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文檔簡介
1、微星H61主板BIOS設置12011-07-21 17:47BIOS基礎設設置可點擊放大可點擊放大 一、主主菜單該菜單顯示基本本硬件配置和和設置日期時時間(可點擊擊放大) 二、高高級設置菜單單該菜單設置主板板的I/O設設備和電源管管理(可點擊擊放大) 1、PPCI子系統(tǒng)統(tǒng)設置可點擊放大 1-1、PCII延遲時間可點擊放大 設置PPCI延遲時時間。延遲時時間以PCII總線時鐘為為單位。比如如第一個設置置就是延遲332個PCII總線時鐘。英英特爾在6系系列芯片組取取消了PCII總線。當前前主板上的PPCI是第33方芯片從PPCIE轉接接的。如果有有些PCI卡卡響應慢,系系統(tǒng)檢測不到到,可以增加加延
2、遲時間。 2、AACPI設置置可點擊放大 2-1、ACPPI待機狀態(tài)態(tài)可點擊放大 ACPPI待機狀態(tài)態(tài)有S1和SS3。S1是是只關閉顯示示,S3是只只保持內存有有+5V SSB供電,其其余都停止供供電。都默認認是S3,可點擊放大 2種種狀態(tài),閃爍爍和雙色。電電源指示燈狀狀態(tài)設置要與與機箱的只是是等配置有關關。并請參看看說明書有關關指示燈的連連接。 3、整整合外圍設備備可點擊放大 3-11、板載網(wǎng)卡卡可點擊放大開啟/關閉板載網(wǎng)網(wǎng)卡。默認是是開啟。 3-2、網(wǎng)卡RROM可點擊放大 開啟/關閉網(wǎng)卡啟啟動ROM。這這項是設置網(wǎng)網(wǎng)卡啟動的。開開啟,就是從從網(wǎng)卡ROMM啟動。一般般無盤網(wǎng)要設設置為開啟。
3、3-33、SATAA配置可點擊放大 這是HH61的SAATA配置。有有IDE和AAHCI 22種模式。默默認是IDEE。當配置為為AHCI時時,彈出熱插插拔設置菜單單??牲c擊放大 開起/關閉熱插拔拔,默認是關關閉的。硬盤盤設置為熱插插拔后,這個個SATA接接口就可以連連接eSATTA HYPERLINK /mobile/fill.html 移動硬盤,可可以在開機是是插拔。 3-44、聲卡配置置可點擊放大 開啟/關閉板載HHD音頻解碼碼器,默認是是開啟。 3-55、HPETT配置可點擊放大 開啟/關閉HPEET,默認是是開啟。HPPET的英文文全稱是Hiigh Prrecisiion Evven
4、t TTimer(高高精度事件定定時器)。HHPET是IIntel制制定的用以代代替?zhèn)鹘y(tǒng)的88254(PPIT)中斷斷定時器與RRTC定時器器的新定時器器。這是一個個安全的選項項,即使你的的硬件不支持持HPET也也不會造成問問題,因為它它會自動用88254替換換。 4、整整合圖形設備備可點擊放大 4-11、內部圖形形卡可點擊放大 設置項項有IGD/PEG,默默認是PEGG。這是設置置開機時從那那個顯卡顯示示。IGD是是內部整合顯顯卡。PEGG就是獨立顯顯卡。 小常識識: IGD是 內置顯顯卡,設為首首選項時系統(tǒng)統(tǒng)首先初始化化IGD。 PPEG是PPCIE顯卡卡,設為首選選項時系統(tǒng)首首先初始化P
5、PEG。 PCCI是PCCI顯卡,設設為首選項時時系統(tǒng)首先初初始化PCII。 4-22、內置顯卡卡共享內存可點擊放大 設置內內置顯卡共享享內存的容量量,設置項有有32M/664M/1228M。這里里設置的是靜靜態(tài)共享顯存存。實際上英英特爾的IGGD還有動態(tài)態(tài)共享顯存,動動態(tài)共享顯存存很大。 4-33、IGD雙雙顯設置可點擊放大 5、UUSB配置可點擊放大 5-11、USB控控制器開啟/關閉USSB控制器,默默認是開啟(可可點擊放大) 5-22、傳統(tǒng)USSB支持可點擊放大 開啟/關閉傳統(tǒng)UUSB支持,默默認是開啟。傳傳統(tǒng)USB就就是USB11.0時代的的USB設備備。 5-33、板載USSB3.
6、0控控制器可點擊放大 開啟/關閉板載UUSB3.00控制器,默默認是開啟。如如果主板上有有第三方的UUSB3.00控制器,就就會有這個選選項。 6、超超級I/O配配置可點擊放大 6-11、超級I/O配置菜單單超級I/O芯片片是F718869(可點點擊放大) 6-22、串口配置置開啟/關閉串口口,默認是開開啟(可點擊擊放大) 6-22-1、設置置串口I/OO地址和中斷斷號可點擊放大 設置項項有自動和若若干IO地址址、中斷號。這這些選擇是避避免地址、中中斷沖突。如如果遇到串口口地址、中斷斷與其他設備備沖突,就要要在這里換一一個試試。 6-33、并口配置置開啟/關閉并口口,默認是開開啟(可點擊擊放大
7、) 6-33-1、設置置并口I/OO地址和中斷斷號可點擊放大 設置項項有自動和若若干IO地址址、中斷號。這這些選擇是避避免地址、中中斷沖突。如如果遇到并口口地址、中斷斷與其他設備備沖突,就要要在這里換一一個試試。 6-33-2、設備備模式可點擊放大 并口設設備有若干模模式,連接并并口設備后,要要根據(jù)設備的的模式在這里里選擇與設備備匹配的模式式。 7、硬硬件監(jiān)控可點擊放大 7-11、監(jiān)控頁面面可點擊放大 7-22、CPU智智能風扇設置置可點擊放大 默認是是關閉的。開開啟CPU智智能風扇首先先要設置目標標溫度。目標標溫度就是CCPU的溫度度,從40到到70度,設設置時選定一一個溫度,就就是說CPU
8、U在達到這個個溫度前風扇扇是低速轉,達達到這個溫度度后風扇加速速。 7-22-1、設置置風扇最小轉轉速可點擊放大設定溫溫度目標后,彈彈出風扇最小小轉速設置,這這里的轉速是是按風扇的實實際轉速百分分比設置的。因因為各種風扇扇的實際轉速速是不一樣,不不能按轉速設設置,只能按按百分比設置置。 7-33、系統(tǒng)風扇扇控制可點擊放大 這里是是控制系統(tǒng)風風扇的轉速,有有三檔,百分分之50、775、1000。系統(tǒng)風扇扇1和2設置置方法相同。微星H61主板BIOS設置22011-077-21 118:31電源管理設置 HYPERLINK /uploadImages/2011/117/XS158MG3P287_0
9、2.JPG 可點點擊放大可點擊放大 HYPERLINK /uploadImages/2011/117/4F726OT0X2MG_01.JPG 開啟啟/關閉EUUP20133,默認是開開啟。EUPP2013是是歐盟新的節(jié)節(jié)能標準,要要求電腦在待待機狀態(tài)時,功功耗降低到歐歐盟的要求。開開啟EUP22013可能能導致開機加加電時間略微微延遲。ACC掉電恢復后后狀態(tài)可點擊放大 有有三種狀態(tài):關機/開機機/掉電前狀狀態(tài),默認是是關機。市電電有時會掉電電,這項設置置就是應對市市電掉點后再再來電電腦是是開機,還是是關機,或者者保持掉電前前的狀態(tài)。CPPU供電相管管理可點擊放大 EUUP20133設置 CPP
10、U供電一般般是多相的脈脈寬調制(PPWM)方式式,當CPUU空閑時不需需要大電流,可可以關閉多余余的供電相,降降低供電電路路的自身耗電電。 CPU供供電相管理有有三項設置,AAPS模式/Intell SVIDD模式/關閉閉,默認是IIntel SVID模模式。 APSS模式(Acctive Phasee Swittchingg)也叫主動動相變換模式式,是微星的的動態(tài)相位切切換功能,其其原理是依據(jù)據(jù)CPU的負負載調控PWWM供電的相相數(shù)。 Inttel SVVID模式(SSeriall Volttage IIdentiificattion)是是英特爾VRRD12供電電規(guī)格采用的的串行電壓識識別。
11、英特爾爾的EISTT就是依據(jù)SSVID總線線偵測CPUU電壓。依據(jù)據(jù)CPU電壓壓來調控PWWM供電的相相數(shù)。 關閉:關閉CPUU供電相切換換功能喚醒醒事件設置可點擊放大喚醒醒事件管理可點擊放大 設置置喚醒事件由由BIOS管管理/OS管管理。BIOOS管理就需需要做下面的的設置。OSS管理就要到到OS里設置置。時鐘鐘喚醒 開啟啟/關閉時鐘鐘喚醒,默認認是關閉。開開啟后彈出時時間設置菜單單(可點擊放放大)設置時分秒(可可點擊放大)PIC/PCIIE設備喚醒醒開啟/關閉PIIC/PCIIE設備喚醒醒,默認是關關閉(可點擊擊放大)可點擊放大USSB設備喚醒醒開啟/關閉USSB設備喚醒醒,默認是關關閉(
12、可點擊擊放大)PSS2鍵盤喚醒醒PS2鍵盤喚醒醒有3項設置置關閉/任何何一鍵/熱鍵鍵(可點擊放放大)開啟/關閉PSS2鼠標喚醒醒,默認是關關閉(可點擊擊放大)熱鍵鍵設置熱鍵有Ctrll+Esc/Ctrl+F1/Cttrl+Sppace(可可點擊放大)超頻頻菜單該菜單主要設置置CPU、GGPU、DRRAM的頻率率、電壓(可可點擊放大)調整整CPU倍率率可點擊放大 回車車彈出倍率選選擇菜單,可可以從中選擇擇。H61不不支持CPUU超頻,倍頻頻菜單最高倍倍率是CPUU默認的倍率率。超內內部PLL電電壓可點擊放大 設置置項有Autto/關閉/開啟,默認認是自動。這這是自動提升升CPU時鐘鐘信號電壓。對
13、對K字CPUU超頻很有幫幫助。但是在在H61主板板BIOS中中出現(xiàn),沒有有用處了。EIIST設置可點擊放大 開啟啟/關閉EIIST,默認認開啟。EIIST全稱為為“Enhaanced Intell Speeed Steep Tecchnoloogy”, 是Inteel公司專門門為移動平臺臺和服務器平平臺處理器開開發(fā)的一種節(jié)節(jié)電技術。到到后來,新推推出的桌面處處理器也內置置了該項技術術。EISTT是根據(jù)處理理器負載來調調節(jié)主頻和電電壓的模塊,它它的觸發(fā)機制制同C1E halt statee是不同的。操操作系統(tǒng)、BBIOS的支支持是必需的的,操作系統(tǒng)統(tǒng)通過ACPPI進行調節(jié)節(jié)。EISTT提供了更多
14、多的CPU頻頻率和電壓調調節(jié)級別,因因此可以比CC1E haalt更加精精確的調節(jié)處處理器的狀態(tài)態(tài)。Tuurbo BBoost設設置可點擊放大 開啟啟/關閉Tuurbo BBoost,默默認開啟。英英特爾第2代代睿頻技術。CCPU可以根根據(jù)負載啟用用核心數(shù)量,并并自動超頻。單單核工作時頻頻率可提高220%。微星H61主板板BIOS設設置32011-077-21 119:02 OCC Geniie按鈕可點擊放大 開啟啟/關閉 OOC Gennie按鈕,默默認是關閉。這這是一鍵超頻頻功能,在HH61主板上上沒有作用。內存存頻率設置可點擊放大 回車車彈出頻率選選擇菜單。HH61也不支支持內存超頻頻,
15、默認的頻頻率最高是11333MHHz。開啟/關閉XMMP,默認是是關閉。XMMP在H611主板上也不不起作用(可可點擊放大)DRRAM時序模模式可點擊放大 這里里的設置有AAuto/LLink/UUnlinkk,Autoo就是按內存存的SPD參參數(shù)自動設置置,Linkk/Unliink是手動動設置,Liink是雙通通道用同一個個時序設置,UUnlinkk是2個通道道分開設置時時序。當設置置了Linkk/Unliink后,下下面的Advvancedd DRAMM Conffiguraation變變?yōu)榭刹僮鞯牡?,以便于手手動設置內存存時序。內存存時序設置可點擊放大第一一梯隊的六個個參數(shù) 這66個參
16、數(shù)是最最重要的,可可以在CPUU-Z里面看看到。其中CCL、RCDD、RP是JJEDEC標標準排名前三三的重要參數(shù)數(shù)。Commmand RRate:命命令速率,也也稱之為CRR,Commmand MMode。設設置參數(shù)有11T/2T/3T。這個個選項是內存存控制器開始始發(fā)送命令到到命令被送到到內存芯片的的延遲。延遲遲時間以周期期為單位。11T當然比22T快。但是是要依據(jù)內存存條的性能。性性能低的設置置1T后肯定定要藍屏死機機。一般保持持Auto設設置即可,讓讓BIOS自自己去設置。t CL:參數(shù)范圍5-15T。CL就是CAS# Latency,列地址選通潛伏時間,指的是“內存讀寫操作前列地址控
17、制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址,或者說是內存矩陣中的列地址,所以它是最為重要的參數(shù),在穩(wěn)定的前提下應該盡可能設低。 tRCD:參數(shù)范圍4-15T。RCD就是RAS# to CAS# Delay,行地址到列地址的延遲時間,數(shù)值越小,性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時,需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。JEDEC規(guī)范中,它是排在第二的參數(shù),降低此延時,可以提高系統(tǒng)性能,如果該值設置太低,同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。tRP:參數(shù)范圍4-15T。RP就是Row# precharge Delay,內存行地址選通脈沖預充電時間。也叫做
18、“內存行地址控制器預充電時間”,預充電參數(shù)越小則內存讀寫速度就越快。tRP用來設定在另一行能被激活之前,RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)大會導致所有的行激活延遲過長,參數(shù)小可以減少預充電時間,從而更快地激活下一行。該參數(shù)的大小取決于內存顆粒的體質,參數(shù)小將獲取最高的性能,但可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失,內存控制器不能順利地完成讀寫操作,從而導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)值大將提高系統(tǒng)的穩(wěn)定。 這3個參數(shù)是JEDEC規(guī)范中最重要的參數(shù),參數(shù)值越低,內存讀寫操作越快,但穩(wěn)定性下降,相反數(shù)值越高,讀寫速度降低,穩(wěn)定性越高。 tRAS:參數(shù)范圍10-40T。RAS就是Row# active Delay,內存行
19、地址選通延遲。即“內存行有效至預充電的最短周期”,調整這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定,并不是說越大或越小就越好。如果tRAS的周期太長,系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期,則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短,則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸,這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能,應盡可能降低tRAS的值,但如果發(fā)生內存錯誤或系統(tǒng)死機,則應該增大tRAS的值。 tRFC:參數(shù)范圍48-200T。RFC就是Refresh Cycle Time,刷新周期時間。它是
20、“SDRAM行刷新周期時間”,它是行單元刷新所需要的時鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發(fā)送刷新指令(即:REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。DRRAM參數(shù)的的第二梯隊 tWWR:參數(shù)范范圍5-166T。WR就就是Writte Reccoveryy Timee,寫恢復延延時。該值指指的是在一個個激活的baank中完成成有效的寫操操作及預充電電前,必須等等待多少個時時鐘周期。這這段必須的時時鐘周期用來來確保在預充充電發(fā)生前,寫寫緩沖中的數(shù)數(shù)據(jù)可以被寫寫進內存單元元中。同樣的的,過低的ttWD雖然提提高了系統(tǒng)性性能,但可能能導致數(shù)據(jù)還還未
21、被正確寫寫入到內存單單元中,就發(fā)發(fā)生了預充電電操作,會導導致數(shù)據(jù)的丟丟失及損壞。 tWTR:參數(shù)范圍4-15T。WTR就是Write to Read Delay,寫到讀延時。這個參數(shù)設定向DDR內存模塊的同一個單元中,在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。tWTR值偏高,降低了讀性能,但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低則提高讀寫性能,但系統(tǒng)會不穩(wěn)定。 tRRD:參數(shù)范圍1-15T。RRD就是Row to Row Delay,行到行延遲。也稱為RAS to RAS delay ,表示“行單元到行單元的延時”。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發(fā)送激活指令(即:REF指令)
22、之間的時間間隔。tRRD值越小越好。延遲越低,表示下一個bank能更快地被激活,進行讀寫操作。然而,由于需要一定量的數(shù)據(jù),太短的延遲會引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。如果出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況,需將此值設定較高的時鐘參數(shù)。 tRTP:參數(shù)范圍4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time,內部讀取到預充電命令時間。這個參數(shù)實際上就是讀命令和預充電明令之間的時間間隔。如果參數(shù)值過小,系統(tǒng)運行很快,但不穩(wěn)定。 tFAW:參數(shù)范圍4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time,內存四項動作成功時間。該選項通常設置為Auto即可,對性能以及穩(wěn)定性影響不大。 tWCL:參數(shù)范圍5-
23、15T。WCL就是Write CAS Latency,寫指令到行地址控制器延時。SDRAM內存是隨機訪問的,這意味著內存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址,大多數(shù)情況下,數(shù)據(jù)通常寫入距離當前列地址最近的頁面。這個參數(shù)和tCL(CAS-Latency)是相對的,tCL是“讀”的延遲,tWCL是“寫”的延遲。 tCKE:參數(shù)范圍3-15T。CKE是時鐘有效信號(Clock Enable),在這里這個參數(shù)叫做CKE Minimum Plus Width,就是CKE最小脈沖寬度。 tRTL:參數(shù)范圍24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency,在一個UCLK(NB Clock
24、)內往返讀取若干單元之間的最小延遲。高級級通道1時序序配置 這個個梯隊是讀寫寫通道1內存存的特殊參數(shù)數(shù)(可點擊放放大) tRRRDR:RRead-RRead DDifferrent RRank,ssame DDIMM。這這個參數(shù)的含含義是在同一一個DIMMM(就是同一一條內存)內內,讀取不同同RANK的的延遲。 tRRRDD:RRead-RRead DDifferrent RRank。這這個參數(shù)的含含義是讀取不不同RANKK的延遲(包包括了所有DDIMM)。tWWDR:Write-Write Different Rank,same DIMM。這個參數(shù)的含義是在同一個DIMM(就是同一條內存)內
25、,寫不同RANK的延遲。tWWDD:Write-Write Different Rank。這個參數(shù)的含義是寫不同RANK的延遲(包括了所有DIMM)。tRWDRDD:Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。這個參數(shù)的含義是在同一內存條或不同內存條上讀-寫不同的RANK的延遲。 tWRDRDD:Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。這個參數(shù)的含義是在同一內存條或不同內存條上寫-讀不同的RANK的延遲。 tRWSR:Read-Write Same Rank。這個參數(shù)的含義是讀-
26、寫同一個RANK的延遲。JEDDEC的DDDR3時序表表可點擊放大集顯顯超頻開啟/關閉集顯顯超頻,默認認是開啟(可可點擊放大)可點擊放大 集顯顯超頻也是設設置GPU的的倍率。因為為基頻與CPPU相同??煽梢枣I入數(shù)字字,也可以用用+/-鍵調調整倍頻。 HYPERLINK /uploadImages/2011/117/4F726OT0X2MG_01.JPG 今日日這篇主要介介紹電源管理理、喚醒事件件設置、熱鍵鍵設置與超頻頻菜單、內存存時序、集顯顯超頻等設置置方法,大家家看明白了嗎嗎?有任何問問題都可以在在下面留言板板中進行留言言,筆者看到到后會第一時時間內回復您您,看YESSKY主板頻頻道文章,您
27、您將成為DIIY圈中高手手,朋友們眼眼中的電腦狂狂人。微星H61主板板BIOS設設置52011-077-21 119:11頻展設設置開啟/關閉頻展展,默認是開開啟。這項設設置有利于超超頻穩(wěn)定 HYPERLINK /memory/ 內存電電壓設置Auto是內存存條的默認電電壓。如果有有因為內存兼兼容不良而藍藍屏死機,可可以適當提高高高內存電壓壓 HYPERLINK /cpu/ CPUU特征設置 HYPERLINK /cpu/ CPUU核心設置設置CPU工作作的核心。設設置項隨CPPU的核心數(shù)數(shù)而變化CPUUID最大限限制開啟/關關閉CPUIID最大限制制,默認是關關閉。這項設設置的含義是是限制執(zhí)
28、行CCPUID指指令返回最大大數(shù)值大。CCPU IDD 包括了用用戶計算機當當今的信息處處理器的信息息。 信息包包括型號,信信息處理器家家庭,高速緩緩存尺寸,時時鐘速度和制制造廠coddenamee 等。 通通過查詢可以以知道一些信信息:晶體管管數(shù),針腳類類型,尺寸等等。較新的 CPU 執(zhí)執(zhí)行 CPUUID 指令令后因返回最最大數(shù)值可能能會造成某些些 HYPERLINK /os/ 操作系統(tǒng)誤動動作。WINNDOW不需需要開啟。擴展禁禁止位開啟/關關閉擴展禁止止位,默認是是開啟。Exxecutee Disaable BBit是Inntel在新新一代處理器器中引入的一一項功能,開開啟該功能后后,可
29、以防止止病毒、蠕蟲蟲、木馬等程程序利用溢出出、無限擴大大等手法去破破壞系統(tǒng) HYPERLINK /memory/ 內存存并取得系統(tǒng)統(tǒng)的控制權。其其工作原理是是:處理器在在內存中劃分分出幾塊區(qū)域域,部分區(qū)域域可執(zhí)行應用用程序代碼,而而另一些區(qū)域域則不允許。當當然,要實現(xiàn)現(xiàn)處理器的“EExecutte Dissable Bit”功功能,還需要要操作系統(tǒng)的的配合才行?,F(xiàn)現(xiàn)在Winddows系統(tǒng)統(tǒng)、Linuux 9.22及Red Hat EEnterpprise Linuxx 3 Uppdate 3等均支持持這一功能。 虛擬機機設置開啟/關閉虛擬擬機,默認是是關閉的。安安裝虛擬機時時請開啟I/OO 虛
30、擬分配配技術設置開啟/關關閉I/O 虛擬分配技技術,默認是是關閉。安裝裝虛擬機時請請開啟。英特特爾 VT-d 是英特特爾虛擬化技技術硬件架構構的最新成員員。VT-dd 能夠改進進應用的兼容容性和可靠性性,并提供更更高水平的可可管理性、安安全性、隔離離性和 I/O 性能,從從而幫助 VVMM 更好好地利用硬件件。通過使用用構建在英特特爾芯片組內內部的 VTT-d 硬件件輔助,VMMM 能夠獲獲得更出色的的性能、可用用性、可靠性性、安全性和和可信度。 HYPERLINK /power/ 電源技技術設置設置項有關閉(DDisablle)/能效效(Enerrgy Effficieent)/自自選(Cu
31、sstom),默默認是自選C1EE支持開啟/關關閉C1E支支持,默認關關閉。C1EE的全稱是CC1E ennhanceed hallt staat,由 HYPERLINK /os/ 操作作系統(tǒng)HLTT命令觸發(fā),通通過調節(jié)倍頻頻降低處理器器的主頻,同同時還可以降降低電壓。超頻保保護開啟/關閉超頻頻保護,默認認是開啟C-SState開啟/關關閉C-Sttate,默默認是開啟。CC-Statte是ACPPI定義的處處理器的 HYPERLINK /power/ 電源源狀態(tài)。處理理器電源狀態(tài)態(tài)被設計為CC0,C1, HYPERLINK /product/201/201367/ C2,C3.Cn。CC0電
32、源狀態(tài)態(tài)是活躍狀態(tài)態(tài),即 HYPERLINK /cpu/ CPUU執(zhí)行指令。CC1到Cn都都是處理器睡睡眠狀態(tài),即即和C0狀態(tài)態(tài)相比,處理理器消耗更少少的能源并且且釋放更少的的熱量。但在在這睡眠狀態(tài)態(tài)下,處理器器都有一個恢恢復到C0的的喚醒時間,不不同的C-SState要要耗費不同的的喚醒時間。 C-SState與與C1E的區(qū)區(qū)別:C-SState是是ACPI控控制的休眠機機制,C1EE是HLT指指令控制的降降低CPU頻頻率節(jié)能。CC1E是C00狀態(tài)下的節(jié)節(jié)能。Pacckage C Staate Liimit這是設置置C狀態(tài)限制制。如果限制制到C0,CC1E就不起起作用,如果果限制到C22,就
33、不能進進入C3更節(jié)節(jié)能的狀態(tài),默默認是自動,超超頻時也可以以設置為Noo Limiit(不限制制)。微星H61主板板BIOS設設置62011-077-21 119:24功耗設設置Longg Duraation powerr limiit(W):長時間TDDP限制(瓦瓦)。從功耗耗角度設定TTDP,設置置范圍0-2255W。想想超頻解開TTDP限制就就得靠它,設設為200已已經(jīng)足夠。Loong Duuratioon maiintainned(mss):長時間間TDP限制制(毫秒)。從從時間角度設設定TDP,設設置范圍0-320000毫秒(322秒)。SShort Durattion ppower limitt(W):短短時間TDPP限制(瓦)。從從功耗角度設設定短時間TTDP,設置置范圍0-2255W。這這是設置TuurboBBoost可可以在短時間間內超出TDDP限制,但但是不能超過過這個功耗。以上上三項設置對對于H61沒沒有意義。Prrimaryy Planne Turrbo Poower LLimit(WW):第一平平臺Turbbo功耗限制制(瓦),設設置范圍0-255W。這這是集顯作為為主顯的Tuurbo超頻頻功耗限制。Seecondaary Plla
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