晶片加工過程圖解

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)專心-專注-專業(yè)精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)For personal use only in study and research; not for commercial use莇晶片加工過程圖解 芃 來源：中國IC技術(shù)交易網(wǎng) 莀結(jié)晶 晶片制造的第一步是形成大的硅單晶錠。該過程是從在石英坩堝中熔化多晶硅原料及微量的電活性元素，如III.V族攙雜劑開始的。 一旦熔液達(dá)到規(guī)定的溫度，將硅“籽晶”放入熔液中，溶液緩慢冷卻至規(guī)定的溫度，開始與“籽晶”融合長大。“籽晶”慢慢地從熔液中拉出。用熔液溫度和拉晶速度控制晶錠直徑。

2、熔液中點活性元素的濃度決定所制成的硅晶片的電學(xué)性能。晶錠磨削 晶錠長成后，將其從單晶爐中拉出并冷卻。將晶錠磨削至規(guī)定直徑。切 片 用線鋸將晶錠割成薄的景片。線切割原理是：將晶錠送入由超細(xì)的，快速運動的線組成的網(wǎng)中。當(dāng)線快速、前后橫向運動時，向線網(wǎng)上分配磨料液而實現(xiàn)切割。在線網(wǎng)作用時候，單根線從一個大線軸送到另一個大線軸。根據(jù)現(xiàn)徑大小。一個大線軸可繞幾百公里的線。線切割使得整支晶錠能在同時被切成片。這樣，可減少加工時間，同時使“切口”損失最小。仿形磨削 線切割后中，單個切片有尖銳的，易碎的棱。這些棱角必須磨圓或仿行磨削，使景片具有強度。仿行磨削歸根結(jié)底防止晶片在隨后的內(nèi)部加工及器件制作中修理或碎

3、裂。磨 片 磨片工藝通過使用磨料液可以在晶體上去除控制數(shù)量的硅。該工藝去除切割損傷并積極影響到晶片的平直度。電子檢測 為了確認(rèn)要求，采用最新粒子探測設(shè)備對晶體進(jìn)行100%檢測。這些設(shè)備使用掃過晶片表面的掃描激光束。任何出現(xiàn)在晶片表面上的粒子將散射在入射的激光束中。通過測量反射光，可測定出任何粒子的數(shù)量、尺寸和位置。拋 光 最后拋光和清洗工藝使晶片潔凈并具有半導(dǎo)體器件制作所需的超平鏡面拋光表面。晶片拋光是一個化學(xué)、機械過程。拋光使固態(tài)器件從單個電路轉(zhuǎn)變到當(dāng)今集成電路的復(fù)雜性。外 延 對某些進(jìn)一步加工成外延晶片。外延晶片是在基本晶片基地拋光表面上長成一層薄的單晶磨膜。晶片基體與晶片表面上的單晶硅膜

4、表面上的單晶硅膜具有不同的充分和電學(xué)性能，其中包括，有助于改善制作在晶體硅膜表面上的電路元件之間的絕緣。將三氯硅烷氣體注入一個高溫，單個切片的EPI反映爐中。當(dāng)晶體旋轉(zhuǎn)時，氣體流入到晶體上面。硅原子附著在晶體的晶片基體上。僅供個人用于學(xué)習(xí)、研究；不得用于商業(yè)用途。For personal use only in study and research; not for commercial use.Nur fr den persnlichen fr Studien, Forschung, zu kommerziellen Zwecken verwendet werden.Pour l tude et la recherche uniquement des fins personnelles; pas des fins commerciales. , , . 以下無正文