半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板課件

半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中1半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板課件22.1.1、雜質(zhì)的類型

雜質(zhì)：半導(dǎo)體中存在的與本體元素不同的其它元素。雜質(zhì)在半導(dǎo)體中的分布狀況（1）替位式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子與被替代的晶格原子的大小比較相近，而且其價電子層結(jié)構(gòu)也比較相近（2）間隙式雜質(zhì)：通常這種雜質(zhì)的原子半徑是比較小的

（3）雜質(zhì)濃度：單位體積中的雜質(zhì)原子數(shù)

2.1.1、雜質(zhì)的類型

雜質(zhì)：半導(dǎo)體中存在的與本體元素不同的3舉例：Si中摻磷P（Si：P）

2.1.2施主雜質(zhì)、施主能級施主雜質(zhì)—對半導(dǎo)體材料提供導(dǎo)電電子的雜質(zhì),稱為施主雜質(zhì)或者N型雜質(zhì)雜質(zhì)電離—價電子脫離雜質(zhì)原子成為自由電子的過程稱為雜質(zhì)電離。舉例：Si中摻磷P（Si：P）

2.1.2施主雜質(zhì)、施42.1.2施主雜質(zhì)、施主能級在Si單晶中，V族施主替位雜質(zhì)兩種荷電狀態(tài)的價鍵圖（a）電離態(tài)（b）中性施主態(tài)2.1.2施主雜質(zhì)、施主能級在Si單晶中，V族施主替位雜質(zhì)5雜質(zhì)電離能：是使被俘獲的電子擺脫束縛，從而可以成為導(dǎo)電電子所需的能量△ED=EC-ED

△ED=EC-EDECEDEV施主能級：將被施主雜質(zhì)束縛的電子的能量狀態(tài)稱為施主能級電子濃度n0>空穴濃度p0雜質(zhì)電離能：是使被俘獲的電子擺脫束縛，從而可以成為導(dǎo)電電子所62.1.3受主雜質(zhì)、受主能級舉例：Si中摻硼B(yǎng)（Si：B）

受主雜質(zhì)—B在晶體中而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴，被稱為受主雜質(zhì)或者P型雜質(zhì)雜質(zhì)電離—受主雜質(zhì)接受一個電子，在晶體中產(chǎn)生一個空穴的過程，稱為雜質(zhì)電離。2.1.3受主雜質(zhì)、受主能級舉例：Si中摻硼B(yǎng)（Si：B）7在Si單晶中，Ⅲ族受主替位雜質(zhì)兩種荷電狀態(tài)的價鍵圖（a）電離態(tài)（b）中性受主態(tài)在Si單晶中，Ⅲ族受主替位雜質(zhì)兩種荷電狀態(tài)的價鍵圖（8△EA=EA-EVECEAEV空穴濃度p0>電子濃度n0受主能級：把被受主雜質(zhì)所束縛的空穴的能量狀態(tài)稱為受主能級。受主電離能：是使被俘獲的空擺脫束縛，從而可以參與傳導(dǎo)電流所需的能量△EA=EA-EV△EA=EA-EVECEAEV空穴濃度p0>電子濃度n0受9雜質(zhì)半導(dǎo)體1、n型半導(dǎo)體：特征：a、施主雜質(zhì)電離，導(dǎo)帶中出現(xiàn)施主提供的電子b、電子濃度n>空穴濃度p2、p型半導(dǎo)體：特征：a、受主雜質(zhì)電離，價帶中出現(xiàn)受主提供的空穴

b、空穴濃度p>電子濃度n雜質(zhì)半導(dǎo)體1、n型半導(dǎo)體：10雜質(zhì)能級位于禁帶之中

Ec雜質(zhì)能級

Ev

雜質(zhì)能級位于禁帶之中11上述雜質(zhì)的特點：施主電離能△ED《Eg受主電離能△EA《Eg

淺能級雜質(zhì)·雜質(zhì)的雙重作用：1、改變半導(dǎo)體的電阻率2、決定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型即：雜質(zhì)在半導(dǎo)體禁帶中產(chǎn)生的能級距帶邊較近上述雜質(zhì)的特點：淺能級雜質(zhì)·雜質(zhì)的雙重作用：即：雜質(zhì)在半導(dǎo)體122.1.4淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算（1）用類氫原子模型估算淺能級雜質(zhì)的電離能淺能級雜質(zhì)=雜質(zhì)離子+束縛電子（空穴）2.1.4淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算（1）用類氫原子模型估13（2）氫原子基態(tài)電子的電離能氫原子電子滿足：解得電子能量：氫原子基態(tài)能量：氫原子的電離能：故基態(tài)電子的電離能：2.1.4淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算（2）氫原子基態(tài)電子的電離能氫原子電子滿足：解得電子能量14正、負(fù)電荷所處介質(zhì)：正、負(fù)電荷所處介質(zhì)：15估算結(jié)果與實際測

量值有相同數(shù)量級Ge：△ED～0.0064eVSi:△ED～0.025eV估算結(jié)果與實際測

量值有相同數(shù)量級Ge162.1.5、雜質(zhì)的補償作用1、本征激發(fā)與本征半導(dǎo)體（1）本征激發(fā)：在純凈半導(dǎo)體中，載流子的產(chǎn)生必須依靠價帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，它的特點是每產(chǎn)生一個導(dǎo)帶電子就相應(yīng)在價帶中產(chǎn)生一個空穴，即電子和空穴是成對產(chǎn)生的。這種激發(fā)稱為本征激發(fā)。2.1.5、雜質(zhì)的補償作用1、本征激發(fā)與本征半導(dǎo)17即：n0=p0=ni（ni為本征載流子濃度）

（2）本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體就是

本征半導(dǎo)體。ni=ni（T）電子濃度空穴濃度n0=p0=ni即：n0=p0=ni（ni為本征載流子濃度）

（2）本征半18在室溫（RT=300K）下：

ni（Ge）≌2.4×1013cm-3

ni（Si）≌1.5×1010cm-3ni（GaAs）≌1.6×106cm-3ni——本征載流子濃度在室溫（RT=300K）下：ni——本征載流子濃度19（3）n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體

(A)如施主濃度ND>nin型半導(dǎo)體(B)如受主濃度NA>nip型半導(dǎo)體

當(dāng)半導(dǎo)體中摻入一定量的淺施主或淺受主時，因其離化能△ED或△EA很?。ā玆T下的kT=0.026eV）,所以它們基本上都處于離化態(tài)。（3）n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體

(B)如受主濃度NA>ni20(4)雜質(zhì)的補償,既摻有施主又摻有受主（A）ND(施主濃度）>NA（受主濃度）時

所以：有效的施主濃度ND*=ND-NA>ni

因EA在ED之下，ED上的束縛電子首先填充EA上的空位，即施主與受主先相互“抵消”，剩余的束縛電子再電離到導(dǎo)帶上。補償半導(dǎo)體n型半導(dǎo)體EDEAUESTCNuoLiu(4)雜質(zhì)的補償,既摻有施主又摻有受主（A）ND(施主濃度）21（B）NA>ND時

ED

EA所以：有效的受主濃度ND*=ND-NA>nip型半導(dǎo)體因EA在ED之下，ED上的束縛電子首先填充EA上的空位，即施主與受主先相互“抵消”，剩余的束縛空穴再電離到價帶上。（B）NA>ND時EDEA所以：有效的受主濃度ND*=N22（C）NA≈ND時

雜質(zhì)的高度補償

（C）NA≈ND時雜質(zhì)的高度補償23※就實際而言：半導(dǎo)體的最重要的性質(zhì)之一，就是能夠利用施主和受主雜質(zhì)兩種雜質(zhì)進(jìn)行參雜，并利用雜質(zhì)的補償作用，根據(jù)人們的需要改變半導(dǎo)體中某一區(qū)域的導(dǎo)電類型，以制成各種器件?！蛯嶋H而言：半導(dǎo)體的最重要的性質(zhì)之一，就是能夠利用施主242.1.6深能級雜質(zhì)（1）淺能級雜質(zhì)（2）深能級雜質(zhì)△ED≮Eg△EA≮EgEAEDEDEAEcEcEvEv△ED《Eg△EA《Eg雜質(zhì)在半導(dǎo)體禁帶中產(chǎn)生的能級距帶邊較遠(yuǎn)UESTCNuoLiu2.1.6深能級雜質(zhì)（1）淺能級雜質(zhì)（2）深能級雜質(zhì)EA25深能級雜質(zhì)的特征1、淺能級施主能級靠近導(dǎo)帶，淺能級受主能級靠近價帶；深能級施主則主要位于禁帶中線下，深能級受主主要位于禁帶中線上。深能級雜質(zhì)的特征1、淺能級施主能級靠近導(dǎo)帶，淺能級受主26例1：Au（Ⅰ族）在Ge中Au在Ge中共有五種可能的狀態(tài)：（1）Au+；（2）Au0（3）Au一

（4）Au二

（5）Au三。2、多重能級特性：一些深能級雜質(zhì)產(chǎn)生多次電離，導(dǎo)致多重能級特性。例1：Au（Ⅰ族）在Ge中Au在Ge中共有五種可能27（1）Au+：Au0–eAu+△EEgECEVED失去唯一的價電子，產(chǎn)生施主能級ED。（1）Au+：Au0–eAu+28（2）Au一：Au0+eAu一△EA1ECEAEVAu接受一個電子后變成Au-，產(chǎn)生受主能級EA1（2）Au一：Au0+eAu一EC29（3）Au二：Au一+eAu二

ECEA2EA1EV△E=△EAu接受兩個電子后變成Au=，產(chǎn)生受主能級EA2（3）Au二：Au一+e30（4）Au三：Au二+eAu三Au接受三個電子后變成Au三，產(chǎn)生受主能級EA3（4）Au三：Au二+eAu三Au31Au在Si中既可作施主，又可作受主，稱為兩性雜質(zhì)；如果在Si中摻入Au的同時又摻入淺受主雜質(zhì)，Au呈施主作用；反之，若同時摻入施主雜質(zhì)，則Au呈受主作用。ECEVEAEDAu在Si中既可作施主，又可作受主，稱為兩性雜質(zhì)；ECEVE32由于電子間的庫侖排斥力的作用，Au從價帶接受第二個電子所需的電離能比接受第一個電子時要大，接受第三個對比第二個大，所以EA3>EA2>EA1。深能級雜質(zhì)在半導(dǎo)體中以替位式的形態(tài)存在，一般情況下含量極少，它們對半導(dǎo)體中的導(dǎo)電電子濃度，導(dǎo)電空穴濃度和材料的導(dǎo)電類型的影響沒有淺能級雜質(zhì)顯著，但對載流子的復(fù)合作用比淺能級雜質(zhì)強得多。由于電子間的庫侖排斥力的作用，Au從價帶接受第二個電332.4Ⅲ-Ⅴ族化合物中德爾雜質(zhì)能級（1）等電子雜質(zhì)特征：a、與本征元素同族但不同原子序數(shù)例：GaP中摻入Ⅴ族的N或Bib、以替位形式存在于晶體中，基本上是電中性的。2.4Ⅲ-Ⅴ族化合物中德爾雜質(zhì)能級（1）等電子雜質(zhì)34（2）等電子陷阱

等電子雜質(zhì)（如N）占據(jù)本征原子位置（如GaAsP中的P位置）后，即存在著由核心力引起的短程作用力，它們可以吸引一個導(dǎo)帶電子（空穴）而變成負(fù)（正）離子，前者就是電子陷阱，后者就是空穴陷阱。

NNP（2）等電子陷阱等電子雜質(zhì)（如N）占據(jù)本征原子位置35(3)束縛激子

例：GaP：NNP+eNP-（等電子陷阱）之后NP-+h

NP-+h束縛激子即等電子陷阱俘獲一種符號的載流子后，又因帶電中心的庫侖作用又俘獲另一種帶電符號的載流子，這就是束縛激子。(3)束縛激子

例：GaP：N36(4)兩性雜質(zhì)舉例：GaAs中摻Si（Ⅳ族）Ga：Ⅲ族As：Ⅴ族

兩性雜質(zhì)：在化合物半導(dǎo)體中，某種雜質(zhì)在其中既可以作施主又可以作受主，這種雜質(zhì)稱為兩性雜質(zhì)。SiGa受主SiAs施主兩性雜質(zhì)(4)兩性雜質(zhì)舉例：GaAs中摻Si（Ⅳ族）兩性雜質(zhì)：在化合372.4缺陷能級2.4.1點缺陷空位：指本體原子缺位；間隙：指不應(yīng)有原子的地方加入了一個原子2.4缺陷能級2.4.1點缺陷空位：指本體原子缺381、空位、間隙的產(chǎn)生與消失（1）由體內(nèi)產(chǎn)生：在較高溫度下，極少數(shù)的原子熱運動特別激烈，克服周圍原子化學(xué)鍵束縛而脫離格點，形成間隙原子，原先所處的位置成為空位。這時空位和間隙原子成對出現(xiàn)——弗侖克爾缺陷。1、空位、間隙的產(chǎn)生與消失（1）由體內(nèi)產(chǎn)生：在較高溫度下，極39（2）由表面產(chǎn)生：在表面空位和間隙原子都可以單獨的產(chǎn)生，然后擴(kuò)散到體內(nèi)。這時空位和間隙原子的數(shù)目也是獨立變化的。（3）消失過程：空位和間隙原子的產(chǎn)生過程都可以倒過來進(jìn)行。在溫度保持一定條件下，產(chǎn)生和消失可以達(dá)到相對的平衡，這時空位和間隙原子的濃度將保持相對穩(wěn)定.以上兩種由溫度決定的點缺陷又稱為熱缺陷.（2）由表面產(chǎn)生：在表面空位和間隙原子都可以單獨的產(chǎn)生，然后402、位錯能級（主要指線缺陷）如圖，在位錯所在處，有一個不成對的電子成為不飽和的共價鍵：若這一不飽和鍵獲得一個電子，起受主作用；而當(dāng)原子E失去一個價電子，則起施主作用。一般情況下位錯傾向于得到電子，起受主作用，而且產(chǎn)生的受主能級是深能級。2、位錯能級（主要指線缺陷）如圖，在位錯所在處，有一個41位錯周圍的晶格發(fā)生畸變，引起能帶結(jié)構(gòu)的變化。一般情況下，在晶格伸張區(qū)，材料的禁帶寬度減?。欢诰Ц駢嚎s區(qū)，材料的禁帶寬度變大。位錯周圍的晶格發(fā)生畸變，引起能帶結(jié)構(gòu)的變化。一般情況下42利用半導(dǎo)體的雜質(zhì)補償效應(yīng)，可以改變半導(dǎo)體的（）類型A、漂移B、熱運動C、遷移率D、導(dǎo)電利用半導(dǎo)體的雜質(zhì)補償效應(yīng)，可以改變半導(dǎo)體的（）類43

硅、鍺，砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)的基本特征4、砷化鎵鍺的能帶結(jié)構(gòu)（1）的負(fù)溫度特性（3）直接能隙結(jié)構(gòu)—即價帶的最高點與導(dǎo)帶的最低點處于K空間的同一點（2）硅、鍺，砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)的基本特征4、砷化鎵鍺的能帶結(jié)44謝謝！謝謝！45半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板半導(dǎo)體中46半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級模板課件472.1.1、雜質(zhì)的類型

雜質(zhì)：半導(dǎo)體中存在的與本體元素不同的其它元素。雜質(zhì)在半導(dǎo)體中的分布狀況（1）替位式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子與被替代的晶格原子的大小比較相近，而且其價電子層結(jié)構(gòu)也比較相近（2）間隙式雜質(zhì)：通常這種雜質(zhì)的原子半徑是比較小的

（3）雜質(zhì)濃度：單位體積中的雜質(zhì)原子數(shù)

2.1.1、雜質(zhì)的類型

雜質(zhì)：半導(dǎo)體中存在的與本體元素不同的48舉例：Si中摻磷P（Si：P）

2.1.2施主雜質(zhì)、施主能級施主雜質(zhì)—對半導(dǎo)體材料提供導(dǎo)電電子的雜質(zhì),稱為施主雜質(zhì)或者N型雜質(zhì)雜質(zhì)電離—價電子脫離雜質(zhì)原子成為自由電子的過程稱為雜質(zhì)電離。舉例：Si中摻磷P（Si：P）

2.1.2施主雜質(zhì)、施492.1.2施主雜質(zhì)、施主能級在Si單晶中，V族施主替位雜質(zhì)兩種荷電狀態(tài)的價鍵圖（a）電離態(tài)（b）中性施主態(tài)2.1.2施主雜質(zhì)、施主能級在Si單晶中，V族施主替位雜質(zhì)50雜質(zhì)電離能：是使被俘獲的電子擺脫束縛，從而可以成為導(dǎo)電電子所需的能量△ED=EC-ED

△ED=EC-EDECEDEV施主能級：將被施主雜質(zhì)束縛的電子的能量狀態(tài)稱為施主能級電子濃度n0>空穴濃度p0雜質(zhì)電離能：是使被俘獲的電子擺脫束縛，從而可以成為導(dǎo)電電子所512.1.3受主雜質(zhì)、受主能級舉例：Si中摻硼B(yǎng)（Si：B）

受主雜質(zhì)—B在晶體中而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴，被稱為受主雜質(zhì)或者P型雜質(zhì)雜質(zhì)電離—受主雜質(zhì)接受一個電子，在晶體中產(chǎn)生一個空穴的過程，稱為雜質(zhì)電離。2.1.3受主雜質(zhì)、受主能級舉例：Si中摻硼B(yǎng)（Si：B）52在Si單晶中，Ⅲ族受主替位雜質(zhì)兩種荷電狀態(tài)的價鍵圖（a）電離態(tài)（b）中性受主態(tài)在Si單晶中，Ⅲ族受主替位雜質(zhì)兩種荷電狀態(tài)的價鍵圖（53△EA=EA-EVECEAEV空穴濃度p0>電子濃度n0受主能級：把被受主雜質(zhì)所束縛的空穴的能量狀態(tài)稱為受主能級。受主電離能：是使被俘獲的空擺脫束縛，從而可以參與傳導(dǎo)電流所需的能量△EA=EA-EV△EA=EA-EVECEAEV空穴濃度p0>電子濃度n0受54雜質(zhì)半導(dǎo)體1、n型半導(dǎo)體：特征：a、施主雜質(zhì)電離，導(dǎo)帶中出現(xiàn)施主提供的電子b、電子濃度n>空穴濃度p2、p型半導(dǎo)體：特征：a、受主雜質(zhì)電離，價帶中出現(xiàn)受主提供的空穴

b、空穴濃度p>電子濃度n雜質(zhì)半導(dǎo)體1、n型半導(dǎo)體：55雜質(zhì)能級位于禁帶之中

Ec雜質(zhì)能級

Ev

雜質(zhì)能級位于禁帶之中56上述雜質(zhì)的特點：施主電離能△ED《Eg受主電離能△EA《Eg

淺能級雜質(zhì)·雜質(zhì)的雙重作用：1、改變半導(dǎo)體的電阻率2、決定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型即：雜質(zhì)在半導(dǎo)體禁帶中產(chǎn)生的能級距帶邊較近上述雜質(zhì)的特點：淺能級雜質(zhì)·雜質(zhì)的雙重作用：即：雜質(zhì)在半導(dǎo)體572.1.4淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算（1）用類氫原子模型估算淺能級雜質(zhì)的電離能淺能級雜質(zhì)=雜質(zhì)離子+束縛電子（空穴）2.1.4淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算（1）用類氫原子模型估58（2）氫原子基態(tài)電子的電離能氫原子電子滿足：解得電子能量：氫原子基態(tài)能量：氫原子的電離能：故基態(tài)電子的電離能：2.1.4淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算（2）氫原子基態(tài)電子的電離能氫原子電子滿足：解得電子能量59正、負(fù)電荷所處介質(zhì)：正、負(fù)電荷所處介質(zhì)：60估算結(jié)果與實際測

量值有相同數(shù)量級Ge：△ED～0.0064eVSi:△ED～0.025eV估算結(jié)果與實際測

量值有相同數(shù)量級Ge612.1.5、雜質(zhì)的補償作用1、本征激發(fā)與本征半導(dǎo)體（1）本征激發(fā)：在純凈半導(dǎo)體中，載流子的產(chǎn)生必須依靠價帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，它的特點是每產(chǎn)生一個導(dǎo)帶電子就相應(yīng)在價帶中產(chǎn)生一個空穴，即電子和空穴是成對產(chǎn)生的。這種激發(fā)稱為本征激發(fā)。2.1.5、雜質(zhì)的補償作用1、本征激發(fā)與本征半導(dǎo)62即：n0=p0=ni（ni為本征載流子濃度）

（2）本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體就是

本征半導(dǎo)體。ni=ni（T）電子濃度空穴濃度n0=p0=ni即：n0=p0=ni（ni為本征載流子濃度）

（2）本征半63在室溫（RT=300K）下：

ni（Ge）≌2.4×1013cm-3

ni（Si）≌1.5×1010cm-3ni（GaAs）≌1.6×106cm-3ni——本征載流子濃度在室溫（RT=300K）下：ni——本征載流子濃度64（3）n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體

(A)如施主濃度ND>nin型半導(dǎo)體(B)如受主濃度NA>nip型半導(dǎo)體

當(dāng)半導(dǎo)體中摻入一定量的淺施主或淺受主時，因其離化能△ED或△EA很?。ā玆T下的kT=0.026eV）,所以它們基本上都處于離化態(tài)。（3）n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體

(B)如受主濃度NA>ni65(4)雜質(zhì)的補償,既摻有施主又摻有受主（A）ND(施主濃度）>NA（受主濃度）時

所以：有效的施主濃度ND*=ND-NA>ni

因EA在ED之下，ED上的束縛電子首先填充EA上的空位，即施主與受主先相互“抵消”，剩余的束縛電子再電離到導(dǎo)帶上。補償半導(dǎo)體n型半導(dǎo)體EDEAUESTCNuoLiu(4)雜質(zhì)的補償,既摻有施主又摻有受主（A）ND(施主濃度）66（B）NA>ND時

ED

EA所以：有效的受主濃度ND*=ND-NA>nip型半導(dǎo)體因EA在ED之下，ED上的束縛電子首先填充EA上的空位，即施主與受主先相互“抵消”，剩余的束縛空穴再電離到價帶上。（B）NA>ND時EDEA所以：有效的受主濃度ND*=N67（C）NA≈ND時

雜質(zhì)的高度補償

（C）NA≈ND時雜質(zhì)的高度補償68※就實際而言：半導(dǎo)體的最重要的性質(zhì)之一，就是能夠利用施主和受主雜質(zhì)兩種雜質(zhì)進(jìn)行參雜，并利用雜質(zhì)的補償作用，根據(jù)人們的需要改變半導(dǎo)體中某一區(qū)域的導(dǎo)電類型，以制成各種器件?！蛯嶋H而言：半導(dǎo)體的最重要的性質(zhì)之一，就是能夠利用施主692.1.6深能級雜質(zhì)（1）淺能級雜質(zhì)（2）深能級雜質(zhì)△ED≮Eg△EA≮EgEAEDEDEAEcEcEvEv△ED《Eg△EA《Eg雜質(zhì)在半導(dǎo)體禁帶中產(chǎn)生的能級距帶邊較遠(yuǎn)UESTCNuoLiu2.1.6深能級雜質(zhì)（1）淺能級雜質(zhì)（2）深能級雜質(zhì)EA70深能級雜質(zhì)的特征1、淺能級施主能級靠近導(dǎo)帶，淺能級受主能級靠近價帶；深能級施主則主要位于禁帶中線下，深能級受主主要位于禁帶中線上。深能級雜質(zhì)的特征1、淺能級施主能級靠近導(dǎo)帶，淺能級受主71例1：Au（Ⅰ族）在Ge中Au在Ge中共有五種可能的狀態(tài)：（1）Au+；（2）Au0（3）Au一

（4）Au二

（5）Au三。2、多重能級特性：一些深能級雜質(zhì)產(chǎn)生多次電離，導(dǎo)致多重能級特性。例1：Au（Ⅰ族）在Ge中Au在Ge中共有五種可能72（1）Au+：Au0–eAu+△EEgECEVED失去唯一的價電子，產(chǎn)生施主能級ED。（1）Au+：Au0–eAu+73（2）Au一：Au0+eAu一△EA1ECEAEVAu接受一個電子后變成Au-，產(chǎn)生受主能級EA1（2）Au一：Au0+eAu一EC74（3）Au二：Au一+eAu二

ECEA2EA1EV△E=△EAu接受兩個電子后變成Au=，產(chǎn)生受主能級EA2（3）Au二：Au一+e75（4）Au三：Au二+eAu三Au接受三個電子后變成Au三，產(chǎn)生受主能級EA3（4）Au三：Au二+eAu三Au76Au在Si中既可作施主，又可作受主，稱為兩性雜質(zhì)；如果在Si中摻入Au的同時又摻入淺受主雜質(zhì)，Au呈施主作用；反之，若同時摻入施主雜質(zhì)，則Au呈受主作用。ECEVEAEDAu在Si中既可作施主，又可作受主，稱為兩性雜質(zhì)；ECEVE77由于電子間的庫侖排斥力的作用，Au從價帶接受第二個電子所需的電離能比接受第一個電子時要大，接受第三個對比第二個大，所以EA3>EA2>EA1。深能級雜質(zhì)在半導(dǎo)體中以替位式的形態(tài)存在，一般情況下含量極少，它們對半導(dǎo)體中的導(dǎo)電電子濃度，導(dǎo)電空穴濃度和材料的導(dǎo)電類型的影響沒有淺能級雜質(zhì)顯著，但對載流子的復(fù)合作用比淺能級雜質(zhì)強得多。由于電子間的庫侖排斥力的作用，Au從價帶接受第二個電782.4Ⅲ-Ⅴ族化合物中德爾雜質(zhì)能級（1）等電子雜質(zhì)特征：a、與本征元素同族但不同原子序數(shù)例：GaP中摻入Ⅴ族的N或Bib、以替位形式存在于晶體中，基本上是電中性的。2.4Ⅲ-Ⅴ族化合物中德爾雜質(zhì)能級（1）等電子雜質(zhì)79（2）等電子陷阱

等電子雜質(zhì)（如N）占據(jù)本征原子位置（如GaAsP中的P位置）后，即存在著由核心力引起的短程作用力，它們可以吸引一個導(dǎo)帶電子（空穴）而變成負(fù)（正）離子，前者就是電子陷阱，后者就是空穴陷阱。

NNP（2）等電子陷阱等電子雜質(zhì)（如N）占據(jù)本征原子位置80(3)束縛激子

例：GaP：NNP+eNP-（等電子陷阱）之后NP-+h

NP-