三極管電路設(shè)計基礎(chǔ) - 電子元器件_第1頁
三極管電路設(shè)計基礎(chǔ) - 電子元器件_第2頁
三極管電路設(shè)計基礎(chǔ) - 電子元器件_第3頁
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PAGEPAGE3三極管電路設(shè)計基礎(chǔ)-電子元器件在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO90149015為仿真電路圖不是很完整，該電路為晶振關(guān)閉功能電路，其中接MCU(XIN)。Q1Q3VO0R3和R4470K)使得Q2和Q3和態(tài);Q3Q1R5Q1Q2Q1有Q1R5=100K時，仿真圖如下：R5=470K時，仿真圖如下：通過以上分析可以得出只有當(dāng)電流足夠大時才能使Q2導(dǎo)通而關(guān)閉晶振，以上是一個較復(fù)雜的組合開關(guān)電路。功率器件在嵌入式電路設(shè)計中，很少使用到功率放大電路，昨天將大學(xué)模電讀之后才發(fā)現(xiàn)當(dāng)時只是死記硬背而沒有真正領(lǐng)悟。靜態(tài)工作點(diǎn)不但決定是否會失真，而且還影響電壓放大倍數(shù)、輸入ICEQ下圖是典型的靜態(tài)工作點(diǎn)電路圖ABQI1IBQVBQ=Rb1*VCC/Rb2+Rb1ICEVEQVBE=VBQ–VEQVBEIBEICEREQ越強(qiáng)，Q其他穩(wěn)定Q工作點(diǎn)電路以上為利用二極管方向特性和正向特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)碾娐?。對圖AIRB=ID+IBE，當(dāng)溫度上升時ICE和ID電流隨溫度升高變大)，這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。

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