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文檔簡介

PhysicsofSemiconductor No.30BuildingTheJunctionField-Effect流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件從場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)來劃分，可分為三大類(JunctiontypeFieldEffect(MetalSemiconductorFieldEffect(MetalOxideSemiconductorFieldEffectEffectTransistor）和金屬半導體場效應(yīng)晶體管（MESFETFieldEffectJFET很容易與雙極晶體管兼容，在模擬電路中路；而MESFET是目前GaAs微波單片集成電路JFET的結(jié)構(gòu)如圖所示，它是在N型半導體硅片的兩側(cè)各制造一個PN結(jié)，形成兩個PN結(jié)夾著一個N一端是源極。這種結(jié)構(gòu)又稱N溝JFET。在上述結(jié)構(gòu)中結(jié)型場效應(yīng)晶體管的工作原管只能工作在負柵壓區(qū)，P溝道的只能工作在正柵壓漏極電流ID柵結(jié)的空間電荷區(qū)擴展至區(qū)和區(qū)。由于是溝道——上下兩柵的空間電荷區(qū)之間，未被耗盡的 道電阻增加ID。繼續(xù)增大|VGS| 保持VGS固定不變，溝道漏端柵耗盡區(qū)的厚度將隨VDS的升高而逐漸增大．VDS上升到某一數(shù)值時上下柵結(jié)耗盡區(qū)連通，這就是溝道漏端夾斷。此時的VDS繼續(xù)增大，漏端附近的夾斷區(qū)長度隨增加而擴大。夾斷區(qū)內(nèi)載流子差不多是耗盡的，而且存在沿下柵耗盡區(qū)連通，而柵結(jié)耗盡區(qū)的厚度又決定于溝道電勢，所以＞時，溝道起始夾斷點的電勢將不再改變，它到源端的電勢差始終都將等于。外加漏源電壓超出的那一部分，即從結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲JFET的特性曲線有兩條，一是轉(zhuǎn)移特性曲線，二是輸出特性曲線。它與MOSFET的特性曲線基本相同，只不過MOSFET的柵壓可正、可負，而結(jié)型JFET的特性曲線如圖所(a)漏極輸出特性曲線 他半導體材

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