五邑大學光電技術試題3

試卷編號11111 i 1 ii I i I■ i i i i i i1 i i i i i iI I I i I I I■i1!命題人：李陽 審核人：試卷分類（A卷或B卷）_: 五邑大學試卷:學期：2012至2013學年度第1學期!課程： 光電子技術 課程代號：010A1860■使用班級：AP10221、AP10222姓名：學號：題號一二三四五六總分得分單選題：（50分，每小題2分）請將正確的答案填入下表中：題號12345678910答案題號11121314151617181920答案i1、從光源的分類上分，汞燈屬于：（B）! （A）熱輻射光源；（B）氣體放電光源；（C）激光光源；（D）電致發(fā)光光源。|2、在輻射度學的基本物理量中，描述點輻射源的輻射功率在不同方向上分布的物理量是（C）（A）輻射能；（B）輻射通量；（C）輻射強度；（D）輻射出射度。13、從輻射通量與光通量之間的換算關系可知，1W二（A）lm.； （A）683； （B）386； （C）836； （D）638。i4、絕對黑體的溫度決定了它的輻射光譜分布，隨著溫度T的升高，峰值波長將（A）。m: （A）向短波方向移動；（B）向長波方向移動；（C）不移動；（D）隨機移動?！?、日光燈是一種低壓汞燈，發(fā)出波長為（B）nm紫外光源，再激發(fā)熒光粉發(fā)了可見光。i （A）283.7； （B）253.7； （C）353.7； （D）333.7。|6、激光器的構成一般由（A）組成。i （A）激勵能源、諧振腔和工作物質(zhì)（B）固體激光器、液體激光器和氣體激光器! （C）半導體材料、金屬半導體材料和PN結材料（D）電子、載流子和光子II?、熱釋電器件是由TGS、LiTaO3等熱電晶體材料組成的，但不論哪種材料，都有一個特定溫度，稱居里1溫度。只有（C）居里溫度，材料才有自發(fā)極化性質(zhì)。' （A）等于；（B）高于； （C）低于；（D）不等于。18、某種調(diào)制的特點是，其優(yōu)點是容易實現(xiàn)，能對輻射的任何光譜成分進行調(diào)制；其缺點是：有運動部!分，壽命較短，體積較大，調(diào)制頻率不高。這種調(diào)制是（D）； （A）電光調(diào)制； （B）聲光調(diào)制； （C）磁光調(diào)制； （D）機械調(diào)制。|9、電光調(diào)制是指在強電場作用下介質(zhì)折射率改變而產(chǎn)生的光調(diào)制。電光調(diào)制又分為橫向運用和縱向運|用。（A）可以消除自然雙折射而引起的相位差。； （A）橫向運用； （B）縱向運用； （C）兩種運用都； （D）兩種運用都不。|10、當用斬波器調(diào)制入射光，使矩形光脈沖（周期小于^Q的平均壽命）作用到熱電晶體表面的黑吸收|層上，交變的乙T使得晶體表面始終存在正比于入射光強的極化電荷。這種現(xiàn)象稱為（C）。i （A）熱電導效應； （B）熱壓效應； （C）熱釋電效應； （D）光熱效應?！?1、在光電探測器的噪聲中，有一種是功率譜大小與頻率無關的噪聲，通常稱為白噪聲。下列噪聲中，|屬于白噪聲的是（A）。； （A）熱噪聲和散粒噪聲； （B）產(chǎn)生-復合噪聲和1/f噪聲；! （C）產(chǎn)生-復合噪聲； （D）1/f噪聲。!12、載流子因濃度不均勻而發(fā)生的定向運動稱為擴散。由于擴散的作用，流過單位面積的電流稱為擴散i電流密度，即： dn dp! JnD次芯4FpdX' 從上兩式可看出，擴散電流密度與正比于光生載流子的濃度（）。i （A）梯度； （B）散度；（C）旋度； （D）以上都不對。113、摻有雜質(zhì)的半導體在光照下，中性施主的束縛電子可以吸收光子而躍遷到導帶，同樣，中性受主的|束縛空穴可以吸收光子而躍遷到價帶，這種吸收稱為（B）。i （A）本征吸收；（B）雜質(zhì)吸收；! （C）激子吸收 （D）晶格吸收。；14、無光照時，材料具有一定的電導，稱為（）；相應地，有光照時的電導稱為（）。亮電導與暗i電導之差稱為（）。請選擇正確的答案（A）。! （A）暗電導---亮電導---光電導； （B）亮電導---暗電導---光電導；； （C）光電導---暗電導---亮電導； （D）暗電導---光電導---亮電導。；15、如圖所示為結型光電器件的伏安特性曲線，若結型光電器件工作在（）象限時，稱之為（）模|式，相應的探測器件被稱為（）。請選擇正確的答案（D）TOC\o"1-5"\h\z\ （A）第三---光伏工作---光敏二極管； -i （B）第四---光伏工作---光每二極管； 1」=。 ■"為我■ （C）第三---光伏工作---光電池； ； ①二/i （D）第四---光伏工作---光電池。 4—至 /116、 “光電二極管與光電池相比較，其特性有所不同，下列的說 '|法不不正確的是（A）。i （A）它們的摻雜濃度不同，光電池摻雜濃度較低，而光電二極管摻雜濃度高；! （B）它們的電阻率不同，光電池的電阻率低；；（C）X作電壓偏置條件不同，光電池通常在零偏置下工作，而硅光電二極管通常在反向偏置下工作;i （D）它們的光電流的大小不同，硅光電二極管的光電流小得多，通常在微安級。I'17、光生伏特效應是指當半導體PN結受光照射時，光子在（D）激發(fā)出電子一空穴對，在自建電場i的作用下，電子流向N區(qū)，空穴流向P區(qū)，使P區(qū)和N區(qū)兩端產(chǎn)生電位差,P端為正，N端為負。I! （A）P區(qū)；（B）N區(qū)； （C）中間區(qū)； （D）結區(qū)。；18、對于光電發(fā)射效應，下列說法不正確的是（D）。I （A）光電發(fā)射效應，又稱外光電效應；! （B）金屬光電發(fā)射量子效率都很低,且大多數(shù)金屬的光譜響應都在紫外或遠紫外區(qū)；i （C）半導體光電發(fā)射的量子效率遠高于金屬：光電發(fā)射的過程是體積效應，表面能帶彎曲降低了電1子逸出功，特別是負電子親和勢材料（NEA）；■ （D）良好的光電發(fā)射體，應該具備的基本條件之一是表面勢壘高。[19、使光學圖像變成視頻信號的器件叫攝像器件，包括攝像管、電荷耦合器件、CMOS圖像傳感器。而攝1像管其實就是一個能夠輸出視頻信號的（B）。' （A）光敏電阻；（B）真空光電管； （C）發(fā)光二極管； （D）光電二極管。；20、以下關于CMOS圖像傳感系統(tǒng)的描述不正確的是（D）。! （A）CMOS圖像傳感器的像元結構包括無源像素（PPS）結構和有源像素（APS）結構；；（B）CMOS攝像器件集成能力強、體積小、工作電壓單一、功耗低、動態(tài)范圍寬、抗輻射和制造成本i低；! （C）CMOS攝像器件需進一步提高器件的信噪比和靈敏度；；（D）難與驅(qū)動電路及信號處理電路單片集成，需要使用相對高的工作電壓，制造成本比較高。i21.CCD的基本功能是信號（C）的產(chǎn)生、存儲、傳輸和檢測。! （A）載流子； （B）電子；（C）電荷； （D）聲子。

[22、電荷耦合器件CCD,一般分為線陣和面陣兩種。以2048像元的雙列兩相線陣CCD為例，其結構主要! 由光敏區(qū)、（D）和移位寄存器組成?！?（A）光敏柵； （B）光電柵；（C）控制柵； （D）轉(zhuǎn)移柵。[23、超扭曲向列型液晶器件（STN-LCD），液晶盒中的液晶分子從上到下扭曲的角度為（D）。! （A） 60°； （B） 90°； （C） 180； （D） 180° ?270°?！?4、有源矩陣液晶顯示器件AM-LCD是在每一個像素上設計一個非線性的有源器件TFT即（D），使每i個像素可以被獨立驅(qū)動，克服交叉效應，可以提高液晶的分辨率和實現(xiàn)多灰度級顯示。! （A）結型晶體管；（B）柵型晶體管； （C）薄膜二極管； （D）薄膜晶體管。II.5、液晶分子排列整齊，分子能在層內(nèi)滑動，但不能在上下層之間移動。材料表現(xiàn)出粘度和表面張力!都比較大，對外界電、磁、溫度等的變化不敏感。這種液晶屬于（A）。' （A）近晶相；（B）向列相；（C）膽甾相； （D）混合相。；（本題10分）現(xiàn)用一束波長為1.06Mm的激光通過KDP晶體做橫向電光調(diào)制實驗，已知KDP負單軸晶1體的O光折射率— ，其光電系數(shù)_ 。倘若半波電壓值為14.5V，晶體通光長|度為0.05m，試求晶體的厚度至少為多少?3=10.6x10一” —2〃3丫 L063i 人d —2〃3丫 L063\ U%=i（本題10分）一只白熾燈，假設各向發(fā)光均勻，懸掛在離地面1.5米的高處，用照度計測得正下方地1面的照度為30lx，試求此燈的光通量?！鏊?、i（本題10分）一束波長為635nm、功率為3mW的單色光，其光通量為多少？倘若該光束由一個小的面光1源發(fā)射出來，發(fā)光面的直徑為1mm，發(fā)散角為1mrad，并且人眼只能觀看1cd/cm2的亮度，試求所戴TOC\o"1-5"\h\z；保護眼鏡的透過率應為多少？（已知635nm的明視覺光譜光視效率購）=0.25 ）!五、；（本題10分）在T=300K（室溫）時，硅光電池2CR21（光敏面積為5mmX5mm），在輻射度L「