ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)

1、下面說(shuō)說(shuō)給大家普及一下ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)最大工作電壓Max Working Voltage允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的工頻電壓的有效值，在此工作狀態(tài)下ESD器件保 持高阻態(tài)，這個(gè)電壓大于等于正常工作電壓即可。觸發(fā)電壓rri TriggeringVoltageESD 元件開(kāi)始動(dòng)作（導(dǎo)通）電壓，是電壓曲線(xiàn)的最高點(diǎn)。鉗位電壓Clamping Voltage關(guān)鍵參數(shù)之一，ESD元件上的類(lèi)似于穩(wěn)態(tài)電壓，一般在指定時(shí)間（30NS,這個(gè)概念可能很 多工程師朋友不太了解）讀取，其值越小使得靜電脈沖對(duì)被保護(hù)器件的損傷越小。漏電電流Leakage Current在指定直流工作電壓的作用下， E

2、SD 保護(hù)器件中流過(guò)的電流，其值越小對(duì)被保護(hù)電路影響 越小。電容Capacitance 關(guān)鍵參數(shù)之一，給定電壓、頻率下測(cè)得。其值越小，對(duì)傳輸信號(hào)影響越小，對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)的正 常傳輸起重要作用。但不是說(shuō)這個(gè)值越小越好，大體上，在高頻信號(hào)需要做ESD防護(hù)的時(shí) 候，就需要 1PF 以下的低容值。接下來(lái)說(shuō)說(shuō)這些器件的分類(lèi) 表面貼裝ESD保護(hù)器件分類(lèi): 一、以硅技術(shù)為代表的ESD器件，如瞬態(tài)電壓抑制器TVS管，生產(chǎn)廠(chǎng)商代表：On semiNXP原理：利用PN結(jié)的反向擊穿，將靜電能量導(dǎo)入大地。優(yōu)點(diǎn)：響應(yīng)速度快，鉗位電壓很低；因本身不承受靜電能量，所以抗沖擊次數(shù)較高。 缺點(diǎn)：?jiǎn)蜗蛐?，?shí)現(xiàn)雙向保護(hù)必須使用至少兩個(gè)

3、PN結(jié);漏電流較大；容值較高，低容值產(chǎn)品價(jià)格較高；因本身不承受靜電能量，所以靜電能量走到大地上之后，如果此大地做的不干凈，那 么可能對(duì)局部電路還會(huì)產(chǎn)生影響。二、以陶瓷技術(shù)為代表的ESD器件，如多層壓敏電阻MLV,金屬氧化物壓敏電阻MOV等, 生產(chǎn)廠(chǎng)商代表： AEMLittelfuseEPCOS原理：利用氧化鋅等壓敏材料的特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)靜電的防護(hù)。優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定；無(wú)極性；價(jià)格極低；因本身承受靜電能量，所以流到大地上的能量減少很多 缺點(diǎn)：鉗位電壓較高；漏電流較大； 容值較高，低容值產(chǎn)品價(jià)格較高； 因本身承受靜電能量，所以抗沖擊次數(shù)不高。三、 以聚合物技術(shù)為代表的 ESD 器件, 生產(chǎn)廠(chǎng)商代表：立特 PG

4、B， Bussmann， Tyco， Bourns 等原理：以高分子為載體加入導(dǎo)體粒子、壓敏材料、絕緣粒子從而構(gòu)成一個(gè)壓敏體系，在電壓超過(guò)一 定區(qū)間的范圍內(nèi)，由非導(dǎo)體劇變?yōu)閷?dǎo)體，導(dǎo)電性隨電壓的升高而急劇增加，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)靜電 的防護(hù)。優(yōu)點(diǎn)：無(wú)極性；漏電流極低；電容極低。缺點(diǎn)：高分子材料，耐高溫耐老化能力差；鉗位電壓較高；抗沖擊次數(shù)不高。四、以玻璃陶瓷技術(shù)為代表的ESD器件，此為最新技術(shù)代表，與上述三類(lèi)產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)技術(shù) 各不相同，生產(chǎn)廠(chǎng)商代表：AEM原理：利用具有非線(xiàn)性電阻特性的玻璃陶瓷兩相復(fù)合物的材料體系，含有多種氧化物的陶瓷 相和玻璃相，該材料體系在被施加低電壓時(shí)呈高電阻，在被施加高電壓時(shí)呈低阻

5、態(tài)。 優(yōu)點(diǎn)：無(wú)極性；鉗位電壓與TVS相當(dāng)；漏電流極低，相應(yīng)速度快；耐高溫，耐老化； 抗沖擊次數(shù)高。 缺點(diǎn)：觸發(fā)電壓稍高；目前封裝只有0603和 0402?！竟ぷ麟妷?Working VOltage DC MAX】當(dāng) Working Voltage DC=8V = 選用 DC=12 V Series【最高抑制電壓 Clamp Voltage】 Vclamp最高抑制電壓系以ESD產(chǎn)生器經(jīng)一定之標(biāo)準(zhǔn)沖擊于TVS組件二端點(diǎn)之間在30 nS后所量得 的最高電壓Vp。該電壓值同時(shí)也是TVS發(fā)揮其保護(hù)功能的一項(xiàng)指針?！韭╇娏?Lc Leakage Current】 At Working Voltage 漏電流系以一定的工作電壓加于端點(diǎn)之間所量得的值?！窘^緣阻抗 Ir Insulation Resistance】 At Workin