存儲器系統(tǒng)題庫

1、3章積蓄器系統(tǒng)一選擇題1計算機(jī)工作中只讀不寫的積蓄器是()。(A)DRAM(B)ROM(C)SRAM(D)EEPROM2下面關(guān)于主積蓄器（也稱為內(nèi)存)的表達(dá)中，不正確的選項是()。當(dāng)前正在執(zhí)行的指令與數(shù)據(jù)都必定存放在主積蓄器內(nèi)，否則辦理器不能夠進(jìn)行辦理積蓄器的讀、寫操作，一次僅讀出或?qū)懭胍粋€字節(jié)字節(jié)是主積蓄器中信息的基本編址單位從程序設(shè)計的角度來看，cache（高速緩存）也是主積蓄器3CPU對積蓄器或I/O端口完成一次讀/寫操作所需的時間稱為一個()周期。(A)指令(B)總線(C)時鐘(D)讀寫4存取周期是指()。(A)積蓄器的寫入時間(B)積蓄器的讀出時間(C)積蓄器進(jìn)行連續(xù)寫操作同意的最短

2、時間間隔(D)積蓄器進(jìn)行連續(xù)讀/寫操作同意的最短時間3間隔5下面的說法中，()是正確的。(A)EPROM是不能夠改寫的(B)EPROM是可改寫的，所以也是一種讀寫積蓄器(C)EPROM是可改寫的，但它不能夠作為讀寫積蓄器(D)EPROM只能改寫一次6主存和CPU之間增加高速緩存的目的是()。(A)解決CPU和主存間的速度般配問題(B)擴(kuò)大主存容量(C)既擴(kuò)大主存容量，又提高存取速度(D)增強(qiáng)CPU的運(yùn)算能力7采用虛假積蓄器的目的是()。(A)提高主存速度(B)擴(kuò)大外存的容量(C)擴(kuò)大內(nèi)存的尋址空間(D)提高外存的速度8某數(shù)據(jù)段位于以70000初步的積蓄區(qū)，若該段的長度為64KB，其末地點是()

3、。(A)70FFFH(B)80000H(C)7FFFFH(D)8FFFFH9微機(jī)系統(tǒng)中的積蓄器可分為四級，其中積蓄容量最大的是()。內(nèi)存(B)內(nèi)部存放器(C)高速緩沖積蓄器(D)外存10下面的說法中，()是正確的。(A)指令周期等于機(jī)器周期(B)指令周期大于機(jī)器周期(C)指令周期小于機(jī)器周期(D)指令周期是機(jī)器周期的兩倍11計算機(jī)的主內(nèi)存有3K字節(jié)，則內(nèi)存地點存放器需()位就足夠。(A)10(B)11(C)12(D)1312若256KB的SRAM擁有8條數(shù)據(jù)線，那么它擁有()地點線。(A)10(B)18(C)20(D)3213能夠直接存取1M字節(jié)內(nèi)存的微辦理器，其地點線需()條。(A)8(B)

4、16(C)20(D)2414規(guī)格為40968的積蓄芯片4片，組成的積蓄體容量為()。(A)4KB(B)8KB(C)16KB(D)32KB15一個有16字的數(shù)據(jù)區(qū)，其初步地點為70A0：DDF6H，則該數(shù)據(jù)區(qū)末字單元的物理地點為（）。（A）14E96H（B）7E814H（C）7E7F6H（D）7E816H16某微型計算機(jī)可直接尋址64M字節(jié)的內(nèi)存空間，其CPU的地點總線最少應(yīng)有()條。（A）20（B）30（C）16（D）2617關(guān)于地點總線為32位的微辦理器來說，其直接尋址范圍可達(dá)（）。A）64MB（B）256MB（C）512MB（D）4GB18平時高速緩存是由快速()組成。(A)SRAM(B)

5、DRAM(C)EEPROM(D)Flash19CPU在執(zhí)行指令的過程中，每完成一次對積蓄器或I/O端口的接見過程，稱為（）。時鐘周期(B)總線周期(C)總線讀周期(D)總線寫周期20某CPU有32條地點線，與之相連的一個I/O芯片的口地點為210H21FH，則該I/O芯片的片選信號最少應(yīng)由（）條地點線譯碼后產(chǎn)生。(A)16(B)10(C)4(D)621.采用高速緩存Cache的目的是(B)。(A)提高總線速度（B)提高主存速度（C）使CPU全速運(yùn)行（D）擴(kuò)大尋址空間22.貨倉的工作方式是(D)。（A）先進(jìn)先出（B）隨機(jī)讀寫（C）只能讀出，不能夠?qū)懭耄―）后進(jìn)先出是指(D)。（A）隨機(jī)讀寫積蓄器

6、（B）可編程只讀積蓄器（C）只讀積蓄器（D）可擦除可編程只讀積蓄器24.連續(xù)啟動兩次獨立的積蓄器操作之間的最小間隔叫（A）。（A）存取時間（B）讀周期（C）寫周期（D）存取周期25.對積蓄器接見時，地點線有效和數(shù)據(jù)線有效的時間關(guān)系應(yīng)該是（C）。（A）數(shù)據(jù)線較先有效（B）二者同時有效（C）地點線較先有效（D）同時高電平26微機(jī)的內(nèi)存器可用（A）組成。（A）RAM和ROM（B）硬盤（C）軟盤（D）光盤27和外積蓄器比較，內(nèi)積蓄器的特點是（C。（A）容量大、速度快、成本低（B）容量大、速度慢、成本高（C）容量小、速度快、成本高（D）容量小、速度快、成本低28若內(nèi)存容量為64KB，則接見內(nèi)存所需地點線

7、(A)條（A）16（B）20（C）18（D）1929若用6264SRAM芯片（8K8位）組成128KB的積蓄器系統(tǒng)，需要（A）片6264芯片。（A）16（B）24（C）32（D）6430若內(nèi)存容量為64KB，則接見內(nèi)存所需地點線(A)條。（A）16（B）20（C）18（D）19斷電后積蓄的資料會扔掉的積蓄器是(A)（A）RAM（B）ROM（C）CD-ROM（D）硬盤32斷電后積蓄的資料會扔掉的積蓄器是(A)。（A）RAM（B）ROM（C）CD-ROM（D）硬盤33.連接到（A）464000H6FFFF地點范圍上的積蓄器用（B）8（C）6（D）128K8位芯片組成，該芯片需要()片。二、判斷題1

8、靜態(tài)隨機(jī)積蓄器中的內(nèi)容能夠永久保存。2總線周期是指CPU執(zhí)行一條指令所需的時間。3靜態(tài)隨機(jī)積蓄器中的內(nèi)容能夠永久保存。4Cache是一種快速的靜態(tài)RAM，它介于CPU與內(nèi)存之間。5尋址256M字節(jié)內(nèi)存空間，需28條地點線。6無論采用何種工藝，動向RAM都是利用電容積蓄電荷的原理來保存信息的。19EPROM是指可擦除可編程隨機(jī)讀寫積蓄器。36某內(nèi)存模塊的地點范圍為80000H0BFFFFH，該模塊的容量為256K（）三、填空題1為保證動向RAM中的內(nèi)容不用逝，需要進(jìn)行()操作。216K字節(jié)的積蓄芯片有()根地點線，用它組成64K空間的積蓄器共需()片，與8位機(jī)相連時需地點譯碼器74LS138最少

9、()片，若要求該地點空間為連續(xù)的，則譯碼器的引腳A應(yīng)接地點線()，引腳B接地點線()，引腳C接地點線()。3隨機(jī)積蓄器RAM主要包括()和()兩大類。4組成64K*8的積蓄系統(tǒng)，需8K*1的芯片()片。5某積蓄模塊的容量為64K，它的初步地點若為20000H，則末地點應(yīng)為()。6某RAM芯片的積蓄容量是8K8bit，則該芯片引腳中有幾根地點線幾根數(shù)據(jù)線如已知某半導(dǎo)體積蓄器芯片SRAM的引腳中有14根地點線和8根數(shù)據(jù)線，那么其積蓄容量應(yīng)為（）。7電路結(jié)構(gòu)以下，請給出圖中RAM1和RAM2的地點范圍。8某RAM芯片的積蓄容量是4K8位，該芯片引腳中有（）根地點線，（）根數(shù)據(jù)線。9某16位微機(jī)系統(tǒng)的

10、地點總線為20位，其積蓄器中RAM的容量為128KB，首地點為80000H，且地點是連續(xù)的。問可用的最高地點是()H。10.用2K8的SRAM芯片組成32K16的積蓄器，共需SRAM芯片（）片，產(chǎn)生片選信號的地點最少需要（）位。中地點/數(shù)據(jù)線分時復(fù)用，為保證總線周期內(nèi)地址牢固，應(yīng)配置（），為提高總線驅(qū)動能力，應(yīng)配置（）。12、8086和8088的地點總線有（）根，能尋址（）MB的積蓄器空間。13組成32M*8位的積蓄器，需要1M*4位的積蓄芯片共（）片。從偶地點中按字節(jié)讀時，積蓄器數(shù)據(jù)進(jìn)入數(shù)據(jù)總線的()；從奇地點按字節(jié)讀時，進(jìn)入數(shù)據(jù)總線的()。151KB=_1024_字節(jié)，1MB=_1024_

11、KB。16某8086微辦理器系統(tǒng)中設(shè)計了一個積蓄為128KB的SRAM積蓄器模塊，約定該積蓄器模塊的初步地點為80000H，則該積蓄器模塊的末地點為()。17.設(shè)微機(jī)的地點總線為16位，其RAM積蓄器容量為32KB，首地點為4000H，且地點是連續(xù)的，則可用的最高地點是()。四做圖題1、設(shè)某計算機(jī)要用32K*4的動向RAM積蓄器芯片擴(kuò)展128K*8的積蓄器。請回答：(1)擴(kuò)展該積蓄器系統(tǒng)共需要幾片RAM芯片(2)每塊芯片應(yīng)該有多少根數(shù)據(jù)線和多少根地點線(3)試畫出積蓄器的組成圖，并與CPU連接（設(shè)CPU有20根地點線）。(4)依照所畫出的連接圖，確定其地點空間范圍2、將一個8086微機(jī)系統(tǒng)再用

12、16K*8的積蓄器芯片，它占的地點為D0000H至D7FFFH，試畫出該積蓄器與CPU的接口圖。3、用16K*8的SRAM積蓄器芯片組成的64K字節(jié)的RAM積蓄器電器，試回答以下問題：(1)試畫出積蓄器的組成圖，并與CPU連接，要求所組成的積蓄器空間從10000H開始并且是連續(xù)的。(2)求各積蓄器的地點范圍。一、選擇題1(B)2(B)3(B)4(D)5(C)6(A)7(C)8(C)9(D)10(B)11(C)12(B)13(C)14(C)15(B)16(D)17(D)18(A)19(B)20(D)21(B)22(D)23(D)24(A)25(C)26(A)27(C)28(A)29(A)30(A)31(A)32(A)33(A)34(A)35(C)二、判斷題1234567