半導(dǎo)體清洗設(shè)備產(chǎn)業(yè)研究：行業(yè)進(jìn)入黃金發(fā)展期國內(nèi)企業(yè)實力強勁

半導(dǎo)體清洗設(shè)備產(chǎn)業(yè)研究：行業(yè)進(jìn)入黃金發(fā)展期，國內(nèi)企業(yè)實力強勁1.

新興領(lǐng)域需求旺盛，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入上行周期半導(dǎo)體產(chǎn)品按照制造技術(shù)分類可以分為集成電路和分立器件，根據(jù)

WSTS統(tǒng)計，集成電

路占半導(dǎo)體總產(chǎn)值

80%以上。集成電路從功能、結(jié)構(gòu)角度主要分為數(shù)字集成電路、模擬

集成電路與數(shù)/?；旌霞呻娐啡?。其中：數(shù)字集成電路主要與數(shù)字信號的產(chǎn)生、放大

和處理有關(guān)，數(shù)字信號即在時間和幅度上離散變化的信號；模擬集成電路主要與模擬信

號的產(chǎn)生、放大和處理有關(guān)，模擬信號即幅度隨時間連續(xù)變化的信號，包括一切的感知，

譬如圖像、聲音、觸感、溫度、濕度等；數(shù)/?；旌霞呻娐肥侵篙斎肽M或數(shù)字信號，

輸出為數(shù)字或模擬信號的集成電路。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要包括核心產(chǎn)業(yè)鏈、支撐產(chǎn)業(yè)鏈以及需求產(chǎn)業(yè)鏈。核心產(chǎn)業(yè)鏈包括集

成電路設(shè)計、制造和封裝測試，支撐產(chǎn)業(yè)鏈包括集成電路材料、設(shè)備、EDA、IP核等，

需求產(chǎn)業(yè)鏈包括通訊產(chǎn)品領(lǐng)域、消費電子領(lǐng)域、計算機(jī)芯片領(lǐng)域、汽車/工業(yè)領(lǐng)域等。通

常在晶圓制造環(huán)節(jié)使用的設(shè)備被稱為前道工藝設(shè)備，在封測環(huán)節(jié)使用的被稱為后道工藝

設(shè)備。集成電路晶圓代工主要指以晶圓為原材料，借助載有電路信息的光掩模，運用光

刻和刻蝕等工藝流程，將電路布圖集成于晶圓上。晶圓經(jīng)過光刻和刻蝕等工藝流程的多

次循環(huán)，逐層集成，并經(jīng)離子注入、退火、擴(kuò)散、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、化學(xué)

機(jī)械研磨等流程，最終在晶圓上實現(xiàn)特定的集成電路結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體專用設(shè)備是生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐

環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步推動著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。其中，半導(dǎo)體前道晶圓制造設(shè)

備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積

設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。1.1

5G手機(jī)、自動駕駛和數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域驅(qū)動半導(dǎo)體行業(yè)周期上行半導(dǎo)體行業(yè)是一個周期性較強的行業(yè)，主要由下游產(chǎn)品更新迭代來帶動。在歷史上，半

導(dǎo)體行業(yè)的快速增長都預(yù)示著電子產(chǎn)品的時代革新。在

2000

年，出現(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)流行帶動臺

式電腦的需求。在

2003

年，消費電子新品涌現(xiàn)，出現(xiàn)便攜式

2G手機(jī)。2009

年，由蘋果

帶動的智能手機(jī)市場爆發(fā)。2016

年，各大通訊公司的平板電腦開始熱銷。在未來，半導(dǎo)

體行業(yè)下一輪的高速增長驅(qū)動因子將是：5G手機(jī)、自動駕駛和數(shù)據(jù)中心等。半導(dǎo)體行業(yè)

起源于西方，在美國啟蒙并快速發(fā)展。第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移由美國向日本轉(zhuǎn)移。第二次由日

本向韓國、中國臺灣轉(zhuǎn)移。隨著中國大陸下游電子產(chǎn)品需求的爆發(fā)式增長和一系列政策

的大力扶持，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心正在由韓國、中國臺灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。根據(jù)

WSTS統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2020

年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額達(dá)到

4404

億美元，同比增長

6.8%，

WSTS預(yù)測在

2021

年，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額將達(dá)到

5272

億美元，同比增長

19.7%，全

球所有地區(qū)都將迎來正增長。1.2

產(chǎn)業(yè)配套政策先行，中國大陸半導(dǎo)體增速領(lǐng)跑全球中國大陸在半導(dǎo)體有著廣泛的下游應(yīng)用產(chǎn)品，覆蓋通信及智能手機(jī)、電腦、工業(yè)、醫(yī)療、

消費電子、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G等。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2020

年中

國大陸集成電路銷售額

8848

億元，同比增長

17%，較

2019

年增速有所提升，大體趨勢

與世界保持一致，但增速明顯高于世界平均水平，領(lǐng)跑全球。半導(dǎo)體在大陸的快速增長主要驅(qū)動力除了廣闊的下游應(yīng)用產(chǎn)品之外還有一系列產(chǎn)業(yè)政策

和政策性資本投入的刺激。國家自

2000

年起陸續(xù)出臺了一系列法律法規(guī)和政策，從知識產(chǎn)權(quán)、稅收、投融資、研究開發(fā)、進(jìn)出口、人才等方面給與本土半導(dǎo)體企業(yè)優(yōu)惠政策。

2014

年國家成立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期，募集資金近

1400

億元，投資范圍覆蓋

IC設(shè)計、制造、封測、設(shè)備材料等各個環(huán)節(jié)，投資比重分別約為

20%、63%、10%、7%。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資資金二期已于

2019

年

10

約注冊成立，注冊資本為

2,041.5

億元，

將給大陸集成電路發(fā)展帶來新一輪資本注入的熱潮。2.

半導(dǎo)體先進(jìn)制程快速發(fā)展，國產(chǎn)設(shè)備有望延續(xù)高景氣中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備需求自

2012

年以來增速明顯，在

2019

年全球半導(dǎo)體需求低迷的大

環(huán)境下，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求實現(xiàn)逆勢增長，增幅約

2.59%。根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)

會數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2020

年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額達(dá)

711.8

億美元，較

2019

年的

597.6

億

美元同比增加

19%，較

2018

年的

646

億美元的歷史高點下降了

10％。其中中國大陸以

187.2

億美元的銷售額排名第一，占比為

26.3%，占比持續(xù)提升。中國臺灣地區(qū)位列第二，

銷售額為

171.5

億美元，占比為

24.09%。韓國、日本、北美、歐洲分列

3-6

位，銷售額

分別為

160.8、75.8、65.3

和

26.4

億美元。根據(jù)萬得數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2009-2018

年，半導(dǎo)體制造設(shè)備總體需求增速明顯，2018

年全球半導(dǎo)

體設(shè)備總銷售額為

621

億美元，其中晶圓制造設(shè)備需求體量達(dá)

502

億美元，占比超過

80%，

測試設(shè)備為

54

億美元，封裝設(shè)備為

40

億美元。根據(jù)

SEMI數(shù)據(jù)整理，在全球半導(dǎo)體設(shè)

備占比中，光刻、刻蝕及清洗、薄膜沉積、離子注入、過程控制及檢測為關(guān)鍵工藝設(shè)備，

該等工藝設(shè)備價值在晶圓廠單條產(chǎn)線成本中占比較高，其中清洗設(shè)備占比約為

6%。2.1

半導(dǎo)體先進(jìn)制程發(fā)展驅(qū)動設(shè)備支出加速增長隨著半導(dǎo)體芯片技術(shù)結(jié)點的不斷縮小，生產(chǎn)相同單位量的晶圓的設(shè)備投入呈加速上升趨

勢。根據(jù)中芯國際招股書披露，5

納米投資成本是

14

納米的兩倍以上，28

納米的四倍以

上，其募集資金的約

81%將用來購置生產(chǎn)設(shè)備及安裝，設(shè)備購置是晶圓廠建廠最主要費

用支出。在

5G需求的支撐下，SEMI預(yù)測

2020

年及

2021

年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出將繼續(xù)保持增長

勢頭。預(yù)計中國大陸、中國臺灣和韓國將加大半導(dǎo)體設(shè)備支出，其中中國大陸在晶圓代

工和存儲領(lǐng)域的強勁支出有望使中國大陸在

2020

年和

2021

年的半導(dǎo)體設(shè)備支出分別達(dá)

到

173

和

166

億美元，占比持續(xù)保持第一。2.2

本土晶圓廠建設(shè)持續(xù)加快，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備有望延續(xù)高景氣伴隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本注入熱潮，本土晶圓廠在建或規(guī)劃的數(shù)量逐漸增加，半導(dǎo)體設(shè)

備的需求將進(jìn)一步增長。根據(jù)

SEMI數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017-2020

年期間，全球有

62

座新晶圓

廠投產(chǎn)，其中

26

座新晶圓廠在中國大陸，占比達(dá)

42%。根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計，2020

年后中國大陸晶圓廠建廠規(guī)劃陸續(xù)出爐，主要晶圓廠有近

30

個擴(kuò)產(chǎn)項目處于在建或規(guī)劃

中，隨著中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)有望延續(xù)高景氣。3.

清洗工序貫穿重要工藝流程，半導(dǎo)體清洗設(shè)備重要性持續(xù)提升3.1

半導(dǎo)體清洗貫穿產(chǎn)業(yè)鏈重要工藝環(huán)節(jié)清洗是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要工藝環(huán)節(jié)。在半導(dǎo)體硅片的制造過程中，需要清洗拋光

后的硅片，保證其表面平整度和性能，從而提高在后續(xù)工藝中的良品率；而在晶圓制造

工藝中要在光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工序前后進(jìn)行清洗，去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì)，減

小缺陷率；而在封裝階段，需根據(jù)封裝工藝進(jìn)行

TSV清洗、UBM/RDL清洗等。清洗工

序的技術(shù)是影響芯片成品率、品質(zhì)及可靠性最重要的因素之一。清洗是指針對不同的工藝需求對晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗以去除半導(dǎo)體制造過程中的顆

粒、自然氧化層、金屬污染、有機(jī)物、犧牲層、拋光殘留物等雜質(zhì)的工序，避免雜質(zhì)影

響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能。清洗步驟數(shù)量約占所有芯片制造工序步驟的

30%以上，是所有芯片制造工藝步驟中占比

最大的工序。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件集成度不斷提高，芯片工藝節(jié)

點在不斷縮小。光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序步驟以倍速增長，因而清洗工序的數(shù)量

和重要性也隨著提升，在實現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對清洗設(shè)備的需求量也將快

速增長。根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。

濕法清洗是針對不同的工藝需求，采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對晶圓表面進(jìn)行無

損傷清洗，以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機(jī)物、金屬污染、犧牲層、

拋光殘留物等物質(zhì)，可同時采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段；干法清洗是指不

使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。

目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的

90%以上。在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、

組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等，其中單片清洗設(shè)備市場份額占比最高。在集成電路制造的先進(jìn)工藝中，單片清洗已逐步取代槽式清洗成為主流。首先，單片清

洗能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制，改善了單個晶圓和不同晶圓間的均勻性，

提高了產(chǎn)品良率；其次，更大尺寸的晶圓和更先進(jìn)的工藝對于雜質(zhì)更敏感，槽式清洗出

現(xiàn)交叉污染的影響會更大，進(jìn)而危及整批晶圓的良率，會帶來高成本的芯片返工支出。單片槽式組合清洗技術(shù)可以綜合單片清洗和槽式清洗的優(yōu)點，在提高清洗能力及效率的

同時，減少硫酸的使用量，在幫助客戶降低成本的同時，符合國家節(jié)能減排的政策要求。3.2

全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場空間持續(xù)擴(kuò)張，行業(yè)集中度較高根據(jù)

Gartner數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2018

年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模為

34.17

億美元，2019

年和

2020

年受全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行的影響，有所下降，分別為

30.49

億美元和

25.39

億美元，預(yù)計

2021

年隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇，全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場將呈逐年增長

的趨勢，2024

年預(yù)計全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)將達(dá)到

31.93

億美元。根據(jù)

VLSIResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計，在

2019

年全球半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)排名中，半導(dǎo)體清洗設(shè)備

龍頭迪恩士（DNS，日本）位列半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)第

7

名。根據(jù)盛美股份設(shè)備招股書披露，

全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場高度集中，尤其在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域，DNS、TEL、LAM、SEMES四家公司合計市占率高達(dá)

90%以上。國內(nèi)業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體清洗設(shè)備的公司除盛美股份外，還包括北方華創(chuàng)、至純科技以及芯源微。目前中國大陸的清洗設(shè)備領(lǐng)域主要有盛美股份、

北方華創(chuàng)、芯源微、至純科技等四家主要廠商，且專注的領(lǐng)域有所差異。其中，盛美股

份主要產(chǎn)品為集成電路領(lǐng)域的單片清洗設(shè)備，其中包括單片

SAPS兆聲波清洗設(shè)備、單

片

TEBO兆聲波清洗設(shè)備、單片背面清洗設(shè)備、單片前道刷洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、單

片槽式組合清洗設(shè)備等，產(chǎn)品線較為豐富；北方華創(chuàng)收購美國半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商

AkrionSystemsLLC之后主要產(chǎn)品為單片及槽式清洗設(shè)備；芯源微目前產(chǎn)品主要應(yīng)用于集成電路

制造領(lǐng)域的單片式刷洗領(lǐng)域；至純科技具備生產(chǎn)

8-12

英寸高階單晶圓濕法清洗設(shè)備和槽

式濕法清洗設(shè)備的相關(guān)技術(shù)，能夠覆蓋包括晶圓制造、先進(jìn)封裝、太陽能在內(nèi)多個下游

行業(yè)的市場需求。3.3

迪恩士（DNS）-全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭迪恩士于

1943

年在日本京都成立，根據(jù)盛美股份招股說明書數(shù)據(jù)，迪恩士目前是全球半

導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭企業(yè)，在全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場市占率達(dá)

40%以上。公司業(yè)務(wù)覆蓋

面較廣泛，包括半導(dǎo)體制造設(shè)備、圖形藝術(shù)設(shè)備、顯示生產(chǎn)設(shè)備和涂裝、印制電路板相

關(guān)設(shè)備。半導(dǎo)體制造設(shè)備營收占超

70%：2020

年，公司主營業(yè)務(wù)收入

3232

億日元，其中半導(dǎo)體制

造設(shè)備營收為

2305

億日元，占比為

71.21%。公司印刷電路板相關(guān)設(shè)備、圖形藝術(shù)設(shè)備營

收及顯示器制造及成膜設(shè)備和涂裝業(yè)務(wù)營收分別為

101、455

和

352

億日元，占比分別為

3.10%、14.24%和

10.84%。營業(yè)收入、凈利潤增速下滑：2014-2019

年，公司營業(yè)收入持續(xù)增長。2020

年，受疫情影

響，公司營業(yè)收入達(dá)

3232.5

億日元，同比下降

11.25%。2014-2018

年，公司歸母凈利潤

持續(xù)增長，自

2019

年起，呈下降趨勢，2020

年公司凈利潤為50.1

億日元，同比下降

72.26%。中國大陸為公司全球第三大市場：迪恩士經(jīng)過

70

多年的發(fā)展，其業(yè)務(wù)范圍已經(jīng)覆蓋了全

球各個地區(qū)，2020

年其在中國大陸銷售收入為

715

億日元，營業(yè)收入占比為

21.91%，是

全球僅此于中國臺灣及日本的第三大市場。盈利能力有所下降：2018-2020

年，公司毛利率及凈利率均呈下降趨勢。2020

年毛利率、

凈利率分別為

23.69%、1.54%，主因為占營業(yè)收入比重最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備營業(yè)利潤

率下降所致。公司

ROE及

ROA有所下滑：2018

年以來，公司

ROE及

ROA有所下滑，2020ROE及

ROA分別為

2.91%和

1.40%，主要原因系公司凈利潤的下滑。4.

國產(chǎn)半導(dǎo)體清洗設(shè)備實力強勁，專注于細(xì)分市場目前國內(nèi)能提供半導(dǎo)體清洗設(shè)備企業(yè)主要包括盛美股份、北方華創(chuàng)、芯源微和至純科技，

各專注的細(xì)分市場有所差異。其中，盛美股份主要產(chǎn)品為集成電路領(lǐng)域的單片清洗設(shè)備，

其中包括單片

SAPS兆聲波清洗設(shè)備、單片

TEBO兆聲波清洗設(shè)備、單片背面清洗設(shè)備、

單片前道刷洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備等，產(chǎn)品線較為豐富；北方

華創(chuàng)收購美國半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商

AkrionSystemsLLC之后主要產(chǎn)品為單片及槽式清洗設(shè)

備，可適用于技術(shù)節(jié)點為

65nm、28nm工藝的芯片制造；芯源微目前產(chǎn)品主要應(yīng)用于集

成電路制造領(lǐng)域的單片式刷洗領(lǐng)域；至純科技具備生產(chǎn)

8-12

英寸高階單晶圓濕法清洗設(shè)

備和槽式濕法清洗設(shè)備的相關(guān)技術(shù)，能夠覆蓋包括晶圓制造、先進(jìn)封裝、太陽能在內(nèi)多

個下游行業(yè)的市場需求。4.1

盛美股份-國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭盛美股份主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、

半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備。公司通過自主研發(fā)的單片兆聲波清洗技術(shù)、單片

槽式組合清洗技術(shù)、電鍍技術(shù)、無應(yīng)力拋光技術(shù)和立式爐管技術(shù)等，向全球晶圓制造、

先進(jìn)封裝及其他客戶提供定制化的設(shè)備及工藝解決方案。上市募資重點拓展半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造。公司于

2020

年

9

月

18

號發(fā)布科創(chuàng)板首次公開

發(fā)行股票招股說明書，擬發(fā)行

4,335.58

萬股，擬使用募集資金

70,000

萬元投資半導(dǎo)體設(shè)

備研發(fā)與制造中心，45,000

萬元投資高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)項目。半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造

中心項目擬在上海臨港新片區(qū)新建半導(dǎo)體集成電路設(shè)備研發(fā)與制造中心，項目計劃于

2023

年投入使用，公司全部產(chǎn)能將遷移至該新建研發(fā)制造中心，為公司今后的快速發(fā)展

打下堅實的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體高端設(shè)備研發(fā)項目重點對公司現(xiàn)有或未來主要產(chǎn)品及核心技術(shù)

的進(jìn)一步開發(fā)、升級及創(chuàng)新，主要方向有

TEBO兆聲波清洗設(shè)備的技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、Tahoe單片槽式組合清洗設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、背面清洗設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、前道刷洗設(shè)備

技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)及無應(yīng)力拋光設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)。公司清洗設(shè)備研發(fā)成果突出，已獲國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商認(rèn)可。公司成功研發(fā)出全球首創(chuàng)的

SAPS、TEBO兆聲波技術(shù)和

Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)，可應(yīng)用于

45nm及以下技術(shù)

節(jié)點的晶圓清洗領(lǐng)域，有效解決刻蝕后有機(jī)沾污和顆粒的清洗難題，同時大幅減少濃硫

酸等化學(xué)試劑使用。公司已發(fā)展成為具有國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備供應(yīng)廠商，產(chǎn)品

得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體產(chǎn)商得認(rèn)可，并取得良好的市場口碑。半導(dǎo)體單片清洗設(shè)備營收快速提升：公司產(chǎn)品主要分為半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備

和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備三大類，為了進(jìn)一步擴(kuò)大公司可覆蓋的半導(dǎo)體專用設(shè)備市場規(guī)模，

2018

年公司在濕法工藝的基礎(chǔ)上，開始干法設(shè)備的研發(fā)，并于

2020

年推出了立式爐管設(shè)

備，進(jìn)一步豐富了公司的產(chǎn)品線，擴(kuò)大了公司產(chǎn)品覆蓋的市場領(lǐng)域。其中半導(dǎo)體單片清

洗設(shè)備為公司最主要收入來源。2020

年公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備銷售收入

8.16

億元，營收占

比為

81%，先進(jìn)封裝濕法設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管設(shè)備銷售收入分別為

9856.51、

5290.13、758.90

萬元。清洗設(shè)備種類豐富，產(chǎn)品核心競爭力強。公司先后開發(fā)了單片清洗、槽式清洗以及單片槽

式組合清洗設(shè)備，用于芯片制造的前道銅互連電鍍設(shè)備、后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備，以及

用于先進(jìn)封裝的濕法刻蝕設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備及立

式爐管系列設(shè)備等。公司兆聲波單片清洗設(shè)備

SAPS技術(shù)已應(yīng)用于邏輯

28nm技術(shù)節(jié)點及DRAM19nm技術(shù)節(jié)點，并可拓展至邏輯芯片

14nm、DRAM17/16nm技術(shù)節(jié)點、32/64/128

層

3DNAND。兆聲波單片清洗設(shè)備

TEBO技術(shù)主要針對

45nm及以下圖形晶圓的無損傷

清洗，目前已應(yīng)用于邏輯芯片

28nm技術(shù)節(jié)點，已進(jìn)行

16-19nmDRAM工藝圖形晶圓的

清洗工藝評估，并可拓展至

14nm邏輯芯片及

nm級

3DFinFET結(jié)構(gòu)、高深寬比

DRAM產(chǎn)品及多層堆疊

3DNAND等產(chǎn)品中，在

DRAM上有

70

多步應(yīng)用，而在邏輯電路

FinFET結(jié)構(gòu)清洗中有

10

多步應(yīng)用。營業(yè)收入、歸母凈利潤快速增長：2017-2019

年，盛美股份營業(yè)收入、凈利潤增長較快，

其中

2019

年營業(yè)收入約為

7.57

億元，同比增長

37.52%，2019

年凈利潤約為

1.35

億元，

同比增長45.87%。2020年在全球半導(dǎo)體行業(yè)降溫的大環(huán)境下，公司實現(xiàn)了逆勢高速增長，

主因為公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備收入、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備以及先進(jìn)封裝濕法設(shè)備收入均實現(xiàn)增

長所致。2020

年公司營業(yè)收入為

10.07

億元，同比增長

33.13%，凈利潤為

1.97

億元，同

比增長

45.88%，業(yè)績有望持續(xù)快速增長。毛利率維持較高水平，凈利率穩(wěn)定：公司自

2017

以來，銷售毛利率維持在較高水平，為

44%左右，凈利率維持在

17%左右。公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備毛利率平穩(wěn)且保持在較高水平，

為

45%左右，主因為產(chǎn)品相對成熟，定制化程度高，產(chǎn)品在國內(nèi)市場具有絕對優(yōu)勢，在

國際市場具有較強的競爭優(yōu)勢。2020

年公司毛利率為

43.78%，凈利率為

19.53%，毛利

率小幅下降，凈利率小幅上升。分業(yè)務(wù)來看，2020

年半導(dǎo)體清洗設(shè)備、先進(jìn)封裝濕法設(shè)

備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和立式爐管設(shè)備業(yè)務(wù)毛利率分別為

45.01%、34.07%、24.65%和

26.10%。

2020

年公司

ROE及

ROA分別為

21.20%和

12.49%，較

2019

年持續(xù)下滑。主要系公司實

施了兩輪股權(quán)融資，凈資產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大所致。4.2

北方華創(chuàng)-國內(nèi)半導(dǎo)體核心設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司是由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司和北京北方微電子

基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司戰(zhàn)略重組而成，是目前國內(nèi)集成電路高端工藝裝備

的先進(jìn)企業(yè)。北方華創(chuàng)主要從事基礎(chǔ)電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)

品為電子工藝裝備和電子元器件，是國內(nèi)主流高端電子工藝裝備供應(yīng)商，也是重要的高

精密、高可靠電子元器件生產(chǎn)基地。公司在多年業(yè)務(wù)發(fā)展過程中，積累了大量的電子工

藝裝備及電子元器件核心技術(shù)，形成了以刻蝕技術(shù)、薄膜技術(shù)、清洗技術(shù)、精密氣體計

量及控制技術(shù)、真空熱處理技術(shù)、晶體生長技術(shù)和高可靠電子元器件技術(shù)等為主的核心

技術(shù)體系。公司已建立起豐富而有競爭力的產(chǎn)品體系，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、材料生長及

熱處理、新能源、航空航天、鐵路和船舶等領(lǐng)域。工藝裝備主要包括半導(dǎo)體裝備、真空

裝備和鋰電裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體照明、功率器件、微機(jī)電系統(tǒng)、先進(jìn)封

裝、光伏、新型顯示、真空電子、新材料、鋰離子電池等領(lǐng)域；電子元器件主要包括電

阻、電容、晶體器件、微波組件、模塊電源、混合集成電路，廣泛應(yīng)用于航空航天、精

密儀器儀表、自動控制等高、精、尖特種行業(yè)領(lǐng)域。半導(dǎo)體清洗設(shè)備方面，公司主要清洗設(shè)備產(chǎn)品為單片及槽式清洗設(shè)備，產(chǎn)品可用于集成

電路制造領(lǐng)域

28nm及以上工藝節(jié)點的單片式化學(xué)清洗（不含高溫化學(xué)工藝）、集成電路

后道先進(jìn)封裝、MEMS等領(lǐng)域。4.3

芯源微-國內(nèi)涂膠/顯影機(jī)設(shè)備領(lǐng)先者芯源微主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備

（涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)）和單片式濕法設(shè)備（清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)），產(chǎn)品可用

于

6

英寸及以下單晶圓處理（如

LED芯片制造環(huán)節(jié)）及

8/12

英寸單晶圓處理（如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)）。公司生產(chǎn)的涂膠/顯影機(jī)成功打破國外廠商壟

斷并填補國內(nèi)空白，其中在

LED芯片制造及集成電路制造后道先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)，作為國

內(nèi)廠商主流機(jī)型已成功實現(xiàn)進(jìn)口替代；通過多年的技術(shù)研發(fā)、實踐應(yīng)用積累以及持續(xù)承

擔(dān)國家

02

重大專項，公司成功突破了應(yīng)用于集成電路制造前道晶圓加工環(huán)節(jié)的涂膠顯影

設(shè)備技術(shù)，公司生產(chǎn)的涂膠顯影設(shè)備產(chǎn)品成功打破國外廠商壟斷并填補國內(nèi)空白，其中，

在集成電路前道晶圓加工環(huán)節(jié)，作為國產(chǎn)化設(shè)備已逐步得到驗證及應(yīng)用，實現(xiàn)小批量替

代；在集成電路制造后道先進(jìn)封裝、化合物、MEMS、LED芯片制造等環(huán)節(jié)，作為國內(nèi)

廠商主流機(jī)型已廣泛應(yīng)用在國內(nèi)知名大廠，成功實現(xiàn)進(jìn)口替代。半導(dǎo)體清洗設(shè)備方面，公司生產(chǎn)的清洗機(jī)通過自主研發(fā)的二流體噴嘴技術(shù)可將附著在晶

圓表面的細(xì)微顆粒污染物去除，去除率超過

95%。公司生產(chǎn)的清洗機(jī)可搭載高壓噴嘴、

超/兆聲波噴嘴、二流體噴嘴、化學(xué)品噴嘴、毛刷等多種清洗方式，能夠滿足集成電路制

造前道晶圓加工環(huán)節(jié)

90nm以上工藝制程的清洗要求以及后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)絕大部分清

洗工藝的要求。根據(jù)芯源微

2020

年年報披露，公司生產(chǎn)的集成電路前道晶圓加工領(lǐng)域用

清洗機(jī)

SpinScrubber設(shè)備的各項指標(biāo)均得到明顯改善或提升，已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

各項指標(biāo)均得到明顯改善或提升，已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平并成功實現(xiàn)進(jìn)口替代。該類設(shè)

備已在中芯國際、上海華力、廈門士蘭集科等多個客戶處通過工藝驗證，并在獲得國內(nèi)

多家

Fab廠商的批量重復(fù)訂單。在晶圓正反面清洗技術(shù)方面，顆粒去除能力由原來

的>90nm水平提升至>40nm水平。；可滿足

28nm制程的技術(shù)要求并在客戶端穩(wěn)定運行；

內(nèi)部微環(huán)境精確控

制技術(shù)已經(jīng)與國際一流企業(yè)持平。4.4

至純科技-國內(nèi)高純工藝龍頭HYPERLINK"/S/SH603690?from=status_s