL 模塊的 Flash 算法的執(zhí)行。數(shù)據(jù) flash間，數(shù)據(jù) flash空間。器（Data flash memory）從 FlexNVM 分離出來的空器為用戶數(shù)據(jù)、啟動代碼和額外的代碼提供非易失數(shù)據(jù) flash 扇區(qū)（Data flash sector）數(shù)據(jù) flash 扇區(qū)是最小的可以被擦除的數(shù)據(jù) flash器部分。EEPROM用于一個內(nèi)置存檔系統(tǒng)，F(xiàn)TFL 模塊通過高效的提供一個高耐久，可按字節(jié)寫（編程和擦除）的 NVM 來模擬 EEPROM 的特性。EE

7、PROM 備份數(shù)據(jù)頭信息（EEPROM backup data header）EEPROM 備份數(shù)據(jù)頭信息由一個在 EEPROM 備份數(shù)據(jù)器內(nèi)的 32 比特的區(qū)域組成，該備份數(shù)據(jù)器包含了用于 EEPROM 歸檔系統(tǒng)的確定一個特定 EEPROM 備份 flash 扇區(qū)狀態(tài)的信息。EEPROM 備份數(shù)據(jù)（EEPROM backup data record）EEPROM 備份數(shù)據(jù)包含在 EEPROM 備份數(shù)據(jù)器內(nèi)的一個 2 比特的狀態(tài)域，一個 14 比特的地址域，和一個 16 比特數(shù)據(jù)域。如果狀態(tài)域表明是有效的，數(shù)據(jù)域被復制到 FlexRAM，其地址由地址域決定。器（ EEPROM backup d

8、ata memory） 由EEPROM 備份數(shù)據(jù)FlexNVM 塊分區(qū)而來的 EEPROM 備份數(shù)據(jù)器為 EEPROM 歸檔系統(tǒng)提供了非易失空間，代表了寫入到 FlexRAM 的數(shù)據(jù)要求最高的耐久度。EEPROM 備份數(shù)據(jù)段（EEPROM backup data sector）EEPROM 備份數(shù)據(jù)段包含了一個 EEPROM 備份數(shù)據(jù)頭和高達 255 個 EEPROM 備份數(shù)據(jù)案機制中使用。這些都在備耐久度（Endurance）一個 flash器位置可被擦除和重寫的次數(shù)。FCCOB（Flash Commond Object）一組用于傳遞命令、地址、數(shù)據(jù)以及相關指令到在 FTFL 模塊的控制器。

9、flash 塊（Flash block）一個帶有 FTFL 模塊，可以提供非易失的存儲空間。FlexMemory支持數(shù)據(jù) flash，EEPROM 和 FlexRAM 的 FTFL 配置。FlexNVM 塊（FlexNVM Block）FlexNVM 塊可以被配置為數(shù)據(jù) flash器，EEPROM 備份 flash器，或者是兩者的結合。FlexRAMFlexRAM 指這樣一個 RAM，它用于 FTFL 模塊，可以被配置用于EEPROM 數(shù)據(jù)或者普通 RAM。當被配置為 EEPROM 時，有效地往 FlexRAM寫入將產(chǎn)生一個于 EEPROM 備份數(shù)據(jù) flash、器內(nèi)的新的 EEPROM 備份

10、數(shù)據(jù)FTFL 模塊（FTFL Module）提供管理器加上所有 flash 塊?？刂坪?MCU 總線的接口 flashIFR在每個 flash 塊內(nèi)，從主器陣列分離的非易失性信息寄存器。NVM非易失性器。一種在斷電時已數(shù)據(jù)的器技術。該 flash 陣列是使用 NOR 類 flash器技術的一個 NVM。NVM 普通模式(NVM Normal Mode)一個 NVM 模式提供了到 FTFL 資源的基本的用戶。CPU 或者其他總線控制器通過寫入到 FTFL 模塊的 FCCOB寄存器組開始對 flash 編程和擦除操作（或者其他 FTFL 命令）。NVM 特殊模式(NVM spel Mode)一個能

11、額外的、對 FTFL 模塊內(nèi)資源進行片外的 NVM 模式。當 MCU 安全保護時，可用的 FTFL 命令集被縮減。使用該模式時，查看配置詳情獲得信息。片語(Phrase)有著對齊的片語的 64 比特數(shù)據(jù)有字節(jié)地址【2:0】=000長字(Longword)有著對齊的長字的 32 比特數(shù)據(jù)有字節(jié)地址【1:0】=00字(Word)有著對齊的字的 16 比特數(shù)據(jù)有字節(jié)地址【0】=0程序flash(Program flash)程序flash 為向量和代碼儲空間。程序 flash 扇區(qū)(Program flash Sector)可被擦除的程序 flash器（連續(xù)地址）的最小部分。有效期(Retention

12、)在讀出時沒有經(jīng)驗錯誤的數(shù)據(jù)被保存在 NVM 中提供非易失存的時間長度。因為已擦除狀態(tài)（1）和已編程狀態(tài)（0）受制于保持期限可能在最后一次擦除操作時到達（而不是編程時）。的影響，數(shù)據(jù)RWWRead-While-Write。在器資源進行命令操作的能力。段(section)編程緩沖（Section Program Buffer）通過編程段指令，一個器資源的同時對另一個用于大量數(shù)據(jù)的編程程序加速 FlexRAM 低地址部分。受保護狀態(tài)（Secure）一個傳遞給 FTFL 模塊的 MCU 狀態(tài)，對于該設備，這在限制的。配置細節(jié)中做了描述。在受保護狀態(tài)，和改變 NVM 內(nèi)容是受28.2 外部信號描述FT

13、FL 模塊沒有包含連接片外的信號。28.3器和寄存器這一節(jié)描述了 FTFL 模塊相關的器和寄存器。在 FTFL 模塊中未實現(xiàn)的內(nèi)存區(qū)域中數(shù)據(jù)是未定義的。在 FTFL 模塊中未實現(xiàn)或是保留內(nèi)存空間寫入數(shù)據(jù)（寄存器）的行為會被忽略。28.3.1 flash 配置字段描述程序 flash器包含一個 16 字節(jié)的 flash 配置字段，該字段了默認保護設置（在復位時被載入），限制 MCUFTFL 模塊的安全信息。28.3.2程序 flashIFR程序 flashIFR 是可以任意程（參看一次讀，一次編程，的非易失信息器，用戶不可擦除且受限編資源命令）。程序 flashIFR 的內(nèi)容總結在以下表格中并且

14、在隨后的圖中被描述。對于只包含程序 flash 的設備，程序 flashIFR 位于程序 flash 0器塊。28.3.2.1 一次編程字段在程序 flashIFR 中的一次編程字段提供了從程序 flash 主陣列分離的 64 字節(jié)用戶空間。因為沒有可用的程序 flashIFR 擦除機制，用戶可以編程該一次編程字段僅一次。該一次編程字段可以被任意次數(shù)。這段程序 flashIFR 可以通過使用一次讀和一次編程命令，以 4 字節(jié)命令）。28.3.3 數(shù)據(jù) flashIFR以下內(nèi)容僅應用于有 FlexNVM 的設備（參看一次讀命令和一次編程地址范圍大?。ㄗ止?jié)）位描述0 x00 0 xBB, 0 xB

15、E - 0 xBF192預留0 xC0 0 xFF64編程一次域Flash 配置域字節(jié)地址大小（字節(jié)）字段描述0 x0_0400 - 0 x0_4078后門比較。參照核對后門命令和使用后門MCU0 x0_0408-0 x0 040B4程序 FLASH 保護字節(jié)。參考程序 Flash 保護寄存器描述（FPROT0-3）。0 x0_040F1只有程序 Flash 的設備：預留有 FlexNVm 的設備：數(shù)據(jù) FLASH 保護字節(jié)。參照數(shù)據(jù) FLASH 保護寄存0 x0_040E1只有程序 Flash 的設備：預留有 FlexNVM 的設備：EEPROM 保護字節(jié)。參照 EEPROM 保護寄存器的描

16、述(FEPROT)。0 x0_040D1FLASH 非易失性選項字節(jié)。參照 Flash 選項寄存器的的描述（FOPT）。0 x0_040C1Flash 保護字節(jié)。參照 FLASH 保護寄存器的描述（FSEC）。數(shù)據(jù) flashIFR 是一個可以被flashIFR 的 256 字節(jié)的非易失信息擦除，但用戶只能對它受限編程，位于數(shù)據(jù)器（參看程序分區(qū)命令，擦除所有塊命令和資源命令）。數(shù)據(jù) flashIFR 的內(nèi)容被總結在以下的表格中，詳細的描述在隨后的圖中。28.3.3.1 EEPROM 數(shù)據(jù)集大小在數(shù)據(jù) flashIFR 內(nèi)的EEPROM 數(shù)據(jù)集大小提供了決定可用于每個EEPROM子系統(tǒng)的 Flx

17、eRMA 數(shù)量的信息。要編寫 EEESPLIT 和 EEESIZE 的值，參看程序分區(qū)命令。Table 28-1.EEPROM 數(shù)據(jù)集大小Table 28-2.EEPROM 數(shù)據(jù)集大小域描述FieldDescription7-6預留只讀，值為 05-4EEESPLITEEPROM 分割因子 決定 EEPROM 子系統(tǒng)的相對大小。00 =子系統(tǒng) A: EEESIZE*1/8, 子系統(tǒng) B: EEESIZE*7/8 01 =子系統(tǒng) A: EEESIZE*1/4, 子系統(tǒng) B: EEESIZE*3/4 10 =子系統(tǒng) A: EEESIZE*1/2, 子系統(tǒng) B: EEESIZE*1/2 11 =子系

18、統(tǒng) A: EEESIZE*1/2, 子系統(tǒng) B: EEESIZE*1/23-0EEESIZEEEPROM 大小 全部可用的 FlexRAM for EEPROM 使用編碼。注解:當 FlexNVM 分區(qū)代碼被設置為NO EEPROMEEESIZE 必須為 0（1111b） 0000 =0001 =0010 = 4,096 Bytes0011 = 2,048 Bytes0100 = 1,024 Bytes0101 = 512 Bytes0110 = 256 Bytes0111 = 128 Bytes1000 = 64 Bytes1001 = 32 Bytes1010 =1011 =1100 =1

19、101 =Data flash IFR: 0 x00FD7654321011EEESPLITEEESIZE= Unimplemented or地址范圍大?。ㄗ止?jié)）域描述0 x00 0 xFB, 0 xFE 0 xFF254預留0 xFD1EEPROM 數(shù)據(jù)集大小0 xFC1FlexNVM 分區(qū)代碼28.3.3.2 FlexNVM 分區(qū)代碼在數(shù)據(jù)flashIFR 內(nèi)的FlexNVM 分區(qū)代碼字節(jié)提供了一個可以區(qū)分怎樣在數(shù)據(jù) flash器和提供 EEPROM 功能的 EEPROM 備份器劃分 FlexNVM 塊的代碼。編寫 DEPART 的值，參看程序分區(qū)命令。表 28-3 FlexNVM Fle

20、xNVM 分區(qū)代碼Table 28-4.FlexNVM部分代碼描述28.3.4 寄存器描述 FTFL 模塊包含一組注意當一個命令正在運行（FS控制和狀態(tài)寄存器【CCIF】=0），寄存器寫入不被允許，除了 FCNFG和 FS。在初始的 CCIF 出現(xiàn)之前。該不得寫入規(guī)則在啟動復位過程中有所放松。在這個初始化過程中用戶可以寫任何寄存器。任何一個擦除掛起請求處于活FieldDescription7-4預留只讀.3-0DEPARTFlexNVM 分區(qū)代碼在 FlexNVM塊內(nèi)數(shù)據(jù) FLASH/EEPROM 備份分割的代碼。FlexNVm FlexNVM器內(nèi)不能用于數(shù)據(jù)分區(qū)的 flash 將被用于EEP

21、ROM。DEPART數(shù)據(jù) flash（KByte）EEPROM 備份（K000025600001預留預留0010預留預留0011224320100192640101128128011002560111預留預留100002561001預留預留1010預留預留1011322241100641921101128128111025601111預留預留動狀態(tài)（FCNFG【ERSP】=1），所有的寄存器寫入同樣被禁用（除了寄存器 FCNFG和 FS）。FTFL 內(nèi)存Absolute address (hex)Register nameWidth (in bits)AcsReset valueSection

22、/ Page4002_0000Flash 狀態(tài)寄存器 (FTFL_FS)8R/W00h28.34.4/6494002_0001Flash 配置寄存器 (FG)8R/W00h28.34.3/6504002_0002Flash 加密寄存器 (FTFL_FSEC)8R0Xh28.34.2/6524002_0003Flash 選項寄存器 (FTFL_FOPT)8R0Xh28.34.1/6544002_0004Flash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB3)8R/W00h28.34.5/6544002_0005Flash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB2)8R/W00h28.34.5/

23、6544002_0006Flash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB1)8R/W00h28.34.5/6544002_0007Flash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB0)8R/W00h28.34.5/6544002_0008Flash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB7)8R/W00h28.34.5/6544002_0009Flash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB6)8R/W00h28.34.5/6544002_000AFlash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB5)8R/W00h28.34.5/6544002_000BFlash 通用命令對象寄

24、存器(FTFL_FCCOB4)8R/W00h28.34.5/6544002_000CFlash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOBB)8R/W00h28.34.5/6544002_000DFlash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOBA)8R/W00h28.34.5/6544002_000EFlash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB9)8R/W00h28.34.5/6544002_000FFlash 通用命令對象寄存器(FTFL_FCCOB8)8R/W00h28.34.5/6544002_0010程序 Flash 保護寄存器 (FTFL_FPROT3)8R/W0Xh28.

25、34.6/6564002_0011程序 Flash 保護寄存器(FTFL_FPROT2)8R/W0Xh28.34.6/6564002_0012程序 Flash 保護寄存器(FTFL_FPROT1)8R/W0Xh28.34.6/6564002_0013程序 Flash 保護寄存器(FTFL_FPROT0)8R/W0Xh28.34.6/6564002_0016EEPROM 保護寄存器 (FTFL_FEPROT)8R/W0Xh28.34.8/65728.3.4.1器狀態(tài)寄存器(FTFL_FS)FS寄存器了 FTFL 模塊的操作狀態(tài)CCIF RPCDLERR ACCERR 和 FPVIOL 這些數(shù)據(jù)位

26、是可讀可寫的MGSO 數(shù)據(jù)位是只讀的，未指定的數(shù)據(jù)位為 0，并且是不可寫的注意在設定時，寄存器中的錯誤數(shù)據(jù)位和 flash 保護數(shù)據(jù)位了指令的執(zhí)行，直到這個標志位被清除（通過對其賦值 1）FTFL_FS字段描述字段描述7CCIF指令完成中斷標志位CCIF 標志位用來指示一條 FTFL 指令或者 EEPROM 文件系統(tǒng)操作已經(jīng)完成。 CCIF 標志位通過寫入一個 1 到 CCIF 來啟動一條指令從而清除 CCIF 標志位。 CCIF 會保持在低位狀態(tài)，除非一條指令完成或者指令違法。當 EEE 使能時，通過對 FlexRAM 一次成功的寫入，CCIF 標志位會被清除。CCIF 會一直保持低位狀態(tài)直

27、到 EEPROMW 文件系統(tǒng)創(chuàng)建了相關聯(lián)的 EEPROM 數(shù)據(jù) 。在復位的過程后通過 控制器 CCIF 數(shù)據(jù)位會被復位成 0 而不是 1。用戶是否能夠見到硬件復位值 0 有賴于復位后多短的時間內(nèi)又產(chǎn)生讀的動作。FTFL 命令執(zhí)行中FTFL 命令已完成6RDCOLERRFTFL 讀 錯誤標志RDCOLERR 錯誤標志位用來指示在 FTFL 資源正在被 FTFL 指令操作時 (CCIF=0)，MCU 企圖從中 數(shù)據(jù)。任何違法的 會被塊仲裁機構認為是一個 。在這種情況下， 的數(shù)據(jù)將無法被保障。RDCOLERR 可由寫入 1 來清空，寫入 0 是沒有任何作用的。沒有檢測到檢測到5ACCERRflash

28、 錯誤標志位ACCERR 錯誤標志位用來指示由于有 的寫入順序或者發(fā)射了一個 的 FTFL 指令而 的對 FTFL 資源的 。當 ACCERR 被設定，則 CCIF 標志位就不能通過清除來執(zhí)行指令。ACCERR 數(shù)據(jù)位可由寫入 1 來清空，寫入 0是沒有任何作用的。沒有檢測到 錯誤檢測到 錯誤4FPVIOLflash保護標志位當 EEPROM 使能時，F(xiàn)PVIOL 標志位用來指示當對 FlexRAM 的保護區(qū)進行一個寫命令時，企圖對程序或數(shù)據(jù)受保護的區(qū)域進行編程或者擦除。4002_0017數(shù)據(jù) Flash 保護寄存器 (FTFL_FDPROT)8R/W0Xh28.34.7/65828.3.4.

29、2 flash 配置寄存器(FG)這個寄存器提供關于當前 FTFL 模塊的功能狀態(tài)的信息。擦除控制數(shù)據(jù)位(ERSAREQ 和 ERSP)有寫入限制。SWAP， PFLSH，RAMRDY 和 EEERDY 是只讀的狀態(tài)位。無符號數(shù)據(jù)位是可讀不可寫的。SWAPPFLSH EEERDY 的復位值在復位過程中確定。FG 位描述字段描述7CCIE指令完成中斷使能CCIE 數(shù)據(jù)位在 FTFL 指令完成時控制中斷的產(chǎn)生。指令完成中斷指令完成中斷使能無論何時，當 FSCCIF被設置時，產(chǎn)生一個中斷請求6RDCOL讀錯誤中斷有效RDCOL數(shù)據(jù)位在 FTFL 讀發(fā)生時控制中斷的產(chǎn)生。讀錯誤中斷讀錯誤中斷使能無論何

30、時，當 FTFL 讀錯誤被偵測到時，產(chǎn)生中斷請求5ERSAREQ擦除所有請求這個數(shù)據(jù)位向 控制器發(fā)出一個執(zhí)行擦除所有塊的請求，并且安全地 。 ERSAREQ 不是直接可寫的，但是可以通過用戶間接控制 。請查閱設備 配置詳情來確定如何執(zhí)行這個命令。當一個對外部的 FTFL 擦除所有請求被激發(fā)，而且此時 CCIF 被置位，ERSAREQ位置位。ERSAREQ 在操作完成時由 FTFL 清除無請求或請求完成請求過程：1.運行擦除所有塊命令，2 .校驗擦除后的狀態(tài),3.將 flash 配置域中的安全字節(jié)設置為不安全狀態(tài)，4.通過設定FSEC 字段為不安全狀態(tài)來MCU4ERSP擦除掛起ERSP 位允許用

31、戶掛起當前擦除 flash 扇區(qū)令無掛起請求掛起當前擦除 flash 扇區(qū)令3交換FPVIOL 標志位可由寫入 1 來清空，寫入 0 是無效的。當 FPVIOL 被設定，CCIF標志位就不能通過被清空來執(zhí)行指令沒有檢測到檢測到3-1保留這個只讀的數(shù)據(jù)位段被保留，并且為 00MGSO控制器指令完成狀態(tài)標志位MGS O 狀態(tài)標志位在 FTFL 指令執(zhí)行過程中或 flash 復位時檢測到錯誤的時候被設定。作為一個狀態(tài)標志，這個數(shù)據(jù)位不能（也沒必要）像其它寄存器錯誤標志一樣由用戶清除。以指令 N 為例， MGS O 的值只有在 CCIF=1 時，第 N 條指令執(zhí)行完畢而第 N+1 條指令執(zhí)行之前是有效

32、的。在第 N+1 條指令執(zhí)行的某個時間點，之前的所有結果都會被丟棄，之前的所有錯誤亦會被清除28.3.4.3 flash 加密寄存器（FTFL_FSEC）這個只讀的寄存器保留了所有跟 MCU 和 FTFL 模塊相關的位。在復位的過程中，位于程序 flash 中的 flash 配置域的有關 flash 加密的數(shù)據(jù)被裝在到這個寄存器中。flash 的基礎值在復位中被表示為 x。FTFL_FSEC 字段描述字段描述7-6KEYEN后門密鑰加密使能這幾個位段確定使能還是不FTFL 模塊的密鑰。后門密鑰。后門密鑰。（使用 KEYEN 狀態(tài)來后門密鑰）后門密鑰使能。后門密鑰。5-4MEEN大容量擦除使能位

33、使能或者FTFL 模塊的大容量擦出功能。除了 NVM 普通模式外，MEEN 的狀態(tài)只有在 SEC 數(shù)據(jù)位被設為保護時才有效。當 SEC 數(shù)據(jù)位被設置為未保護，SWAP僅關于程序 flash 的設置，SWAP 標志位用來指示哪一個物理塊位于相對地址 0 x0000，SWAP 標志位的狀態(tài)由 FTFL 復位的過程設定。查閱 配置詳情來得到關于交換管理的相關信息物理程序 flash 0 位于相對地址 0 x0000如果 PFLSH 標志位被設定，則物理程序 flash 1 位于相對地址 0 x0000.如果 PFLSH 未設定，則物理程序 flash0 位于相對地址 0 x00002PFLSHFTF

34、L 配置對于擁有 FlexNVM 的設備：FTFL 針對已經(jīng)支持數(shù)據(jù) flash 或 EEPROM 的FlexMemory 做好配置；對只有程序 flash 的設備：保留對于擁有 FlexNVM 的設備：對只有程序 flash 的設備保留；FTFL 只為程序flash 做出配置，對數(shù)據(jù) flash 或者 EEPROM 則不提供支持1RAMRDYRAM 就緒這個標志位用來指示當前 FlexRAM 或程序加速 RAM 的狀態(tài)對于配備 FlexNVM 的設備：RAMRDY 標志位一般是由 Set FlexRAM Function指令來設置。在復位的過程中，如果 FlexNVM 中的塊已經(jīng)分區(qū)為 EE

35、PROM，則 RAMRDY 標志位被清空；如果 FlexNVM 中的塊沒有分區(qū)為 EEPROM，則設定 RAMRDY 標志位的值。當程序分區(qū)指令正在運行以期將 FlexNVM 分區(qū)為 EEPROM，則 RAMRDY 標志位被清空0EEERDY對帶有 FlexNVM 的設備：當 EEPROM 備份數(shù)據(jù)被拷貝到 FlexRAM 中時該標志顯示，因此該標志可以被。對沒有 FlexNVM 的設備：該字段保留。對帶有FlexNVM 的設備，F(xiàn)lexRAM 不能進行 EEPROM 操作。對帶有 FlexNVM 的設備，在下列情況下，F(xiàn)lexRAM 進行 EEPROM 操作: 來自已經(jīng)寫入 EEPROM 模

36、式下的 FlexRAM 中的 FlexRAM 返回數(shù)據(jù)；對 FlexRAM 寫入數(shù)據(jù)，清除 EEERDY 位，執(zhí)行一個 EEPROM 操作，把寫入的數(shù)據(jù)在 FlexRAM 或者 EEPROM 備份中。28.3.4.4 Flash 選項寄存器（FTFL_FOPT）在復位時，通過這些從 NVM 中裝載的只讀位，F(xiàn)LASH 選項寄存器可以允許 MCU 定義它的操作。這個字段的功能在設備的寄存器中的所有位均為只讀。在復位的過程中，寄存器從位于程序 flash配置中有詳盡的定義。器中的 flash 配置域的 flash非易失選項字節(jié)中裝載數(shù)據(jù)。flash 的基礎值在復位時被表示為 x。FTFL_FOPT

37、 位描述28.3.4.5 flash 通用命令對象寄存器（FTFL_FCCOBn）這個寄存器組提供 12 個字節(jié)命令指令和參數(shù)。從 0 到 B 的表示符被添加寄存器名字上：FCCOB0，F(xiàn)CCOB1，.,FCCOBB位描述7-0OPT非易失選項這些位在復位時從 flash 載入到該寄存器。查詢設備的配置詳情來獲取具體的定義和使用方法。則 MEEN 的設置無效。大容量擦除使能大容量擦除使能大容量擦除大容量擦除使能3-2FSLACC飛思 失敗分析 碼這個字段確定在飛思 設備返回部分失敗的分析 時，使能還是 flash內(nèi)容。當 SEC 被加密同時 FSLACC 被設為 ，則對程序 flash 內(nèi)容的

38、 都會被 。同時飛思 工廠進 試錯誤分析必須先清空所有不加密部分。當 被允許（SEC 設為不加密或 SEC 加密而 FSLACC 被設為允許）。飛思卡爾工廠測試就能夠看到當前的 flash 狀態(tài)。FSLACC 字段的狀態(tài)只有在 SEC 字段設為安全時才有效。當 SEC 字段設為不加密，則 FSLACC 設定值無效。飛思 工廠 允許飛思 工廠飛思 工廠飛思 工廠 允許1-0SECFlash 加密這個位段定義了 MCU 的加密狀態(tài)。在加密狀態(tài)中，MCU 有限地 FTFL 模塊資源。這些限制依設備而不同，并且在 配置中加以詳盡描述。如果 FTFL模塊使用后門安全密鑰不加密，則 SEC 字段被強制為

39、10b。MCU 加密狀態(tài)MCU 加密狀態(tài)MCU 不加密狀態(tài)（標準出廠設定為 FTFL 不加密）MCU 加密狀態(tài)FTFL_FCCOBn 位描述28.3.4.6 程序 flash 保護寄存器（FTFL_FPROTn）FPROT 寄存器定義了哪一塊邏輯 flash 區(qū)域能不被程序或擦除操作。邏輯保護的 flash 區(qū)域不能改變自身的內(nèi)容；這意味著這些區(qū)域不能被編程，也不能被任何 FTFL 指令擦除。沒有被保護的區(qū)域的內(nèi)容可以被程序或擦除操作所更改。四個FPROT 寄存器允許 32 個被保護區(qū)域。每個位保護一塊 1/32 的程序 flash器。每個字段在寄存器中的定義如下表所示：程序 flash 保護

40、寄存器程序 flash 保護位FPROT0PROT31:24FPROT1PROT23:16FPROT2PROT15:8FPROT3PROT7:0位描述7-0CCOBnFCCOB 寄存器為 控制器提供了一個命令代碼和相關參數(shù)。這些獨立的寄存器組成了 FCCOB 數(shù)據(jù)集，能以任何序列寫入，但必須提供所有必須的，依命令而不同的值。首先，設定好所有必須的 FCCOB 域字段，然后通過向 FS CCIF位寫入 1 來初始化命令的執(zhí)行。這會清空 CCIF 位的值，這樣也就鎖定了所有 FCCOB 參數(shù)字段，同時這些字段將不能被用戶修改，直到指令執(zhí)行完畢（CCIF 回復為 1）。不提供命令緩沖或命令對隊列；下

41、一條指令只有在當前指令完成后才能被載入。一些指令會向 FCCOB 寄存器返回信息。任何返回給 FCCOB 的值在 FS CCIF標志位被 控制器置為 1 后可讀寫。下面的表格顯示了通常的 FTFL 指令格式。第一個 FFCOB 寄存器 FCCOBO 總是包含指令代碼。這個 8 位的值定義了將要執(zhí)行的指令。指令代碼之后跟的是具體 FTFL指令所需的參數(shù)，較典型的是地址或數(shù)據(jù)值。這個命令參數(shù)是按照 FCCOB 的序號來寫的，數(shù)字是對 FCCOB 寄存器名的 ，而不是寄存器的地址。FCCOB 號 1典型令參數(shù)內(nèi)容7:00FCMD (a codet defines the FTFLd)1FLASH a

42、ddress23:162FLASH address15:83FLASH address7:04Data Byte 05Data Byte 16Data Byte 27Data Byte 38Data Byte 49Data Byte 5AData Byte 6BData Byte 7在復位過程中，F(xiàn)PROT 寄存器裝載 flash 配置域中程序 flash 保護位的內(nèi)容，如下表所示：要修改在復位階段載入的程序 flash 保護設置，先對包含 flash 配置域的程序器扇區(qū)撤消保護，然后重新對程序 flash 保護位編程。Addresses: FTFL_FPROT3 is 4002_0000h

43、base + 10h offset = 4002_0010h FTFL_FPROT2 is 4002_0000h base + 11h offset = 4002_0011h FTFL_FPROT1 is 4002_0000h base + 12h offset = 4002_0012hFTFL_FPROT0 is 4002_0000h base + 13h offset = 4002_0013hflashFTFL_FPROT 位描述28.3.4.7 EEPROM 保護寄存器（FTFL_FEPROT）對于帶有 FlexNVM 的設備，F(xiàn)EPROT 寄存器定義了FLEXRAM 中哪些EEPROM

44、 區(qū)域被保護免于程序修改和擦除操作。被保護的 EEPROM 區(qū)域不能通過寫來修改內(nèi)容。未被保護區(qū)域通過對 FlexRAM 寫入數(shù)據(jù)來修改值。對于僅含有程序 flash 的設備：該寄存器預留未使用。位描述7-0FPROT程序 flash 區(qū)域的保護每個程序 flash 區(qū)域能夠通過設置相關的 PROT 位被保護以避免程序和擦出操作對其進行修改。在 NVM 正常模式下：保護只能增加，就是說當前未被保護的區(qū)域可以增加為被保護區(qū)，但當前被保護區(qū)域不能解除保護。因為未被保護的區(qū)域被標記為 1，而被保護區(qū)域被標記為 0，只有當將 1 修改為 0 時是允許的。這個 1 到 0 的轉換校驗是按位一次進行的。F

45、PROT 位段中 1 到 0 的轉換均可被接受，而 0 到 1 的轉換則被忽略。在 NVM 特別模式下：所有 FPROT 的位段都是可寫的，沒有任何限制，未被保護的區(qū)域和被保護的區(qū)域可相互轉化。限制：當一條指令在執(zhí)行時（CCIF=0），用戶不得向任何 FPROT 寄存器寫入數(shù)據(jù)。嘗試在程序 flash 的受保護區(qū)域中修改數(shù)據(jù)會導致保護違法錯誤。同時會設定 FSFPVIOL數(shù)據(jù)位。如果一個程序 flash 塊中存在保護區(qū)域，則不能對這個塊進行操作。32 位保護寄存器中的每一位代表所有程序 flash 的 1/32。程序 flash 區(qū)域被保護。程序 flash 區(qū)域未被保護。程序 flash 保

46、護寄存器Flash 配置域偏移地址FPROT00 x0008FPROT10 x0009FPROT20 x000AFPROT30 x000BFTFL_FEPROT 位描述28.3.4.8 數(shù)據(jù)保護寄存器（FTFL_FDPROT）FDPROT 寄存器定義了哪些數(shù)據(jù) flash 區(qū)域被保護起來，編程和擦除的操作不能在這些受保護的區(qū)域內(nèi)進行。被保護的數(shù)據(jù) flash 區(qū)域中的內(nèi)容不能更改，這意味著這些區(qū)域不能被編程，也不能由 FTFL 指令來擦除。沒有被保護的區(qū)域可以被程序和擦除操作修改。FTFL_FEPROT 位描述位描述7-0FPROT數(shù)據(jù) flash 區(qū)域保護通過設置相關聯(lián)的 DPROT 位，各

47、數(shù)據(jù) flash 區(qū)域不能被編程和擦除操作所修改。DPROT 中每一位保護了數(shù)據(jù) flash 空間 1/8 的分區(qū)。每塊保護區(qū)域間的間隔不能小位描述7-0FPROTEEPROM 區(qū)域保護對于僅含有程序 flash器的設備：預留對于含有 FlexNVM 的設備：每塊 EPROM 區(qū)域都能被保護以免設定相關的 EPROT 數(shù)據(jù)位的方法來修改其中的數(shù)據(jù)。當FlexNVM 分區(qū)代碼僅被設置成數(shù)據(jù)flash 時，EPROM 位不使用。當FlexNVM分區(qū)代碼被設到數(shù)據(jù) flash 及 EEPROM 或僅 EEPROM 時，每個 EPROT 數(shù)據(jù)位含蓋 EEPROM 配置的 EEPROM 數(shù)據(jù)的 1/8（

48、詳見 EEPROM 數(shù)據(jù)集大小參數(shù)描述）。 在 NVM 正常模式下：保護只能增加。就是說當前尚未被保護的區(qū)域可以增加為被保護區(qū)，而當前被保護區(qū)域不能解除保護。因為未被保護的區(qū)域被標記為 1 而被保護的區(qū)域被標記為 0.只有當 1 修改位 0 時是允許的。這個 1 到 0 的轉換校驗是按位進行的。那PROT 位段中 1 到 0 的轉換為接受，而 0 到 1 的轉換則被忽略。在 NVM 特殊模式下：所有的 FPROT 的位段都是可寫的，沒有任何限制。未被保護的區(qū)域和被保護的區(qū)域可相互轉換。限制：當一條指令在執(zhí)行時（CCIF=0），用戶不得向任何 FPROT 寄存器寫入數(shù)據(jù)。復位：在復位過程中，F(xiàn)E

49、PROT 寄存器將位于程序 flash 中的 flash 配置域內(nèi)的 FlexRAM 保護數(shù)據(jù)載入。flash 的復位值的基值在寄存器表中用 x 表示。如果要修改在復位過程中載入的 EEPROM 保護區(qū)域，首先對包含在 flash 配置域中的程序 flash 解除保護，然后擦除或更新編程 EEPROM 保護字節(jié)。嘗試在 EEPROM 受保護區(qū)域修改數(shù)據(jù)會導致保護違法錯誤，同時會對FS寄存器中的FPVIOL 字段置位。對僅有程序 flash 的設備：預留；對于有 FlexNVM 的設備：EEPROM 受保護。對僅有程序 flash 的設備：預留；對于有 FlexNVM 的設備：EEPROM 未受

50、保護。于數(shù)據(jù) flash 塊的大小。如果設置了一個未使用的 DPROT 位，則擦除所有塊的指令不會執(zhí)行，同時會置 FSFPVIOL標志位。在 NVM 正常模式下：保護只能增加。就是說當前尚未被保護的區(qū)域可以增加為被保護區(qū)，而當前被保護區(qū)域不能解除保護。因為未被保護的區(qū)域被標記為 1 而被保護的區(qū)域被標記為 0.只有當 1 修改位 0 時是允許的。這個 1 到 0 的轉換校驗是按位進行的。那些 FDPROT 位段中 1 到 0 的轉換是可以的，而 0 到 1 的轉換則被忽略。在 NVM 特殊模式下：所有的 FPROT 的位段都是可寫的，沒有任何限制。未被保護的區(qū)域和被保護的區(qū)域可相互轉換。限制：

51、當一條指令在執(zhí)行時（CCIF=0），用戶不得向任何 FPROT 寄存器寫入數(shù)據(jù)。復位：在復位過程中，F(xiàn)EPROT 寄存器將位于程序 flash器中的 flash 配置域內(nèi)的 FlexRAM 保護數(shù)據(jù)載入。flash 的復位值的基值在寄存器表中用 x 表示。如果要修改在復位過程中載入的 EEPROM 保護區(qū)域，首先對包含在 flash 配置域中的程序 flash 解除保護，然后擦除或更新編程 EEPROM 保護字節(jié)。嘗試在 EEPROM 受保護區(qū)域修改數(shù)據(jù)會導致保護違法錯誤，同時置 FSFPVIOL標志位。如果數(shù)據(jù) flash區(qū)域包含任何保護區(qū)域或者 FlexNVM 塊被分區(qū)為 EEPROM,那

52、么整塊數(shù)據(jù) flash 區(qū)域的擦除是不可能的（查看 flash 塊擦除命令的描述）。數(shù)據(jù) flash 區(qū)域受保護。數(shù)據(jù) flash 區(qū)域不受保護。功能描述以下兩部分將詳細描述 FTFL 模塊的功能程序 flash 交換功能對于僅有程序 flash器的設備來說，用戶能夠配置程序 flash 空間到邏輯到相對地址 0 x0000.這個交地址空間的，這樣會導致兩個物理內(nèi)存塊被換的特性使得邏輯內(nèi)存空間的低位部分在部分更新時變得可操作。通過交換控制命令可以完成器映像內(nèi)兩塊邏輯 P-Flash 的交換。查閱獲知你的設備是如何進行交換控制的。28.4.2 Flash 保護功能flash 區(qū)域能夠被保護起來免

53、于編程和擦除。設保護可以由以下的寄存器來實現(xiàn)。FPROTn保護 32 個程序 flash 區(qū)域的 4 個寄存器如下圖所示配置詳情來圖 28-27 PFlash 保護FDPROT對于 2n 大小的數(shù)據(jù) flash，保護 8 個數(shù)據(jù) flash 區(qū)域的情形如下圖所示：圖 28-28 DFlash 保護對于非 2n 大?。?92KB 到 224KB）的數(shù)據(jù) flash，被保護區(qū)域不得小于 32KB。因此，對于 192KB 的數(shù)據(jù) flash，只有 DPROT5:0這些位被使用，對于 224KB的數(shù)據(jù) flash，只有 DPROT6:0這些位被使用。圖 28-28 DFlash 保護（192KB 和

54、224KB）FEPROT保圖 28-30 EEPROM 保護28.4.3 FlexNVM 描述FlexNVM器。這一節(jié)內(nèi)容不適于那些僅含程序 flash這一節(jié)將器的設備。28.4.3.1 配置成 FlexRAM 的 FlexNVM 塊。用戶能將 FlexNVM 塊設置成以下任一工作形式基本的數(shù)據(jù) flash支持內(nèi)建的 EEPROM 特性的 EEPROM flash以上兩者的結合。用戶的 FlexNVM 配置是通過使用程序分區(qū)指令來確定的警告盡管 FlexNVM 可以分成不同的分區(qū)，但是在某個程序整個運行過程中只會選擇一個分區(qū)。FlexNVM 分區(qū)代碼的選擇會對設備的持續(xù)性和數(shù)據(jù)響。特性造成影2

55、8.4.3.2 EEPROM 用戶角度EEPROM 系統(tǒng)如下圖所示圖 28-31 頂級 EEPROM 結構為了滿足不同的用戶需求，F(xiàn)lexRAM 和 FlexNVM 塊能被分成如下所示的分區(qū)1.EEPROM 分區(qū)（EEESIZE）用于 EEPROM 的 FlexRAM 容量可以從 0到全部 FlexRAM 大小。當 FlexRAM 配置為 EEPROM 時，剩余的容量將不可。EEPROM 分區(qū)時是從 FlexRAM 的地址空間的低地址向上的拓展的。2.數(shù)據(jù) flash 的分區(qū)FlexNVM 中被劃分作為數(shù)據(jù) flash 的容量可以 0 到全部 FlexRAM 的大小。3.FlexNVM EEP

56、ROM 分區(qū)用于 EEPROM 備份的空間，等于全部空間減去數(shù)據(jù) flash 分區(qū)的大小。EEPROM 備份的大小至少是 EEPROM 分區(qū)大小的 16 倍。4.EEPROM因子FlexNVM 中用作EEPROM 的分區(qū)可劃分為兩個子系統(tǒng)，每一個都由 EEPROM 備份的一半做備份。其中一個子系統(tǒng)是 FlexRAM 分區(qū)的 1/8，1/4 或 1/2，剩下的分區(qū)空間則屬于一個子系統(tǒng)。分區(qū)信息在數(shù)據(jù) flash 中斷標志寄存器當中，并通過程序分區(qū)指令來生成。一般來說，程序分區(qū)指令在設備的生命周期中僅執(zhí)行一次。數(shù)據(jù) flash 對于那些需要快速大量數(shù)據(jù)或靜態(tài)數(shù)據(jù)的程序是很有幫助的。EEPROM 分

57、區(qū)還能被再度分割以提供子系統(tǒng)，每個子系統(tǒng)由與子系統(tǒng) A相同大小以 EEPROM 備份分區(qū)來備份，并且如果跟高的持續(xù)性。因子是 1/8 或 1/4，則擁有圖 28-32帶有兩個子系統(tǒng)的從 FlexRAM 到 FlexNXVM器示圖EEESPLIT=1/8,1/4,1/2.EEPROM塊 A 大小=EEESIZE*EEESPLIT.數(shù)據(jù) flash 塊 0 與 1之間有空隙.28.4.3.3 EEPROM 實現(xiàn)概述復位時，部分（EEESIZE,DEPART,EEESPLIT）從數(shù)據(jù) flash IFR 中數(shù)據(jù)，同時 EEPROM 文件系統(tǒng)按照規(guī)定被初始化。文件系統(tǒng) EEPROM 定位所有有效的 E

58、EPROM 數(shù)據(jù)是在 EEPROM 備份塊中。同時將，這些數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)拷貝到 FlexRAM 中去。當 EEPROM 中所有有效的數(shù)據(jù)已經(jīng)拷貝到FlexRAM 中后，置 The FSCCIF和FCNFG 位。只有當 CCIF 被置位以后，F(xiàn)lexRAM 讀寫才都有效。FCNFGEEERDY也會被置位。如果中斷使能，則與FSCCIF位相關的中斷可以用來決定什么時候 FlexRAM 可以被讀寫。當為 EEPROM 配置使用權時，如果在 FlexRAM 中的寫入地址沒有被保護，EEPROM 文件系統(tǒng)產(chǎn)生一個新的 EEPROM 數(shù)據(jù)那么將會，這個數(shù)據(jù)以一種 round-robin 的方式存在EEPROM

59、備用塊中，按照需要，EEPROM文件系統(tǒng)能夠識別 EEPROM 備用塊單元，這些單元是被擦寫過以備將來使用。當對 FlexRAM 寫完之后，除非 FS寫無效。CCIF位再次被使能，否則 FlexRAM 讀當 EEPROM 數(shù)據(jù)裝滿了 EEPROM 備用塊單元，EEPROM 單元中已經(jīng)存在時間最長的數(shù)據(jù)將會暫時拷貝到之前已經(jīng)被擦寫過的 EEPROM 備用塊單元中?？截愅瓿珊螅珽EPROM 備用塊單元中保存時間最久的數(shù)據(jù)將會被打上標記等待擦寫。28.4.3.4 EEPROM 數(shù)據(jù)寫到FlexRAM 中的持久性當 FlexNVM 分區(qū)代碼沒有占滿數(shù)據(jù) flash 塊的空間時，EEPROM 數(shù)據(jù)塊的大

60、小可以被設置成任何一個不為 0 的值。通過 FlexNVM 中的分區(qū)代碼，對于那些沒有被分配給數(shù)據(jù)flash 塊的字節(jié)被 FTFL 用來為EEPROM 數(shù)據(jù)獲取一個有效的持久性。構建一個 EEPROM個比較大的 EEPROM NVM管理系統(tǒng)可以提高編程/擦寫的次數(shù)。利用一空間來收集那些不再使用的設備空間，而利用管理系統(tǒng)這些空間可以第一時間被獲取。當 FlexNVM 中不同的分區(qū)都有效時，目的就是為了 FlexNVM 分區(qū)代碼的一個簡單選擇和 EEPROM 數(shù)據(jù)設置在整個已經(jīng)給定的生存期都有效。EEPROM endurance 方程和圖示如下，假設一個配置已經(jīng)使用。Writes_subsyste