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關(guān)于透射電子顯微分析1第1頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六2透射電鏡(TEM)透射電鏡即透射電子顯微鏡(TransmissionElectronMicroscope,簡(jiǎn)稱TEM),通常稱作電子顯微鏡或電鏡(EM),是使用最為廣泛的一類電鏡。第2頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六3透射電子顯微鏡
JEM-1011透射電子顯微鏡
萊卡超薄切片機(jī)
玻璃刀制作儀第3頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六4電子顯微分析方法的種類透射電子顯微鏡(TEM)可簡(jiǎn)稱透射電鏡掃描電子顯微鏡(SEM)可簡(jiǎn)稱掃描電鏡電子探針X射線顯微分析儀簡(jiǎn)稱電子探針(EPA或EPMA):波譜儀(波長(zhǎng)色散譜儀,WDS)與能譜儀(能量色散譜儀,EDS)電子激發(fā)俄歇電子能譜(XAES或AES)第4頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六5透射電子顯微鏡(簡(jiǎn)稱透射電鏡,TEM),可以以幾種不同的形式出現(xiàn),如:高分辨電鏡(HRTEM)透射掃描電鏡(STEM)分析型電鏡(AEM)等等。入射電子束(照明束)也有兩種主要形式:平行束:透射電鏡成像及衍射會(huì)聚束:掃描透射電鏡成像、微分析及微衍射。TEM的形式第5頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六6第一節(jié)透射電子顯微鏡工作原理及構(gòu)造
一、工作原理成像原理與光學(xué)顯微鏡類似。它們的根本不同點(diǎn)在于光學(xué)顯微鏡以可見(jiàn)光作照明束,透射電子顯微鏡則以電子為照明束。在光學(xué)顯微鏡中將可見(jiàn)光聚焦成像的是玻璃透鏡,在電子顯微鏡中相應(yīng)的為磁透鏡。由于電子波長(zhǎng)極短,同時(shí)與物質(zhì)作用遵從布拉格(Bragg)方程,產(chǎn)生衍射現(xiàn)象,使得透射電鏡自身在具有高的像分辨本領(lǐng)的同時(shí)兼有結(jié)構(gòu)分析的功能。第6頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六7透射電子顯微鏡光路原理圖第7頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六8二、構(gòu)造
TEM由照明系統(tǒng)、成像系統(tǒng)、記錄系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和電器系統(tǒng)組成。第8頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六91.電磁透鏡
能使電子束聚焦的裝置稱為電子透鏡(electronlens)
靜電透鏡電子透鏡恒磁透鏡磁透鏡
電磁透鏡
第9頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六10(1)電磁透鏡的結(jié)構(gòu)
電磁透鏡結(jié)構(gòu)示意圖
第10頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六11(2)電磁透鏡的光學(xué)性質(zhì)
(9-1)式中:u、v與f——物距、像距與焦距。(9-2)式中:V0——電子加速電壓;R——透鏡半徑;NI——激磁線圈安匝數(shù);A——與透鏡結(jié)構(gòu)有關(guān)的比例常數(shù)。
第11頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六12成像電子在電磁透鏡磁場(chǎng)中沿螺旋線軌跡運(yùn)動(dòng),而可見(jiàn)光是以折線形式穿過(guò)玻璃透鏡。因此,電磁透鏡成像時(shí)有一附加的旋轉(zhuǎn)角度,稱為磁轉(zhuǎn)角。物與像的相對(duì)位向?qū)?shí)像為180,對(duì)虛像為。電磁透鏡是一種焦距(或放大倍數(shù))可調(diào)的會(huì)聚透鏡。減小激磁電流,可使電磁透鏡磁場(chǎng)強(qiáng)度降低、焦距變長(zhǎng)(由f1變?yōu)閒2)。第12頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六13(3)電磁透鏡的分辨本領(lǐng)
(9-3)式中:A——常數(shù);——照明電子束波長(zhǎng);Cs——透鏡球差系數(shù)。r0的典型值約為0.25~0.3nm,高分辨條件下,r0可達(dá)約0.15nm。
第13頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六142.照明系統(tǒng)
作用:提供亮度高、相干性好、束流穩(wěn)定的照明電子束。組成:電子槍和聚光鏡
鎢絲熱電子源電子源LaB6場(chǎng)發(fā)射源第14頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六15熱電子槍示意圖燈絲和陽(yáng)極間加高壓,柵極偏壓起會(huì)聚電子束的作用,使其形成直徑為d0、會(huì)聚/發(fā)散角為0的交叉第15頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六16雙聚光鏡照明系統(tǒng)光路圖
第16頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六173.成像系統(tǒng)
由物鏡、中間鏡(1、2個(gè))和投影鏡(1、2個(gè))組成。成像系統(tǒng)的兩個(gè)基本操作是將衍射花樣或圖像投影到熒光屏上。通過(guò)調(diào)整中間鏡的透鏡電流,使中間鏡的物平面與物鏡的背焦面重合,可在熒光屏上得到衍射花樣。若使中間鏡的物平面與物鏡的像平面重合則得到顯微像。透射電鏡分辨率的高低主要取決于物鏡。
第17頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六18透射電鏡成像系統(tǒng)的兩種基本操作(a)將衍射譜投影到熒光屏(b)將顯微像投影到熒光屏第18頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六19三、選區(qū)電子衍射
在物鏡像平面上插入選區(qū)光欄實(shí)現(xiàn)選區(qū)衍射的示意圖第19頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六20選區(qū)衍射操作步驟(1)使選區(qū)光欄以下的透鏡系統(tǒng)聚焦(2)使物鏡精確聚焦(3)獲得衍射譜第20頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六21第二節(jié)樣品制備
TEM樣品可分為間接樣品和直接樣品。
要求:(1)供TEM分析的樣品必須對(duì)電子束是透明的,通常樣品觀察區(qū)域的厚度以控制在約100~200nm為宜。(2)所制得的樣品還必須具有代表性以真實(shí)反映所分析材料的某些特征。因此,樣品制備時(shí)不可影響這些特征,如已產(chǎn)生影響則必須知道影響的方式和程度。第21頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六22一、間接樣品(復(fù)型)的制備
對(duì)復(fù)型材料的主要要求:①?gòu)?fù)型材料本身必須是“無(wú)結(jié)構(gòu)”或非晶態(tài)的;②有足夠的強(qiáng)度和剛度,良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和耐電子束轟擊性能。③復(fù)型材料的分子尺寸應(yīng)盡量小,以利于提高復(fù)型的分辨率,更深入地揭示表面形貌的細(xì)節(jié)特征。常用的復(fù)型材料是非晶碳膜和各種塑料薄膜。第22頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六23復(fù)型的種類按復(fù)型的制備方法,復(fù)型主要分為:一級(jí)復(fù)型二級(jí)復(fù)型萃取復(fù)型(半直接樣品)
第23頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六24塑料-碳二級(jí)復(fù)型制備過(guò)程示意圖
第24頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六25萃取復(fù)型第25頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六26二、直接樣品的制備
1.粉末樣品制備粉末樣品制備的關(guān)鍵是如何將超細(xì)粉的顆粒分散開(kāi)來(lái),各自獨(dú)立而不團(tuán)聚。膠粉混合法:在干凈玻璃片上滴火棉膠溶液,然后在玻璃片膠液上放少許粉末并攪勻,再將另一玻璃片壓上,兩玻璃片對(duì)研并突然抽開(kāi),稍候,膜干。用刀片劃成小方格,將玻璃片斜插入水杯中,在水面上下空插,膜片逐漸脫落,用銅網(wǎng)將方形膜撈出,待觀察。支持膜分散粉末法:需TEM分析的粉末顆粒一般都遠(yuǎn)小于銅網(wǎng)小孔,因此要先制備對(duì)電子束透明的支持膜。常用的支持膜有火棉膠膜和碳膜,將支持膜放在銅網(wǎng)上,再把粉末放在膜上送入電鏡分析。第26頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六272.晶體薄膜樣品的制備一般程序:(1)初減薄——制備厚度約100~200m的薄片;(2)從薄片上切取3mm的圓片;(3)預(yù)減薄——從圓片的一側(cè)或兩則將圓片中心區(qū)域減薄至數(shù)m;(4)終減薄。第27頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六28雙噴電解拋光裝置原理圖
第28頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六29離子減薄裝置原理示意圖第29頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六30第三節(jié)透射電鏡基本成像操作及像襯度
一、成像操作
成像操作光路圖(a)明場(chǎng)像(b)暗場(chǎng)像(c)中心暗場(chǎng)像第30頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六31二、像襯度像襯度是圖像上不同區(qū)域間明暗程度的差別。透射電鏡的像襯度來(lái)源于樣品對(duì)入射電子束的散射??煞譃椋?/p>
質(zhì)厚襯度:非晶樣品襯度的主要來(lái)源振幅襯度
衍射襯度:晶體樣品襯度的主要來(lái)源相位襯度
第31頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六32質(zhì)厚襯度成像光路圖
第32頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六33衍射襯度成像光路圖第33頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六34第四節(jié)電子衍射運(yùn)動(dòng)學(xué)理論透射電鏡衍射襯度是由樣品底表面不同部位的衍射束強(qiáng)度存在差異而造成的。要深入理解和正確解釋透射電鏡衍襯像的襯度特征,就需要對(duì)衍射束的強(qiáng)度進(jìn)行計(jì)算。動(dòng)力學(xué)衍射運(yùn)動(dòng)學(xué)衍射第34頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六35一、運(yùn)動(dòng)學(xué)理論的基本假設(shè)運(yùn)動(dòng)學(xué)理論是建立在運(yùn)動(dòng)學(xué)近似[即忽略各級(jí)衍射束(透射束為零級(jí)衍射束)之間的相互作用]基礎(chǔ)之上的用于討論衍射波強(qiáng)度的一種簡(jiǎn)化理論。其基本假設(shè)是:①入射電子在樣品內(nèi)只可能受到不多于一次的散射。②入射電子波在樣品內(nèi)的傳播過(guò)程中,強(qiáng)度的衰減可以忽略。即衍射波強(qiáng)度始終遠(yuǎn)小于入射波強(qiáng)度。否則衍射波會(huì)發(fā)生較為顯著的再次衍射,即動(dòng)力學(xué)衍射。第35頁(yè),共37頁(yè),2022年,5月20日,10點(diǎn)32分,星期六36①使樣品晶體處于足夠偏離布拉格條件的位向,以避免產(chǎn)生強(qiáng)的衍射,保證入射波強(qiáng)度不發(fā)生明顯衰減;②采用足夠薄的樣品,盡量減小電子受到多次散射的機(jī)會(huì)。要達(dá)到這兩個(gè)實(shí)驗(yàn)條件,實(shí)踐上都有困難。一方面,原子對(duì)電子的散射振幅較大,散射強(qiáng)度不會(huì)很弱,而
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