2021年中國功率半導(dǎo)體分立器件市場現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析 市場規(guī)模保持增長【組圖】

1、2021年中國功率半導(dǎo)體分立器件市場現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析 市場規(guī)模保持增長【組圖】 HYPERLINK /hs/zhengquan_688396.SH.html 半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)主要上市公司：目前國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)的上市公司主要有華潤微(688396)、士蘭微(600460)、揚杰科技(300373)、華微電子(600360)、新潔能(605111)、蘇州固锝(002079)、銀河微電(688689)、立昂微(605358)、捷捷微電(300623)、臺基股份(300046)等。本文核心數(shù)據(jù)：功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量、產(chǎn)值、市場結(jié)構(gòu)1、功率分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值持續(xù)上漲功率半導(dǎo)體分立器件

2、指額定電流不低于1A，或額定功率不低于1W的半導(dǎo)體分立器件。2015-2020年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值均呈現(xiàn)持續(xù)上漲的趨勢。2020年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量為4885億只，較2019年同比增長8%。2020年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)值達到165.6億元，較2019年同比增長3%。2、MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢凸顯、需求量大功率半導(dǎo)體分立器件可以進一步劃分為功率二極管、功率晶體管和功率晶閘管三大類，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均屬于功率晶體管的范疇，SCR、GTO和IGCT則屬于功率晶閘管的范圍內(nèi)。功率晶體管中，MOSFET和IGBT屬于全控型分立器件，MOSFET根

3、據(jù)應(yīng)用特性的不同，還包括平面型功率MOSFET、溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET和屏蔽柵功率MOSFET等多種類型。MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當中排名首位，2019年占市場規(guī)模的36.3%，其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管，市場份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。MOSFET的優(yōu)勢在于開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單、工作頻率高以及不存在二次擊穿問題等方面;而功率二極管具有結(jié)構(gòu)和原理簡單、工作可靠的優(yōu)勢。基于產(chǎn)品自身的特點和優(yōu)勢，MOSFET和二極管在功率分立器件市場中占據(jù)近70%的市場規(guī)模。在MOSFET下游應(yīng)用的快速發(fā)展基礎(chǔ)下，按MOSFET銷售額劃分的市場規(guī)模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復(fù)合年增長率約9.2%。注：市場結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)根據(jù)2019年市場規(guī)模數(shù)據(jù)計算所得。3、功率分立器件市場規(guī)模將繼續(xù)增長展望未來，依據(jù)全球需求的普遍上升，加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產(chǎn)能，中國功率半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模預(yù)期將會持續(xù)增長。預(yù)計到2026年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量將超過16000億只，