帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件

通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題”的難點(diǎn)突破方法通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題1對(duì)解題能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式，構(gòu)成比較全面的基本類(lèi)型題目庫(kù)，隨考試要求和學(xué)生程度再做微調(diào)。帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)受力大?。鍋銎澚?V//Bf=0V⊥Bf=Bqv受力方向左手定則（f⊥B、f⊥v)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)v垂直磁場(chǎng)勻強(qiáng)磁場(chǎng)只受洛侖茲力核心公式:f洛=F向?qū)忸}能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式2RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：重視基本公式，不要過(guò)于強(qiáng)調(diào)記憶導(dǎo)出公式，避免負(fù)遷移?！半y題”的難點(diǎn)突破方法RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：3解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)要點(diǎn)關(guān)健點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備幾何知識(shí)判受力定圓心畫(huà)軌跡＋必備幾何知識(shí)幾何半徑和運(yùn)動(dòng)半徑幾何角度和運(yùn)動(dòng)時(shí)間運(yùn)動(dòng)半徑和運(yùn)動(dòng)時(shí)間作圖聯(lián)系過(guò)程幾何知識(shí)決定成敗“難題”的難點(diǎn)突破方法解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備判受4VV學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度V發(fā)射正粒子。請(qǐng)畫(huà)軌跡圖？VV學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度5V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度V發(fā)射正粒子。請(qǐng)畫(huà)軌跡圖V變大V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度V6V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)V不變，磁場(chǎng)有界V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)V不變，磁場(chǎng)有界7進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出斜進(jìn)斜出“難題”的難點(diǎn)突破方法進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出“難題”8通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題”的難點(diǎn)突破方法通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題9對(duì)解題能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式，構(gòu)成比較全面的基本類(lèi)型題目庫(kù)，隨考試要求和學(xué)生程度再做微調(diào)。帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)受力大?。鍋銎澚?V//Bf=0V⊥Bf=Bqv受力方向左手定則（f⊥B、f⊥v)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)v垂直磁場(chǎng)勻強(qiáng)磁場(chǎng)只受洛侖茲力核心公式:f洛=F向?qū)忸}能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式10RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：重視基本公式，不要過(guò)于強(qiáng)調(diào)記憶導(dǎo)出公式，避免負(fù)遷移?！半y題”的難點(diǎn)突破方法RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：11解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)要點(diǎn)關(guān)健點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備幾何知識(shí)判受力定圓心畫(huà)軌跡＋必備幾何知識(shí)幾何半徑和運(yùn)動(dòng)半徑幾何角度和運(yùn)動(dòng)時(shí)間運(yùn)動(dòng)半徑和運(yùn)動(dòng)時(shí)間作圖聯(lián)系過(guò)程幾何知識(shí)決定成敗“難題”的難點(diǎn)突破方法解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備判受12進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出斜進(jìn)斜出“難題”的難點(diǎn)突破方法進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出“難題”13AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：進(jìn)出兩界線(xiàn)自己畫(huà)一界線(xiàn)vAB沒(méi)有邊界自己作進(jìn)出兩界線(xiàn)怎樣定？AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界14徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角＝等于轉(zhuǎn)過(guò)對(duì)應(yīng)的圓心角=2倍弦切角（2）角度關(guān)系αα徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角15如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一定等于轉(zhuǎn)過(guò)的圓心角三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心來(lái)去一心二線(xiàn)定心兩角相同對(duì)著圓心飛入如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一16m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，飛出時(shí)速度偏轉(zhuǎn)了θ角，m飛入的速度v=？，飛過(guò)磁場(chǎng)的時(shí)間t=?θ

m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，17AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：進(jìn)出兩界線(xiàn)自己畫(huà)一界線(xiàn)vAB沒(méi)有邊界自己作進(jìn)出兩界線(xiàn)怎樣定？AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界18徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角＝等于轉(zhuǎn)過(guò)對(duì)應(yīng)的圓心角=2倍弦切角（2）角度關(guān)系αα徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角19如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一定等于轉(zhuǎn)過(guò)的圓心角三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心來(lái)去一心二線(xiàn)定心兩角相同對(duì)著圓心飛入如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一20m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，飛出時(shí)速度偏轉(zhuǎn)了θ角，m飛入的速度v=？，飛過(guò)磁場(chǎng)的時(shí)間t=?θ

m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，21m、－q的離子，由靜止經(jīng)過(guò)AB間電壓加速后飛入一半徑為R的絕緣圓筒中，筒內(nèi)存在垂直向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng).粒子與筒壁的碰撞是彈性碰撞。（1）若加速電壓為U已知，經(jīng)過(guò)7次碰撞后又恰好從圓筒孔中飛出，則磁場(chǎng)B＝？（一周內(nèi)）（2）若磁場(chǎng)B0已知，所加電壓U0為多少時(shí)，能發(fā)生n次碰撞后雙從孔中飛出？（一周內(nèi)）ABU+-××××m、－q的離子，由靜止經(jīng)過(guò)AB間電壓加速后飛入一半徑為R的22（5）已知進(jìn)出兩速度方向vv圓周上任意兩速度必與圓周軌跡相切（5）已知進(jìn)出兩速度方向vv圓周上任意兩速度必與圓周軌跡相切23一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以平行于x軸的速度v從y軸上的a點(diǎn)射入圖中第一象限所示的區(qū)域，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從x軸上的b點(diǎn)以垂直于x軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€(gè)垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．若此磁場(chǎng)僅分布在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計(jì)．v0v0一段圓周運(yùn)動(dòng)：起終兩速度必與圓相切用圓雙切法一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以平行于x軸的速度v從y軸上24一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從X軸上的P點(diǎn)射入圖中第Ⅰ象限，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從Y軸上的Q點(diǎn)以垂直于Y軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€(gè)垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．若此磁場(chǎng)僅分布在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計(jì)．vQθXYPv磁場(chǎng)區(qū)域圓一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從25+q.B1×B2（6）進(jìn)出兩反向磁場(chǎng)如B2=2B1兩園心和轉(zhuǎn)折點(diǎn)三點(diǎn)共線(xiàn)速度與界線(xiàn)的夾角總相等+q.B1×B2（6）進(jìn)出兩反向磁場(chǎng)如B2=2B1兩園心和26（07高考）在y＞0，0＜x＜a的區(qū)域有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在y＞0，x＞a的區(qū)域有垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，兩區(qū)域內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B。在O點(diǎn)有一處小孔，一束質(zhì)量為m、帶電量為q（q＞0）的粒子沿x軸經(jīng)小孔射入磁場(chǎng)，最后扎在豎直和水平熒光屏上，使熒光屏發(fā)亮。入射粒子的速度可取從零到某一最大值之間的各種數(shù)值。已知速度最大的粒子在0＜x＜a的區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間與在x＞a的區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為2∶5，在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為7T/12，其中T為該粒子在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)的周期。試求兩個(gè)熒光屏上亮線(xiàn)的范圍.6001500y:0-2a

x:2a-

?（07高考）在y＞0，0＜x＜a的區(qū)域有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)27（7）大量粒子各向輻射軌跡特征（7）大量粒子各向輻射軌跡特征28帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件29A、B為水平放置的足夠長(zhǎng)的平行板，距板下方d=1.O×10-2m有一電子源P，各個(gè)方向發(fā)射速度在O～2.4×107m／s，磁場(chǎng)B=9.1×10-3T，正電子的質(zhì)量m=9.1×10-31kg，電量e=1.6×10-19C，Q為P點(diǎn)正上方板上的一點(diǎn)，求能擊中AB板的電子在AB板上的范圍．ABPQθ（7）大量粒子各向輻射定邊界范圍（1）用雙圓限制區(qū)域（2）一切、一交兩點(diǎn)定邊界A、B為水平放置的足夠長(zhǎng)的平行板，距板下方d=1.O30圓心軌跡最遠(yuǎn)邊線(xiàn)邊界線(xiàn)繞向交點(diǎn)切點(diǎn)（1）用雙圓限制區(qū)域（2）一切、一交兩點(diǎn)定邊界同電性、同磁場(chǎng)中各方向電荷轉(zhuǎn)向一致圓心軌跡最遠(yuǎn)邊線(xiàn)邊界線(xiàn)繞向交點(diǎn)切點(diǎn)（1）用雙圓限制區(qū)域（2）31（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域xON區(qū)域半徑與運(yùn)動(dòng)半徑相等平行會(huì)聚于一點(diǎn)一點(diǎn)發(fā)散成平行（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域xON區(qū)域半徑與運(yùn)動(dòng)半徑相等平行會(huì)聚于32帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件33（7）大量粒子各向輻射軌跡特征（7）大量粒子各向輻射軌跡特征34帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件35一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從X軸上的P點(diǎn)射入圖中第Ⅰ象限，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從Y軸上的Q點(diǎn)以垂直于Y軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€(gè)垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．若此磁場(chǎng)僅分布在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計(jì)．vQθXYPv磁場(chǎng)區(qū)域圓一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從36在反向磁場(chǎng)區(qū)中的運(yùn)動(dòng)6、在xoy平面內(nèi)有兩個(gè)方向如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在y軸左邊的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，右邊的磁感應(yīng)強(qiáng)度為2B。一質(zhì)量為m、電量為q的電子以速度v與x軸正方向成60°斜向上的從原點(diǎn)射出。試求電子每運(yùn)動(dòng)一個(gè)周期在y軸上前進(jìn)的距離。Oxy在反向磁場(chǎng)區(qū)中的運(yùn)動(dòng)6、在xoy平面內(nèi)有兩個(gè)方向如圖所示37Oxy解：如圖所示作輔助線(xiàn)AB設(shè)兩圓切點(diǎn)為A，電子第二次從B點(diǎn)通過(guò)y軸，則由幾何知識(shí)可得OA和AB分別對(duì)應(yīng)小圓和大圓的半徑因?yàn)殡娮拥娜肷浞较蚺cx軸夾角為60°，又因?yàn)殡娮釉谟疫叴艌?chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑為在左邊磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑為故電子第二次通過(guò)y軸時(shí)前進(jìn)的距離為Oxy解：如圖所示作輔助線(xiàn)AB設(shè)兩圓切點(diǎn)為A，電子第二次則由38+q.B1×B2（6）進(jìn)出兩反向磁場(chǎng)如B2=2B1兩園心和轉(zhuǎn)折點(diǎn)三點(diǎn)共線(xiàn)速度與界線(xiàn)的夾角總相等+q.B1×B2（6）進(jìn)出兩反向磁場(chǎng)如B2=2B1兩園心和39（2009北京）如圖所示的虛線(xiàn)區(qū)域內(nèi)，充滿(mǎn)垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶電粒子a（不計(jì)重力）以一定的初速度由左邊界的O點(diǎn)射入磁場(chǎng)、電場(chǎng)區(qū)域，恰好沿直線(xiàn)由區(qū)域右邊界的O′點(diǎn)（圖中未標(biāo)出）穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)而保留電場(chǎng)不變，另一個(gè)同樣的粒子b（不計(jì)重力）仍以相同初速度由O點(diǎn)射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b(C)A．穿出位置一定在O′點(diǎn)下方B．穿出位置一定在O′點(diǎn)上方C．運(yùn)動(dòng)時(shí)，在電場(chǎng)中的電勢(shì)能一定減小D．在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，動(dòng)能一定減小（2009北京）如圖所示的虛線(xiàn)區(qū)域內(nèi)，充滿(mǎn)垂直于紙面向里的勻40帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)在圖中虛線(xiàn)所示的區(qū)域存在勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)。取坐標(biāo)如圖，一帶電粒子沿x軸正方向進(jìn)入此區(qū)域，在穿過(guò)此區(qū)域的過(guò)程中運(yùn)動(dòng)方向始終不發(fā)生偏轉(zhuǎn)。不計(jì)重力的影響，電場(chǎng)強(qiáng)度E和磁感強(qiáng)度B的方向可能是：（A）A．E和B都沿x軸方向 B．E沿y軸正向，B沿z軸負(fù)向C．E沿z軸正向，B沿y軸正向 D．E、B都沿z軸方向xzyE,BO帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)在圖中虛線(xiàn)所示的區(qū)域存在勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻41如圖所示，是一寬d=8cm的同時(shí)存在相互垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，電場(chǎng)和磁場(chǎng)方向如圖。一束帶電粒子（重力不計(jì)）以速度v0垂直電場(chǎng)和磁場(chǎng)射入時(shí)，恰好不改變運(yùn)動(dòng)方向。若粒子射入時(shí)只有電場(chǎng)，粒子束穿過(guò)電場(chǎng)時(shí)沿豎直方向向上偏轉(zhuǎn)3.2cm；若粒子射入時(shí)只有磁場(chǎng)，粒子束穿過(guò)磁場(chǎng)時(shí)，將向哪個(gè)方向偏轉(zhuǎn)？偏離射入方向多少距離？BEv0d圖15帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)如圖所示，是一寬d=8cm的同時(shí)存在相互垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)422009天津高考2009天津高考43通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題”的難點(diǎn)突破方法通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題44對(duì)解題能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式，構(gòu)成比較全面的基本類(lèi)型題目庫(kù)，隨考試要求和學(xué)生程度再做微調(diào)。帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)受力大?。鍋銎澚?V//Bf=0V⊥Bf=Bqv受力方向左手定則（f⊥B、f⊥v)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)v垂直磁場(chǎng)勻強(qiáng)磁場(chǎng)只受洛侖茲力核心公式:f洛=F向?qū)忸}能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式45RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：重視基本公式，不要過(guò)于強(qiáng)調(diào)記憶導(dǎo)出公式，避免負(fù)遷移?！半y題”的難點(diǎn)突破方法RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：46解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)要點(diǎn)關(guān)健點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備幾何知識(shí)判受力定圓心畫(huà)軌跡＋必備幾何知識(shí)幾何半徑和運(yùn)動(dòng)半徑幾何角度和運(yùn)動(dòng)時(shí)間運(yùn)動(dòng)半徑和運(yùn)動(dòng)時(shí)間作圖聯(lián)系過(guò)程幾何知識(shí)決定成敗“難題”的難點(diǎn)突破方法解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備判受47VV學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度V發(fā)射正粒子。請(qǐng)畫(huà)軌跡圖？VV學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度48V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度V發(fā)射正粒子。請(qǐng)畫(huà)軌跡圖V變大V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，固定離子源以不變的速度V49V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)V不變，磁場(chǎng)有界V學(xué)生畫(huà)，學(xué)生說(shuō)V不變，磁場(chǎng)有界50進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出斜進(jìn)斜出“難題”的難點(diǎn)突破方法進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出“難題”51通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題”的難點(diǎn)突破方法通過(guò)完善認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)突破難點(diǎn)示例一：“磁場(chǎng)”知識(shí)結(jié)構(gòu)“難題52對(duì)解題能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式，構(gòu)成比較全面的基本類(lèi)型題目庫(kù)，隨考試要求和學(xué)生程度再做微調(diào)。帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)受力大?。鍋銎澚?V//Bf=0V⊥Bf=Bqv受力方向左手定則（f⊥B、f⊥v)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)v垂直磁場(chǎng)勻強(qiáng)磁場(chǎng)只受洛侖茲力核心公式:f洛=F向?qū)忸}能力要求較高的問(wèn)題，尤其重視理清基本問(wèn)題，突出核心公式53RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：重視基本公式，不要過(guò)于強(qiáng)調(diào)記憶導(dǎo)出公式，避免負(fù)遷移?！半y題”的難點(diǎn)突破方法RvmBqv2=vRp2T＝核心公式:f洛=F向注意：54解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)要點(diǎn)關(guān)健點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備幾何知識(shí)判受力定圓心畫(huà)軌跡＋必備幾何知識(shí)幾何半徑和運(yùn)動(dòng)半徑幾何角度和運(yùn)動(dòng)時(shí)間運(yùn)動(dòng)半徑和運(yùn)動(dòng)時(shí)間作圖聯(lián)系過(guò)程幾何知識(shí)決定成敗“難題”的難點(diǎn)突破方法解帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)難點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識(shí)必備判受55進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出斜進(jìn)斜出“難題”的難點(diǎn)突破方法進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出“難題”56AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：進(jìn)出兩界線(xiàn)自己畫(huà)一界線(xiàn)vAB沒(méi)有邊界自己作進(jìn)出兩界線(xiàn)怎樣定？AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界57徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角＝等于轉(zhuǎn)過(guò)對(duì)應(yīng)的圓心角=2倍弦切角（2）角度關(guān)系αα徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角58如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一定等于轉(zhuǎn)過(guò)的圓心角三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心來(lái)去一心二線(xiàn)定心兩角相同對(duì)著圓心飛入如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一59m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，飛出時(shí)速度偏轉(zhuǎn)了θ角，m飛入的速度v=？，飛過(guò)磁場(chǎng)的時(shí)間t=?θ

m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，60AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界線(xiàn)：進(jìn)出兩界線(xiàn)自己畫(huà)一界線(xiàn)vAB沒(méi)有邊界自己作進(jìn)出兩界線(xiàn)怎樣定？AB過(guò)B點(diǎn)速度方向？沒(méi)有邊界怎么辦？進(jìn)出對(duì)稱(chēng)（1）進(jìn)出同一界61徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角＝等于轉(zhuǎn)過(guò)對(duì)應(yīng)的圓心角=2倍弦切角（2）角度關(guān)系αα徑線(xiàn)、中垂線(xiàn)，三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心（3）兩線(xiàn)定圓心速度偏轉(zhuǎn)角62如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一定等于轉(zhuǎn)過(guò)的圓心角三線(xiàn)中任二線(xiàn)交于圓心來(lái)去一心二線(xiàn)定心兩角相同對(duì)著圓心飛入如對(duì)著圓心來(lái)，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一63m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，飛出時(shí)速度偏轉(zhuǎn)了θ角，m飛入的速度v=？，飛過(guò)磁場(chǎng)的時(shí)間t=?θ

m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)B，64m、－q的離子，由靜止經(jīng)過(guò)AB間電壓加速后飛入一半徑為R的絕緣圓筒中，筒內(nèi)存在垂直向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng).粒子與筒壁的碰撞是彈性碰撞。（1）若加速電壓為U已知，經(jīng)過(guò)7次碰撞后又恰好從圓筒孔中飛出，則磁場(chǎng)B＝？（一周內(nèi)）（2）若磁場(chǎng)B0已知，所加電壓U0為多少時(shí)，能發(fā)生n次碰撞后雙從孔中飛出？（一周內(nèi)）ABU+-××××m、－q的離子，由靜止經(jīng)過(guò)AB間電壓加速后飛入一半徑為R的65（5）已知進(jìn)出兩速度方向vv圓周上任意兩速度必與圓周軌跡相切（5）已知進(jìn)出兩速度方向vv圓周上任意兩速度必與圓周軌跡相切66一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以平行于x軸的速度v從y軸上的a點(diǎn)射入圖中第一象限所示的區(qū)域，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從x軸上的b點(diǎn)以垂直于x軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€(gè)垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．若此磁場(chǎng)僅分布在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計(jì)．v0v0一段圓周運(yùn)動(dòng)：起終兩速度必與圓相切用圓雙切法一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以平行于x軸的速度v從y軸上67一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從X軸上的P點(diǎn)射入圖中第Ⅰ象限，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從Y軸上的Q點(diǎn)以垂直于Y軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€(gè)垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．若此磁場(chǎng)僅分布在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計(jì)．vQθXYPv磁場(chǎng)區(qū)域圓一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從68+q.B1×B2（6）進(jìn)出兩反向磁場(chǎng)如B2=2B1兩園心和轉(zhuǎn)折點(diǎn)三點(diǎn)共線(xiàn)速度與界線(xiàn)的夾角總相等+q.B1×B2（6）進(jìn)出兩反向磁場(chǎng)如B2=2B1兩園心和69（07高考）在y＞0，0＜x＜a的區(qū)域有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在y＞0，x＞a的區(qū)域有垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，兩區(qū)域內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B。在O點(diǎn)有一處小孔，一束質(zhì)量為m、帶電量為q（q＞0）的粒子沿x軸經(jīng)小孔射入磁場(chǎng)，最后扎在豎直和水平熒光屏上，使熒光屏發(fā)亮。入射粒子的速度可取從零到某一最大值之間的各種數(shù)值。已知速度最大的粒子在0＜x＜a的區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間與在x＞a的區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為2∶5，在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為7T/12，其中T為該粒子在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)的周期。試求兩個(gè)熒光屏上亮線(xiàn)的范圍.6001500y:0-2a

x:2a-

?（07高考）在y＞0，0＜x＜a的區(qū)域有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)70（7）大量粒子各向輻射軌跡特征（7）大量粒子各向輻射軌跡特征71帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件72A、B為水平放置的足夠長(zhǎng)的平行板，距板下方d=1.O×10-2m有一電子源P，各個(gè)方向發(fā)射速度在O～2.4×107m／s，磁場(chǎng)B=9.1×10-3T，正電子的質(zhì)量m=9.1×10-31kg，電量e=1.6×10-19C，Q為P點(diǎn)正上方板上的一點(diǎn)，求能擊中AB板的電子在AB板上的范圍．ABPQθ（7）大量粒子各向輻射定邊界范圍（1）用雙圓限制區(qū)域（2）一切、一交兩點(diǎn)定邊界A、B為水平放置的足夠長(zhǎng)的平行板，距板下方d=1.O73圓心軌跡最遠(yuǎn)邊線(xiàn)邊界線(xiàn)繞向交點(diǎn)切點(diǎn)（1）用雙圓限制區(qū)域（2）一切、一交兩點(diǎn)定邊界同電性、同磁場(chǎng)中各方向電荷轉(zhuǎn)向一致圓心軌跡最遠(yuǎn)邊線(xiàn)邊界線(xiàn)繞向交點(diǎn)切點(diǎn)（1）用雙圓限制區(qū)域（2）74（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域xON區(qū)域半徑與運(yùn)動(dòng)半徑相等平行會(huì)聚于一點(diǎn)一點(diǎn)發(fā)散成平行（4）進(jìn)出圓形磁場(chǎng)區(qū)域xON區(qū)域半徑與運(yùn)動(dòng)半徑相等平行會(huì)聚于75帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件76（7）大量粒子各向輻射軌跡特征（7）大量粒子各向輻射軌跡特征77帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)綜合復(fù)習(xí)課件78一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從X軸上的P點(diǎn)射入圖中第Ⅰ象限，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從Y軸上的Q點(diǎn)以垂直于Y軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€(gè)垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．若此磁場(chǎng)僅分布在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計(jì)．vQθXYPv磁場(chǎng)區(qū)域圓一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從79在反向磁場(chǎng)區(qū)中的運(yùn)動(dòng)6、在xoy平面內(nèi)有兩個(gè)方向如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在y軸左邊的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，右邊的磁感應(yīng)強(qiáng)度為2B。一質(zhì)量為m、電量為q的電子以速度v與x軸正方向成60°斜向上的從原點(diǎn)射出。