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文檔簡介
一、填空題電介質的極化有兩種,一是位移極化,二是取。
3、玻爾氫原子模型的三點假設是:定態(tài)假設、頻率件、角動量量子化假設。4、一維無限深勢阱模型的基本內容是阱壁勢能無限
2、在某金屬的光電效應實驗中,測得如圖1所示曲線,則該金屬的 紅限率=5, 逸出功03價元素銻,則形成了P型半
Vx
0 0xa
A=2.07eVeV.0導體,其雜質能級叫受主能級。
大,阱內為零或
0x,xa
3
的光 子的靜頻率的光子的能=hν動量p=hν靜 (用文字表述或用數(shù)學形式或用圖形表示均可。 hc質量m0
=0。
5、已知粒子在一維無限深勢阱中的波函數(shù)為
止質量為0,能量為h ,動量 。其標號列出2(3(5。(4)兩能級系統(tǒng)(5)諧振腔
xx
n2a2aaa
x xa
,則粒子的第一激32a
4、晶體中粒子結合力的形式有離子鍵、共價鍵、金屬鍵、范德瓦爾斯鍵。5n=4的量子態(tài)中,角量子數(shù)l的可能取值有0,1,2,3。在太陽能電池中,本征半導體鍺的禁帶寬度是
發(fā)態(tài)在
6 處出現(xiàn)的概率密度。
6、固體能帶論中價帶是指價電子分裂形成的能帶。0.67eV1.85×10-6m。
6NaCl6異
7、自由粒子一維含時薛定諤方程的數(shù)學形式為:1 a i
2 2放射性衰變的三種形式是、、。光電效應中從鋁中逸出一個電子最少需要4.2eV
(同異性離子最近鄰原子間距為2 NaCl晶體其立方邊長為a)
(設
t 2m x2 8、N型半導體中的多子是電子,是由雜質產生的。的能量,鋁的紅限波長為295.98nm。14種。.9L的值為12。
73p6N(N的固體)8、本征半導體的本征載流子為半導體中摻入3P型半導體中,空穴是多子(多子,少子。
9設、角動量量子化條件10、電介質中無極分子的極化機理是:化22、不確定性關系的數(shù)學表達式是xpx.21、愛因斯坦狹義相對論的兩條基本原理是(1)狹義相對性原理:所有物理定律在一切慣性
9、電介質的極化有兩種,一是無極分子的電子位移極化,二是有極分子的取向極化
3、波函數(shù)應滿足的標準化條件有.4系中都具有形同的數(shù)學表達形式; (2)光速不變
226Ra
2 d
V(xE原理:光在真空中的傳播速率在一切慣性系中都具有
10、已知88
的半衰期為1200年,則衰變常量為
2m dx2 .相同的值。
1.8311011s。
51mv2
E me4 1
n1,2,32、狹義相對論中動能不能用2E mc2mc2
表示,應是
1、普朗克量子假設的內容為n1,2,3。
n 8h2n20.6、產生激光的兩對基本矛盾是受激輻射與受激吸收k 0的矛盾;受激輻射與自發(fā)輻射的矛
5s3p
p
h 6.626 1034盾Ehhc
6.631034 3108
electron photon
0.2 1097、立方晶系包括簡單立方;面心立方;體心立方.8、內建電場的作用是阻礙多子的擴散,促進少子的漂
3.141019J1.96eV
632.8109
3.313 1024kg mS1) 但是光子的能量為移(阻礙或促進.9、根據(jù)物質的磁性,可將物質分為抗磁性物質;順磁性物質;鐵磁性物質4 10、用粒子打擊9Be產生12C4 4He+9Be12C+1n寫出核反應方程
抽運能量為E 18.81.96 20.8eV3、設粒子在一維無限深勢阱中運動,波函數(shù)為;求粒子在第一激發(fā)態(tài)(n=2)中,幾率最大的位置。)求幾率最大的位置。(解:在無限深方勢阱中粒子的第一激發(fā)態(tài)(
pc3.313102431089.939 1016(J)6.212 103(eV)而 電 子 的 能 量 為p2 (3.313 1024)2 2m 29.1 10316.031 1018(J)3.769 10( eV )2 4 6 0
n2
)的波函數(shù)為2a22a
5一維原子鏈鏈上原子等間距分布最近鄰原子間的力常數(shù)相間地β和10β各原子質量相等為m 畫出一維單原子鏈模型圖(要求表示出原子位移及.1。一靜止長度為0的火箭(可看作S系)以恒定速
(x)
sin(
x) 0xaa
力常數(shù);uSA發(fā)出一
(1)則其概率密度分布函數(shù)為
2n個原子的振動方程對火箭上的觀察者,求光信號從火箭頭部ABS系中的觀
w(x)
2sin2(2x)a a
()A到達火箭尾部B所需的
(2)概率最大的地方滿足時間?()
t'l0c
dw dx
8sin(a2
2 x)cos(a
2 x)0a
(2)(2)按照洛侖茲正變換的形式:
可以求出x 0,
a,a,4 2
3a,a4
f )f ) 左 2) t ()
t u xc2
在x
a x4和
3a4 時,幾率密度最大。
右 1 d2uccm ]cct(l0
u(l
)) l0
4、一電子與光子的波長都為0.2nm,不考慮相對論效
1
22n
2n1有 c c2 0 c
應,他們的動量和能量各為多少?
1ab0 05s3p能級躍遷時輻射632.8nm3p需吸收18.8eV能級需要多大的抽運能量?
解:由德布羅意關系知道,不論電子還是光子,其動量都是
量為m,若沿其長度方向以v=0.8c的速度相對地面0運動,則地面上觀察者測得長變?yōu)槎嗌伲浚?)寬變?yōu)槎嗌???)為多少?
aa a11v2c2
0.6a110.64
)代入相應數(shù)據(jù)計算(
h6.631034Js, m,若
1第2n個原子與第2n+1個原子之間的力(2)
bb0
C3108m/s1.61019J)
常數(shù),
2是第2n個原子與2n-1個原子之間的力常數(shù),0v21c20v21c210.640
5a
hE hc
設第2n-1,2n,2n+1個原子偏離平衡位置的位移分
3 0 解:(1)hc 6.6310343108
E (2)
u2n1
u2n,
u2n12、設粒子在一維無限深勢阱中運動,波函數(shù)
E
0.0451.61019
2.76105m
(1第2n-1個原子對第2n個原子的作用力大小。x
n2asin2a
x,0x
,若該粒子處
2325、905、
的原子質量為
232.03821u
求:(1)計算
(第2n+1個原子對第2n2n(4)2n于第一激發(fā)態(tài),則(1)n的取值為多少?(2)求粒子的概率分布函
E原子核的總結合能B。
方程。F u 數(shù)3
計算原子核的平均結合能(比結合能。
1)
2 2n
2n1
(2)解:(1)2 (2)
解 : ( 1 )
右 1
u2
u 2nx22sina
2na
x2sina
22xa
mc2B
u
(
)u
udxdx20 sin
x0
2(2
(3)合
1 2n
1 2 2
2 2n1(3) dx
a2 a
H n Th
d2um2nm
u u 4xka
且0xax0,
a,a,3a,aE 4 2 4E
B
7.61MeV
(4)
dt2
1 2n1 2
2 2
2n1d2x2
Aa 3a
2、有溫度不同的兩個黑體,已知0 xdx2 ,可得
4,x 4
4射能的最大波長。
,計算硅能吸收的輻
T 293K T 446103K,用斯特藩-玻爾121茲曼定律求兩黑體向空間輻射能量(總輻出度)(1))4、已知硅晶體的禁帶寬度
E1.2eV
,摻入適量5
hc
6.6310343108
計算1.13um
D解: ED
1.1
1.61019
解;(1)MT4 (2)E 0.045eV
MT
T 4
4.461034D ,試計算能吸收的輻射能的最大波
1。一維原子鏈中原子等距離分布,相距為a,原子質
MT21
T21
293
5.37104(1)導出波長計算公式l m (x,t)
z L mh3、某人測得一靜止棒長為0,質量為0,假設該棒 代入已知的
表達式,得 (2)軌道角動量在軸
的分量
m 2以v0.6c的速度沿棒長方向相對于此人運動,
i x i x2b2exp(E)cos( )ex(E)cos(
m0,1,2,3.則此人再測得(1)棒的長度為多少?(2)棒的質量為多少?
b2A2
bb2cos2(x
b)dx1
則L 可能的取值為0,
h,
h h.3, .3即 b2 b
m 2 22b12解)ll( 1v2b120
/c2
)0.8l ()0
A2b1 A2 所以
3、設某雙原子分子的兩原子間相互作用能由oA Bomm /0
1.25m11v2/c2
則歸一化波函數(shù)為
u(r)r2
r10表示,原子間的平衡距離為3A,5、波長為0
1.001010m的光子與一靜止的自
(xb/2,xb/2)
分子結合能為4eV(以D表示,試計算A和B。900
(x,t)
b exp(
Et)cos(x)
(b/2xb/2)由電子作彈性碰撞(康普頓散射),在與入射角成
2 b
解 : 按 題 意方向上觀察,問該方向上散射波波長的改變量為
(2)概率密度w為
r31010m,D41.61019J0多少 (b/2,xb/2) A Bh (x,t)2
u(r) D
cos2.431012m b 2 x
0 r2 r100解: 0 mc0
1. 2cos(bb/2xb/2)
0 0 (1 )設粒子在一維空間運動,它的狀態(tài)可以用波函數(shù)
(3)
(u(r))2A10B0b/2,xb/2)
d 2 x
r
r11
(2)
(cos2( ))0 0 0(x,t)Aexp(
Et)cos(x)(b/2xb/2)
dx b b
B1
Ar8 b
來描述。
x0
由(2)式得
5 0 (3)式中,A和b
求得在
處找到粒子的概率最大。
將式3)代入式,可解得(1)(2w()子出現(xiàn)在何處概率最大.:(1)(x,t)2dx1
2n4,l3的狀態(tài)。問:LL在z軸上的分量有哪些可能值?:(1)
A721039Jm2B9410115J4a近鄰原子之間的力常數(shù)相間地等于和10 Lb2,)db2,)d,)dx1
12 hl(ll(l1) h2
子質量相等,寫出原子(2n)和(2n1的振動方程。亦即
2 b2
解:第2n
個原子受力為))
自發(fā)輻射占主導1
22n
4.002603u1H)1.007825u)
u)(uu
)(1u
) 1
(P)
2n1
1N
原子。在計算施主第2n1個原子受力為
解() 1
7Li3
4He2
4He Q2
能級時,作為初步近似,可看作一個電子圍繞離子實11
))
(2)質量虧損:22n2
1
P運動組成一個類氫原子,浸在無限大的硅電介質
)
)
m(7.0161.0078)u24.0026u0.0186u
于是運動方程為
Qmc217.3MeV1、用你所學過的相關知識分析激光產生的基本原理。
中,已知硅的相對介電常數(shù)
,求這半導體的d2u m 2ndt2
(10u
e2ne
11u2n
u )2n1
用圖或文字描述原子發(fā)光的三個過程。(2生激光的過程是哪一個?如何突出該過程?
施主能級
ED(取m*m )。d2u m 2n1dt2
(u
2n2
11
2n
10u )2n
原子發(fā)光的三個過程:
解:設電子繞P做勻速圓周運動,則有5、已知硅晶體的禁帶寬度E1.2eV,摻入適量5
()自發(fā)輻射、受激吸收、受激幅射自發(fā)輻射:1.由高到低 E2E1
v2 e2
2.頻率條件 h
m r 4
r20 r
(1)E 0.04D
e試計算能吸收的輻射能的最大波
3隨機發(fā)生 E2E1受激幅射:1.入射光頻率 h
又設電子圓周運動的角動量滿足量子化條件:h長。 2.全同光子頻率.振動方向.相位均相
mvr
2, n1,2,3 (2)解:由
Ehc,得
同受激吸收:1.由低到高 E2E1
由式12)可解得2.入射光減弱 h
r n2
h20r ch
n me2 (3) max
m5m
(2)產生激光的過程是哪一個?如何突出該過程?三、應用題1.1932年,科可洛夫赫瓦爾頓用加速后的質子轟擊
受激幅射1、實現(xiàn)粒子數(shù)反轉 、設計光學諧振腔
E mv2 e32鋰(732
)原子發(fā)生裂變反應,產生了兩個完全相同
按以下題序,分析普通光源為何不發(fā)激光1、原子發(fā)光的三個基本過程為自發(fā)輻射、受激吸
n12電子能量12由(1)式可得
n r0rn的粒子,并放出大量能量。 收、受激輻射寫出此裂變反應式求反應放出的能(單 2三個基本過程中產生激光的基本過程是受激
1 e2mv2 7Li 4He 輻射
2 n r0rn位取Me((3
質量氦(2 )
3、產生激光的兩個基本物理條件是(1)受激吸收 所與受
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