模擬電子技術(shù)模電課件第6講

1、PNP型管結(jié)構(gòu)PNP型管結(jié)構(gòu)示意圖NPN型管結(jié)構(gòu)示意圖NPN管的電路符號PNP管的電路符號集成集成電路中典型NPN型BJT的截面5.1.2 5.1.2 放大狀態(tài)下BJT的工作放大狀態(tài)下BJT放大狀態(tài)下BJT載流子的傳輸過程發(fā)射區(qū)形成發(fā)極電流集電區(qū)收形成集電極電流載流子在基區(qū)擴散P復(fù)合形成復(fù)合電流三極管的放大作用的實現(xiàn)在一定的外部條件控制下流子傳輸實現(xiàn)的外部條件發(fā)射結(jié)正偏1集電結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)形成發(fā)極電流集電區(qū)收集載流子形成集電載流子在基區(qū)擴散P復(fù)合形成復(fù)合電流三極管的放大作用依靠它的發(fā)射極電流能夠通過傳輸然后到達集電極而實現(xiàn)的條件發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大于基區(qū)雜質(zhì)濃度區(qū)很薄2. BJT2. BJT的三種

2、組態(tài)共發(fā)射極接法發(fā)射極作為公共電極用CE表示共基極接法，基極作為公共電極用CB表示共集電極接法集電極作為公共電極用CC表示共基組態(tài)下的電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知IE=IB+IC=ICN+共基組態(tài)下的電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知IE=IB+IC=ICN+ 傳輸?shù)郊姌O的為組態(tài)的電流設(shè)發(fā)射極注入電流它只P管子的結(jié)構(gòu)尺和I即濃度有關(guān)P外電壓無一般= 0.90.99 I則C通ICIE共射組態(tài)下的電流分配關(guān)系II = + I =I +根CICE111II共射組態(tài)下的電流分配關(guān)系II = + I =I +根CICE111IIICBB=(1+電流其I)1I時則 當(dāng) CIIBB是共射組態(tài)的電流放它也只P管子

3、的結(jié)構(gòu)尺和摻雜濃度有關(guān)P外一般15.共基極放大電路使 iE5.共基極放大電路使 iE10.98時若 vIiC=iE =-0.98mAvO =-iCRL=0.98則 電壓放大倍數(shù)AvI共射組態(tài)下BJT的V-特性曲線iB共射組態(tài)下BJT的V-特性曲線iB=f(vBE)1. 輸入特性曲當(dāng)vCE=0V時相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線當(dāng)vCE1V時vCBvCE- vBE0集電結(jié)已入偏狀態(tài)始收集電子基區(qū)復(fù)合減少同樣的vBEIB減小特性曲線右移輸出特性輸出特性輸特性曲線的三個區(qū)域:飽和區(qū)：iC明顯受vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般(硅管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)l偏或反偏電壓很小截k區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相當(dāng)?shù)那€

4、的下方vBE小于死區(qū)電壓放大區(qū)i 平行于軸的區(qū)域，曲線基C平行等距發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)偏輸出特性曲線的意義輸出特性曲線的意義改變基極電流BJT的要參數(shù)1. 電流放大BJT的要參數(shù)1. 電流放大系共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)=ICICEO/IBIC / IB 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)PiC的關(guān)系共基極直流電流放大系數(shù) 共基極直流電流放大系數(shù) 共基極交流電流放大系數(shù)當(dāng)ICBO和ICEO很小時 1 可以 極間極間向集電極基極間向飽和電流發(fā)射極開路時集電結(jié)的向飽和電流集電極集電極發(fā)射極間的向飽和電流ICEO=1+ 極限參極限參集電極最大允許電流集電極最大允許率損耗PCM=向擊穿向擊穿V(BR)CBO發(fā)射極開路時的的向擊穿電壓EBO集電極開路時發(fā)射結(jié)的向擊穿電壓V(BR)CEO基極開路時集電V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) 溫度對BJT參數(shù)及特性的影響溫度對溫度對BJT參數(shù)及特性的影響溫度對BJT參數(shù)的影響溫度對ICBO的影溫度每升高10，ICBO約增加一倍溫度對 的影溫度每升高1，值約增大(3) 溫