9電力電子器件應(yīng)用的共性問題

1、第9第9目錄電力電子器目錄電力電子器件的驅(qū)電力電子器件的保電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使2電力電子器件的驅(qū)電力電子器件的驅(qū)電力電子器件驅(qū)動電路概晶閘管的觸發(fā)電典型全控型器件的驅(qū)動電3電力電子器件驅(qū)動電路概驅(qū)動電路 電力電子器件驅(qū)動電路概驅(qū)動電路 將信息電子電路傳來的信號按控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以4電力電子器件驅(qū)動電路概驅(qū)動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣光磁EEERRR5電力電子器件驅(qū)動電路概驅(qū)動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣光磁EEERRR5電力電子器件驅(qū)動電路概按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)，將電力電子器件分為電流驅(qū)

2、動型和電力電子器件驅(qū)動電路概按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)，將電力電子器件分為電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動電路的具體形式可以是由分立元件的驅(qū)動電路，但最好是采用集成驅(qū)動電路。為達到參數(shù)最佳配合，首選所用器件生產(chǎn)廠家專門開發(fā)的集成6晶閘管的觸發(fā)電觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度和陡It tt1 34晶閘管的觸發(fā)電觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度和陡It tt1 34t1t2脈沖前沿上升時間（1s） t1t3強脈沖寬度強脈沖幅值t1t4脈沖寬不超過門極電壓、電流和功率，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；應(yīng)有良好的性能、溫度脈沖平頂幅值I穩(wěn)定性及與主電路的電氣。

3、典型全控型器件的驅(qū)動電GTO的開通控制與普通晶閘典型全控型器件的驅(qū)動電GTO的開通控制與普通晶閘使GTO關(guān)斷需施加負門極電約5V的負偏壓以提高Ot施加約5V的偏壓，以提能力Ot8典型全控型器件的驅(qū)動電電流驅(qū)動型器件開通驅(qū)動電流應(yīng)使GTR處于準飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進典型全控型器件的驅(qū)動電電流驅(qū)動型器件開通驅(qū)動電流應(yīng)使GTR處于準飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進關(guān)斷GTR時，施加一定的負GTR驅(qū)動電流的前沿上升時間應(yīng)小于1us， 以保證它能Ot9典型全控型器件的驅(qū)動電典型全控型器件的驅(qū)動電2.MOSFET使MOSFET開通的驅(qū)動電壓一般為1015V，使開通的驅(qū)動電壓一般為15 20V關(guān)斷時施加一定幅值的負驅(qū)

4、動電壓（一般取 -5 -15V）在柵極串入一只低值電阻（數(shù)十歐左右）可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動器件電流額定值的增電力電子器件的保電力電子器件的保過電壓的產(chǎn)生及過電壓保過電流保過電壓的產(chǎn)生及過過電壓的產(chǎn)生及過電操作過電壓：由分閘、合閘等開關(guān)操作引雷擊過電壓：由雷擊引過電壓保護措RC或RCD為抑制內(nèi)因過電壓的RC過電壓抑制電路是最為常見的外因過電壓抑制措施，可接于供電變壓器的兩側(cè)或電力電其他常用措施：用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性 元器件限制或吸收過電壓CRaaRCRCdcdcdcdc+-a)圖1-閥直流網(wǎng)過電壓保護措RC或RCD為抑制內(nèi)因過電壓的

5、RC過電壓抑制電路是最為常見的外因過電壓抑制措施，可接于供電變壓器的兩側(cè)或電力電其他常用措施：用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性 元器件限制或吸收過電壓CRaaRCRCdcdcdcdc+-a)圖1-閥直流網(wǎng)過電壓抑制措施及配置位FD層CRC1閥側(cè)浪涌過電壓抑制用RCRC2RCRVRC3閥器件換相過電壓抑制用RCRC4RCRCDRCDTMSUCF3D1過電壓抑制措施及配置位FD層CRC1閥側(cè)浪涌過電壓抑制用RCRC2RCRVRC3閥器件換相過電壓抑制用RCRC4RCRCDRCDTMSUCF3D1過電過電流分過載和短路常用措施包括快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流

6、一般同時采用幾種過電流保護措施，提高可靠性和合變流器3過電過電流分過載和短路常用措施包括快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流一般同時采用幾種過電流保護措施，提高可靠性和合變流器3電力電子器件的串聯(lián)和并電力電子器件的串聯(lián)和并晶閘管的串晶閘管的并電力MOSFET并聯(lián)運行的特晶閘管的串理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因器件特性差異，晶閘管的串理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因器件特性差異，晶閘管的串I串聯(lián)的器件流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分承受電壓高的器件首先達到轉(zhuǎn)折電壓而導(dǎo)通，使另一個器件承擔(dān)全部電壓也導(dǎo)通，反向時，可能使其中一個器件先反向擊穿，另一個隨之IR晶閘管的串I串聯(lián)的器件流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分承受電壓高的器件首先達到轉(zhuǎn)折電壓而導(dǎo)通，使另一個器件承擔(dān)全部電壓也導(dǎo)通，反向時，可能使其中一個器件先反向擊穿，另一個隨之IROU動態(tài)不均壓 由于晶閘管的串采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器RCR選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器采用門極強脈沖觸發(fā)可以顯著減小晶閘管的串采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器RCR選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器采用門極強脈沖觸發(fā)可以顯著減小C晶閘管的并晶閘管的并電力MOSFET并聯(lián)運行的特電力MOSFET并聯(lián)運行的特Ron具有正溫度系數(shù)，具有電流自動均衡的能力，可在源極電路中串入小電感，起到