半導體三極管R2

1、模擬電子技術(shù)基礎信息科學與工程學院基礎電子教研室五、 穩(wěn)壓二極管及應用穩(wěn)壓管的符號3. 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓條件必須工作在反向擊穿狀態(tài)；流過穩(wěn)壓管的電流在IZ和IZM之間 。【】內(nèi)容回顧1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極基極集電極bec【】內(nèi)容回顧1.3 雙極型晶體管PNP型注意：NPN型與PNP型三極管符號的區(qū)別【】內(nèi)容回顧NPN型發(fā)射極箭頭的方向為射極電流的方向1.3.2 晶體管的電流放大作用 晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件:共射放大電路發(fā)射結(jié): 正向偏置晶體管的放大作用:小的基極電流可以控制大的集電極電流集電結(jié): 反向偏置NNP1. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴散運動形成發(fā)

2、射極電流IE2. 擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復合運動形成基極電流IB3.集電結(jié)加反向電壓，漂移運動形成集電極電流IC一、晶體管內(nèi)部載流子的運動IBIC晶體管的電流分配關(guān)系共射直流電流放大系數(shù)晶體管的電流分配關(guān)系共射直流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù)通常認為：晶體管的電流分配關(guān)系IBICIEIBICIE1.3.2 晶體管的電流放大作用 晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。 【】內(nèi)容回顧1. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴散運動形成發(fā)射極電流IE2. 擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復合運動形成基極電流IB3.集電結(jié)加反向電壓，漂移運動形成集電極電流IC一、晶體管內(nèi)部載流子的運動

3、二、晶體管的電流分配關(guān)系1.3.3 晶體管的共射特性曲線UCEIC+-UBEIB+- 實驗線路mAAVVRBECEBRC1. 輸入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8導通電壓： 硅管(0.7V) UBE0.60.8V,鍺管(0.2V) UBE0.10.3V。開啟電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。UCE增大，特性曲線右移；當UCE1V后，曲線基本不變化IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域(截止區(qū)) IB=0, IC=ICEO0,UBE0 UCEUBEIC只與IB有關(guān)，IC=IB發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。IC(mA )1234U

4、CE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域(飽和區(qū)) ：UCEUBE,集電結(jié)正偏，IBIC，UCES0.3VUCES臨界飽和線發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。輸出特性三個區(qū)域的特點:放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 電流關(guān)系： IC=IB , 且 IC = IB 電壓關(guān)系： （NPN) （PNP）(3) 截止區(qū)： UBEIC 電壓關(guān)系： （NPN) （PNP) UCES 0.3V1.3.4 晶體管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)二、交流參數(shù)1. 共射直流電流放大系數(shù)2. 共基直流電流放大系數(shù)1. 共射交流電流放大系數(shù)= =常數(shù) 2. 共基交流電流放大系數(shù) = =常數(shù) 通常認為： ，三、極

5、限參數(shù)1. 最大集電極耗散功率PCM3. 特征頻率fT ： 使的數(shù)值下降到1的信號頻率。2. 最大集電極集電極電流ICM3. 極間反向擊穿電壓1.3.5 溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響一、溫度對ICBO的影響溫度升高時， ICBO增大。二、溫度對輸入特性的影響三、溫度對輸出特性的影響溫度升高時，特性曲線上移溫度升高時， 特性曲線左移0.7V4V00.7V0.3V0 0 4V00.7V0 4V【例1 】判斷以下三極管的工作狀態(tài)。放大飽和截止倒置【例2】測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。解題思路(1)三極管處于放大狀態(tài)(2)確定基極和發(fā)射極(3)確定三極管為硅管還是鍺管(4)確定為何種類型作業(yè)：P70 1.9【例2】測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。硅管硅管硅管鍺