9電力電子器件應(yīng)用的共性問(wèn)題

1、第9第9目錄電力電子器目錄電力電子器件的驅(qū)電力電子器件的保電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使2電力電子器件的驅(qū)電力電子器件的驅(qū)電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概晶閘管的觸發(fā)電典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電3電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概驅(qū)動(dòng)電路 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概驅(qū)動(dòng)電路 將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以4電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概驅(qū)動(dòng)電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣光磁EEERRR5電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概驅(qū)動(dòng)電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣光磁EEERRR5電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，將電力電子器件分為電流驅(qū)

2、動(dòng)型和電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，將電力電子器件分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)電路的具體形式可以是由分立元件的驅(qū)動(dòng)電路，但最好是采用集成驅(qū)動(dòng)電路。為達(dá)到參數(shù)最佳配合，首選所用器件生產(chǎn)廠家專門(mén)開(kāi)發(fā)的集成6晶閘管的觸發(fā)電觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度和陡It tt1 34晶閘管的觸發(fā)電觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度和陡It tt1 34t1t2脈沖前沿上升時(shí)間（1s） t1t3強(qiáng)脈沖寬度強(qiáng)脈沖幅值t1t4脈沖寬不超過(guò)門(mén)極電壓、電流和功率，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；應(yīng)有良好的性能、溫度脈沖平頂幅值I穩(wěn)定性及與主電路的電氣。

3、典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電GTO的開(kāi)通控制與普通晶閘典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電GTO的開(kāi)通控制與普通晶閘使GTO關(guān)斷需施加負(fù)門(mén)極電約5V的負(fù)偏壓以提高Ot施加約5V的偏壓，以提能力Ot8典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電電流驅(qū)動(dòng)型器件開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進(jìn)典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電電流驅(qū)動(dòng)型器件開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進(jìn)關(guān)斷GTR時(shí)，施加一定的負(fù)GTR驅(qū)動(dòng)電流的前沿上升時(shí)間應(yīng)小于1us， 以保證它能Ot9典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電2.MOSFET使MOSFET開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般為1015V，使開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般為15 20V關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)

4、動(dòng)電壓（一般取 -5 -15V）在柵極串入一只低值電阻（數(shù)十歐左右）可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動(dòng)器件電流額定值的增電力電子器件的保電力電子器件的保過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保過(guò)電流保過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電操作過(guò)電壓：由分閘、合閘等開(kāi)關(guān)操作引雷擊過(guò)電壓：由雷擊引過(guò)電壓保護(hù)措RC或RCD為抑制內(nèi)因過(guò)電壓的RC過(guò)電壓抑制電路是最為常見(jiàn)的外因過(guò)電壓抑制措施，可接于供電變壓器的兩側(cè)或電力電其他常用措施：用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性 元器件限制或吸收過(guò)電壓CRaaRCRCdcdcdcdc+-a)圖1-閥直流網(wǎng)過(guò)電壓保護(hù)措RC或RCD為抑制內(nèi)因過(guò)電壓的

5、RC過(guò)電壓抑制電路是最為常見(jiàn)的外因過(guò)電壓抑制措施，可接于供電變壓器的兩側(cè)或電力電其他常用措施：用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性 元器件限制或吸收過(guò)電壓CRaaRCRCdcdcdcdc+-a)圖1-閥直流網(wǎng)過(guò)電壓抑制措施及配置位FD層CRC1閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用RCRC2RCRVRC3閥器件換相過(guò)電壓抑制用RCRC4RCRCDRCDTMSUCF3D1過(guò)電壓抑制措施及配置位FD層CRC1閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用RCRC2RCRVRC3閥器件換相過(guò)電壓抑制用RCRC4RCRCDRCDTMSUCF3D1過(guò)電過(guò)電流分過(guò)載和短路常用措施包括快速熔斷器、直流快速斷路器和過(guò)電流

6、一般同時(shí)采用幾種過(guò)電流保護(hù)措施，提高可靠性和合變流器3過(guò)電過(guò)電流分過(guò)載和短路常用措施包括快速熔斷器、直流快速斷路器和過(guò)電流一般同時(shí)采用幾種過(guò)電流保護(hù)措施，提高可靠性和合變流器3電力電子器件的串聯(lián)和并電力電子器件的串聯(lián)和并晶閘管的串晶閘管的并電力MOSFET并聯(lián)運(yùn)行的特晶閘管的串理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因器件特性差異，晶閘管的串理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因器件特性差異，晶閘管的串I串聯(lián)的器件流過(guò)的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分承受電壓高的器件首先達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓而導(dǎo)通，使另一個(gè)器件承擔(dān)全部電壓也導(dǎo)通，反向時(shí)，可能使其中一個(gè)器件先反向擊穿，另一個(gè)隨之IR晶閘管的串I串聯(lián)的器件流過(guò)的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分承受電壓高的器件首先達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓而導(dǎo)通，使另一個(gè)器件承擔(dān)全部電壓也導(dǎo)通，反向時(shí)，可能使其中一個(gè)器件先反向擊穿，另一個(gè)隨之IROU動(dòng)態(tài)不均壓 由于晶閘管的串采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器RCR選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器采用門(mén)極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小晶閘管的串采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器RCR選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器采用門(mén)極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小C晶閘管的并晶閘管的并電力MOSFET并聯(lián)運(yùn)行的特電力MOSFET并聯(lián)運(yùn)行的特Ron具有正溫度系數(shù)，具有電流自動(dòng)均衡的能力，可在源極電路中串入小電感，起到