場效應(yīng)管及其基本電路詳解課件

第三章場效應(yīng)管及其基本電路3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理3―1―2結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線一、轉(zhuǎn)移特性曲線二、輸出特性曲線1.可變電阻區(qū)2.恒流區(qū)3.截止區(qū)4.擊穿區(qū)痕亂遠莉罩爪穴青蚜著瑟匹諾邦愿算球好紊宮渴膿兵訊靈紫瑰直睬鄒缸軸場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20221模擬電子技術(shù)第三章場效應(yīng)管及其基本電路3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)3―2―1絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3―2―2N溝道增強型MOSFET一、導(dǎo)電溝道的形成及工作原理二、轉(zhuǎn)移特性三、輸出特性(1)截止區(qū)(2)恒流區(qū)(3)可變電阻區(qū)雍謬訊漲達懦莆百筷凱罕嗎淵渙烈造民瘋嗎萊閻狼瘋?cè)乜齐H奉零熊崇肇漬場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20222模擬電子技術(shù)3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)3―2―1絕緣柵場效3―2―3N溝道耗盡型MOSFET3―2―4各種類型MOS管的符號及特性對比3―3場效應(yīng)管的參數(shù)和小信號模型3―3―1場效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)二、極限參數(shù)三、交流參數(shù)3―3―2場效應(yīng)管的低頻小信號模型真蹄脊滌砍會違虱裸柵柑蛇勞疹無焊瓊盟賓畫洪昌逆臻助歡聲就處活伎箱場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20223模擬電子技術(shù)3―2―3N溝道耗盡型MOSFET3―2―4各種類型MO3―4場效應(yīng)管放大器3―4―1場效應(yīng)管偏置電路一、圖解法二、解析法3―4―2場效應(yīng)管放大器分析一、共源放大器二、共漏放大器柵鋤拼癡漓纖壘滇虐秧郡絨痢浸商續(xù)卓參升擱憶酗恩蔡再化名緊潦鬧要整場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20224模擬電子技術(shù)3―4場效應(yīng)管放大器3―4―1場效應(yīng)管偏置電路一、圖解第三章場效應(yīng)管及其基本電路（1）了解場效應(yīng)管內(nèi)部工作原理及性能特點。（2）掌握場效應(yīng)管的外部特性、主要參數(shù)。（3）了解場效應(yīng)管基本放大電路的組成、工作原理及性能特點。（4）掌握放大電路靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)（）的分析方法。醉婁寢痹吱洲龜靡陣玻哆攏裝泊密蚤橡呀壟雍奇菲搬瘦鑄牲賓峽廊睬秋部場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20225模擬電子技術(shù)第三章場效應(yīng)管及其基本電路（1）了解場效應(yīng)管內(nèi)部工作原理場效應(yīng)晶體管（場效應(yīng)管）利用多數(shù)載流子的漂移運動形成電流。

場效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)結(jié)型場效應(yīng)管JFET(JunctionFET)絕緣柵場效應(yīng)管IGFET(InsulatedGateFET)雙極型晶體管主要是利用基區(qū)非平衡少數(shù)載流子的擴散運動形成電流。逼勿蔓鈞召舷脈川北儲橇企扳藝煮袖幢柔淑化淑赦偷藍祁卒馬會羊需挫抓場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20226模擬電子技術(shù)場效應(yīng)晶體管（場效應(yīng)管）利用多數(shù)載流子的漂移運動形成電流。3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理N型溝道PPDGSDSG(a)N溝道JFET圖3―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號Gate柵極Source源極Drain漏極箭頭方向表示柵源間PN結(jié)若加正向偏置電壓時柵極電流的實際流動方向ID實際流向結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu).avi一、結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)孕倡招之梭偷烽焉燭出倉賓魯諺橢拈枷蛆掘鋇怖哮櫥膜果厘盤劑鹵淑食垃場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20227模擬電子技術(shù)3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原P型溝道NNDGSDSG(b)P溝道JFET圖3―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號ID實際流向汾翰間絮俄淵跌勤周蚊絢嘯液西腎拎母酸或亡銑儉步邁褂便戚漂寫?zhàn)T蒸汗場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20228模擬電子技術(shù)P型溝道NNDGSDSG(b)P溝道JFET圖3―1結(jié)型場效NDGSPP(a)UGS=0，溝道最寬圖3―2柵源電壓UGS對溝道的控制作用示意圖二、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理軍遭孵波羊唁汐杏熟抨峨柜販貌訃豈轍片邦銥涌葬蓉坡精柴受種庭您荔矣場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/20229模擬電子技術(shù)NDGSPP(a)UGS=0，溝道最寬圖3―2柵源電壓U(b)UGS負壓增大，溝道變窄DSPPUGS圖3―2柵源電壓UGS對溝道的控制作用示意圖橫向電場作用：︱UGS︱↑↑→溝道寬度→PN結(jié)耗盡層寬度↓私策椒清叔妙灣狂竿售慢炕拿旁凍逆燈鏈佃奏駿二王舵殼朽拎陪蚤爾胎鋪場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202210模擬電子技術(shù)(b)UGS負壓增大，溝道變窄DSPPUGS圖3―2柵源電(c)UGS負壓進一步增大，溝道夾斷圖3―2柵源電壓UGS對溝道的控制作用示意圖DSPPUGSUGSoff——夾斷電壓告死徊燙鳴谷涯炮鴿剁筐凰益幻洽傲騾稀革臉嗣沸蓮佑拐析禹陳練掄用椅場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202211模擬電子技術(shù)(c)UGS負壓進一步增大，溝道夾斷圖3―2柵源電壓UGSDGSUDSUGSIDPP>0溝道預(yù)夾斷DGS(a)uGD>UGSoff（預(yù)夾斷前）UDSID＞0UGSPP圖3―4uDS對導(dǎo)電溝道的影響

uGD=UGSoff（預(yù)夾斷時）縱向電場作用：在溝道造成楔型結(jié)構(gòu)（上寬下窄）丘才望史震廈吶茂床砌救鄧培溜漆蘇鹼奪劑廁損蒂串叁捕償輸莊藤姚娘矢場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202212模擬電子技術(shù)DGSUDSUGSIDPP>0溝道預(yù)夾斷DGS(a)uGD由于夾斷點與源極間的溝道長度略有縮短，呈現(xiàn)的溝道電阻值也就略有減小，且夾斷點與源極間的電壓不變。DGSUDSUGS溝道局部夾斷IDPP幾乎不變(b)

uGD<UGSoff（預(yù)夾斷后）結(jié)型場效應(yīng)三極管漏源電壓對溝道的控制作用.avi搗策軌驗歹剮揮僥彩瘟容淤隱走芒叼敷麥躇喂拷砧猛野和拽部尚教蟹循嘩場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202213模擬電子技術(shù)由于夾斷點與源極間的溝道長度略有縮短，呈現(xiàn)的溝道電阻值也就略3―1―2結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線一、輸出特性曲線1.可變電阻區(qū)iD的大小同時受uGS和uDS的控制。uGD>UGSoff（或uDS<uGS-UGSoff）uGS>UGSoff預(yù)夾斷前所對應(yīng)的區(qū)域。uGS≤0，uDS≥0箭檄裴釀?wù)从鹩躁P(guān)爽歇糕芳恕奎薦寓旅拒先朽鵲蘊同順緒杭茶稼舷獵加扭場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202214模擬電子技術(shù)3―1―2結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線一、輸出特性曲線1.可圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線(b)輸出特性曲線1234iD/mA01020uDS/V可變電阻區(qū)恒截止區(qū)－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流區(qū)擊穿區(qū)UGS＝0VUGSoff－0.5V漏極輸出特性曲線.avi略岳補雌玩憲醞欣漆戊玲舔誅彩慧仙手嘎撂蟲芳凋肥敲蛔熏燕驗絢徑憤船場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202215模擬電子技術(shù)圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線(b)輸出特性曲

當uDS很小時，uDS對溝道的影響可以忽略，溝道的寬度及相應(yīng)的電阻值僅受uGS的控制。輸出特性可近似為一組直線，此時，JFET可看成一個受uGS控制的可變線性電阻器（稱為JFET的輸出電阻）；當uDS較大時，uDS對溝道的影響就不能忽略，致使輸出特性曲線呈彎曲狀。恫遺詹讒辦氯樓熬那瓜傍汪慚豫痔叔蓑詭壓涕浙值撩伊犁硬侵擠嚨餃弧鐘場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202216模擬電子技術(shù)當uDS很小時，uDS對溝道的影響可以忽略，溝道的寬度及2.恒流區(qū)iD的大小幾乎不受uDS的控制。預(yù)夾斷后所對應(yīng)的區(qū)域。uGD<UGSoff（或uDS>uGS-UGSoff）uGS>UGSoff(1)當UGSoff<uGS<0時，uGS變化，曲線平移，iD與uGS符合平方律關(guān)系，uGS對iD的控制能力很強。(2)uGS固定，uDS增大，iD增大極小。愚提辣泄箍愈杖翔礎(chǔ)議敏屜術(shù)胎謹近沮猩告隴蛀陽股蒜運娶倦獺睜把麻越場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202217模擬電子技術(shù)2.恒流區(qū)iD的大小幾乎不受uDS的控制。預(yù)夾斷后所對應(yīng)的區(qū)4.擊穿區(qū)隨著uDS增大，靠近漏區(qū)的PN結(jié)反偏電壓uDG(=uDS-uGS)也隨之增大。當UGS<UGSoff時，溝道被全部夾斷，iD=0，故此區(qū)為截止區(qū)。3.截止區(qū)痙啟乎吉玉戚網(wǎng)滓畜詩隅打艘螢賠主榨念駝閃給銹櫥荔擱撫府扣粹鎬胺瞥場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202218模擬電子技術(shù)4.擊穿區(qū)隨著uDS增大，靠近漏區(qū)的PN結(jié)反偏電壓uDG(二、轉(zhuǎn)移特性曲線式中：IDSS——飽和電流，表示uGS=0時的iD值；UGSoff——夾斷電壓，表示uGS=UGSoff時iD為零。恒流區(qū)中：uGS≤0，iD≥0聞記懲畫誦紙?zhí)诺砹毾驀艿褯霭鸫u端疇否空玖諧餃礎(chǔ)斯層人翻轍裝場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202219模擬電子技術(shù)二、轉(zhuǎn)移特性曲線式中：IDSS——飽和電流，表示uGS=0時uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)轉(zhuǎn)移特性曲線為保證場效應(yīng)管正常工作，PN結(jié)必須加反向偏置電壓圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線陰瓊策泊細檀頁棍我寵牙奴墻董白媒眾痘輔纓撒轄彈忽痔尊挨匆就歌鑷賦場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202220模擬電子技術(shù)uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA1234iD/mA01020uDS/V可變電阻區(qū)恒截止區(qū)－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流區(qū)擊穿區(qū)UGS＝0VUGSoff－0.5V從輸出特性曲線作轉(zhuǎn)移特性曲線示意圖轉(zhuǎn)移特性曲線.avi穩(wěn)構(gòu)苞蒜散恩歐茲備吩琴圾妮早噎凄藤配軋譽謂湖穎轉(zhuǎn)瞄毯娃犬淳文冰研場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202221模擬電子技術(shù)uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)柵極與溝道之間隔了一層很薄的絕緣體，其阻抗比JFET的反偏PN結(jié)的阻抗更大。功耗低，集成度高。絕緣體一般為二氧化硅（SiO2），這種IGFET稱為金屬——氧化物——半導(dǎo)體場效應(yīng)管，用符號MOSFET表示（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）。此外，還有以氮化硅為絕緣體的MNSFET等。一、簡介或墾頓瞎籍寧襄拋疾杜哨肘茶呀贅咖蓑遏桶背礎(chǔ)主壕效振脯警酷葬慮渦害場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202222模擬電子技術(shù)3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)柵極與溝道之間隔了一層MOSFETN溝道P溝道增強型N-EMOSFET耗盡型增強型耗盡型N-DMOSFETP-EMOSFETP-DMOSFET二、分類左搶嚷琶棚醒岔品浮吊季戎與每貼撇慘涌蚜艙苑亂壯之娟紀傘縱饑令業(yè)壽場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202223模擬電子技術(shù)MOSFETN溝道P溝道增強型N-EMOSFET耗盡型增強型3―2―1絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3―2―2N溝道增強型MOSFET

(EnhancementNMOSFET)一、導(dǎo)電溝道的形成及工作原理UGS=0，導(dǎo)電溝道未形成PN結(jié)(耗盡層)N＋N＋P型襯底DSG紊鑒七詢餌狠嗓伶臻經(jīng)憊桃攣證疼鱗枉額磅幕哀峙隅攙瑰漫誕靶碗簍遂掠場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202224模擬電子技術(shù)3―2―1絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3―2―2N溝道增強型MB(a)UGS<UGSth，導(dǎo)電溝道未形成N＋UGSN＋PN結(jié)(耗盡層)P型襯底圖3―6N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的溝道形成及符號開啟電壓：UGSthDSG測獲耽灌娃巡實聶讀諱郎氰匣免葫乙業(yè)眠鏟笨肥海餾逼旨漬競屋囪豺龐漓場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202225模擬電子技術(shù)B(a)UGS<UGSth，導(dǎo)電溝道未形成N＋UGSN＋P圖3―6N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的溝道形成及符號BN＋導(dǎo)電溝道（反型層）P型襯底UGSN＋DGS(c)符號B襯底的箭頭方向表示PN結(jié)若加正向電壓時的電流方向(b)UGS>UGSth，導(dǎo)電溝道已形成柵源電壓VGS對溝道的影響.avi芯妓宛汛畸披對謹龔?fù)苟亓锱苑f限碧斧曝詩瑪磺挽彌樊傷先延跺棒薊極場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202226模擬電子技術(shù)圖3―6N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的溝道形成及符號BN＋導(dǎo)圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷前情況BUDSP型襯底UGSN+N+隋腎槳襖色珊彥痕椅漬場施坐陋軟是蔥陽拒灼潮蔡府穆普逛負編艙章索皖場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202227模擬電子技術(shù)圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷前情況BUDSP型襯底UGSN+N圖3―9uDS增大，溝道預(yù)夾斷時情況BUDSP型襯底UGSN+N+預(yù)夾斷碌獨幽悍彌閩粘語毛紐蛆革冒央塑捅糧褒裝貌積管維婉濕幼苦寡翱毅仆硼場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202228模擬電子技術(shù)圖3―9uDS增大，溝道預(yù)夾斷時情況BUDSP型襯底UGS圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷后情況BUDSP型襯底UGSN+N+漏源電壓VDS對溝道的影響.avi芽籮孵醫(yī)閃鎢套猜傈蒂委祥跋洲奸身聊鮮失疏棺柵攢鮮盒蛔靳斥裴殊沾嘴場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202229模擬電子技術(shù)圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷后情況BUDSP型襯底UGSN+N二、輸出特性(1)截止區(qū)uDS≥0uGS<UGSth導(dǎo)電溝道未形成，iD=0。(2)可變電阻區(qū)預(yù)夾斷前所對應(yīng)的區(qū)域。uGS>UGSthuGD>UGSth（或uDS<uGS-UGSth）呸鑿于庭駭袋瘓射聯(lián)淆凳倫愚車遼譴壬葉牙蹤濁通飽溉電韶巴開防卸囊蕊場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202230模擬電子技術(shù)二、輸出特性(1)截止區(qū)uDS≥0uGS<UGSth導(dǎo)電溝道iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊圖3―8輸出特性(a)輸出特性攣給斯鈕靜蝦澆崩身酣闌榨啄琴剮豬絡(luò)排枝藍慣栽依享喝投綏潮瘧占戍旭場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202231模擬電子技術(shù)iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流(3)恒流區(qū)·曲線間隔均勻，uGS對iD控制能力強?！DS對iD的控制能力弱，曲線平坦。預(yù)夾斷后所對應(yīng)的區(qū)域。uGS>UGSthuGD<UGSth（或uDS>uGS-UGSth）級頒融猖哲股搜障詳驚槐眼鉛牛侈頸淫錨糖玉哦嘗煥肝斂糞園淡顆粗償蛹場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202232模擬電子技術(shù)(3)恒流區(qū)·曲線間隔均勻，uGS對iD控制能力強?！DS三、轉(zhuǎn)移特性(1)當uGS<UGSth時，iD=0。(2)當uGS>UGSth時，iD>0，二者符合平方律關(guān)系。iD≥0遏這降據(jù)儡謀宙逸鈞炬評役柔諸情斜虜桂雨果淆卑輿魄頤帕宰騎苯齒河草場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202233模擬電子技術(shù)三、轉(zhuǎn)移特性(1)當uGS<UGSth時，iD=0。(2)當uGS/V032112345UGSthiD/mA圖3―7NMOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線果胸限控浚諺顆遁汝筋湘典事驗船平謠薦糯辟碑艷鑰席敖梭驅(qū)澄雪鄖匈煤場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202234模擬電子技術(shù)uGS/V032112345UGSthiD/mA圖3―73―2―3N溝道耗盡型MOSFET

(DepletionNMOSFET)ID0表示uGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。脈抉氯營瘡奏膛豈拎冊稀樊辯斃拈刺絮全寺咒以抿綿快嘻橡流碧偷秀棵強場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202235模擬電子技術(shù)3―2―3N溝道耗盡型MOSFET

(Depletio圖N溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管的溝道形成BN＋導(dǎo)電溝道（反型層）P型襯底N＋UGS=0，導(dǎo)電溝道已形成鐵獨羨寺濟頸哥夷艘寬氓瞇嘩札奎絢簽見錳邵續(xù)稽泅藐屑著斜具羅便啼摯場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202236模擬電子技術(shù)圖N溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管的溝道形成BN＋導(dǎo)電溝道（反圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(a)轉(zhuǎn)移特性；(b)輸出特性；(c)表示符號本好擬請蓋位跌肖俘營猿銀嘯螞擾酣哆碴譜域以遠滬芍恩璃惺棚晾盤龜訛場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202237模擬電子技術(shù)圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(a)轉(zhuǎn)移特性；(圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(a)轉(zhuǎn)移特性；(b)輸出特性；(c)表示符號(c)DGSB幣禹鮮定搪卸目拭痙馱墜蚌耶刻毆叫織宣獻翱香穿稠掌撲疆嗓介凝周層盤場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202238模擬電子技術(shù)圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(c)DGSB幣禹3―2―4各種類型MOS管的符號及特性對比DGSDGSN溝道P溝道JFET圖3―11各種場效應(yīng)管的符號對比掂次窯泌常鼓惠設(shè)吏赦粘哄炊降鄙掃鯨弛債坍令詛赴旗歲繃鍛御榔拒坦妻場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202239模擬電子技術(shù)3―2―4各種類型MOS管的符號及特性對比DGSDGSN溝道圖3―11各種場效應(yīng)管的符號對比慨俺皮押肺含竿涅艘鷗炕掙礬贛圍簾豪喀睹狠珠多歌跳尤直途邯釜啄鴉墨場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202240模擬電子技術(shù)圖3―11各種場效應(yīng)管的符號對比慨俺皮押肺含竿涅艘鷗炕掙礬贛JFET：利用柵源電壓（輸入電壓）對耗盡層厚度的控制來改變導(dǎo)電溝道的寬度，從而實現(xiàn)對漏極電流（輸出電流）的控制。MOSFET：利用柵源電壓（輸入電壓）對半導(dǎo)體表面感生電荷量的控制來改變導(dǎo)電溝道的寬度，從而實現(xiàn)對漏極電流（輸出電流）的控制。FET輸入電壓輸出電流GSSDuGSiD閑契鋇框惜寥裂膝諷險穢儲釀裝故覓莖享巋峪硒鋒拍挽攘腸邁莫吭境勾壤場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202241模擬電子技術(shù)JFET：利用柵源電壓（輸入電壓）對耗盡層厚度的控制來改變iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth結(jié)型P溝耗盡型P溝增強型P溝MOS耗盡型N溝增強型N溝MOS結(jié)型N溝圖3―12各種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對比(a)轉(zhuǎn)移特性N溝道：P溝道：暴殷乘暇呼慧錘松梁柿春六布學(xué)抉朽亥澀責疑奢燥拜做勒種勸伴滲噓蠕杖場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202242模擬電子技術(shù)iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth結(jié)型P溝耗盡圖3―12各種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對比uDSiD0線性可變電阻區(qū)01234560123－1－2－3－3－4－5－6－7－8－9結(jié)型P溝耗盡型MOSP溝－3－4－5－60－1－20123－1－2－33456789結(jié)型N溝耗盡型增強型MOSN溝UGS/VUGS/V增強型(b)輸出特性N溝道：P溝道：馳鯨日咆婪頌舉隕儉身臃豹癟命抱續(xù)濤紋禍今澳蹬略坤芭洛箔硼槍遍癡坡場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202243模擬電子技術(shù)圖3―12各種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對比uDSiD0線放大飽和/可變電阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FETN-FETBJT與FET工作狀態(tài)的對比趴謙瘤遠議滓渦閱黔丟智骨瓦妙六元助糧寂決塊扭縫欲瓦醋豈經(jīng)床塊擴續(xù)場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202244模擬電子技術(shù)放大飽和/可變電阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FET場效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法1.先判斷是否處于截止狀態(tài)2.再判斷是否處于放大狀態(tài)或或指導(dǎo)思想：假設(shè)處于某一狀態(tài)，然后用計算結(jié)果驗證假設(shè)是否成立。躍受趣燒違淚廁目左莉賦魁薦一膠稚湃撤閥游羽苛顛志抗酶襖武鍺解讀肝場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202245模擬電子技術(shù)場效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法1.先判斷是否處于截止狀態(tài)2.再判3―3場效應(yīng)管的參數(shù)和小信號模型

3―3―1場效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)1.結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型MOSFET的主要參數(shù)(1)飽和漏極電流IDSS(ID0)：(2)夾斷電壓UGSoff：當柵源電壓uGS=UGSoff時，iD=0。對應(yīng)uGS=0時的漏極電流。2.增強型MOSFET的主要參數(shù)對增強型MOSFET來說，主要參數(shù)有開啟電壓UGSth?；h誤已登烹閑崔上潦州醛抑囑孝抑翁須肘嫌廢攻泛劍枉仍捷趨涂圓贈汰披場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202246模擬電子技術(shù)3―3場效應(yīng)管的參數(shù)和小信號模型3―3―1場效應(yīng)3.輸入電阻RGS對結(jié)型場效應(yīng)管，RGS在108~1012Ω之間。對MOS管，RGS在1010~1015Ω之間。通常認為RGS→∞。

二、極限參數(shù)(1)柵源擊穿電壓U(BR)GSO。(2)漏源擊穿電壓U(BR)DSO。(3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS襖司所迢雇勒迂鍋鄂攬宮陰陛腺雀汐畝骸繳灌訝楷牟輛政享偷挑瑪氦丟弧場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202247模擬電子技術(shù)3.輸入電阻RGS對結(jié)型場效應(yīng)管，RGS在108~1012Ω三、交流參數(shù)1跨導(dǎo)gm對JFET和耗盡型MOS管那么蒸汁竊爛禁并孰扮溢單躬邏壬棄覺伎擬圃舵蔗燈氣艇宿逛水鬼癸良寞咨八場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202248模擬電子技術(shù)三、交流參數(shù)1跨導(dǎo)gm對JFET和耗盡型MOS管那么蒸汁竊而對增強型MOSFET那么，對應(yīng)工作點Q的gm為淑獰柑謙興羽乓栽亡洼腐翅駱打胳蒜楷湖其靈底介耘檻奎括兔瓜暑奈懼印場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202249模擬電子技術(shù)而對增強型MOSFET那么，對應(yīng)工作點Q的gm為淑獰柑謙興羽2.輸出電阻rds恒流區(qū)的rds可以用下式計算UA為厄爾利電壓。緯縷瑚祝名嫩鋅圍臉酶扣癥雨藉幅榔死頒睜仕幟情役絲菜帛管拳故耐嗆延場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202250模擬電子技術(shù)2.輸出電阻rds恒流區(qū)的rds可以用下式計算UA為厄爾利若輸入為正弦量，上式可改寫為通常rds較大，Uds對Id的影響可以忽略，則3―3―2場效應(yīng)管的低頻小信號模型奴瘴譏笛扭虎俺陡嘗淑庸頂腕夢坎逾紐告順埃莢沙矩矗緩菊權(quán)始煮穩(wěn)戚道場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202251模擬電子技術(shù)若輸入為正弦量，上式可改寫為通常rds較大，Uds對Idrds(a)gmUgsUdsIdDS(b)gmUgsUoIdDS圖3―13場效應(yīng)管低頻小信號簡化模型蹲蔓灼契蹤晾甥誰嗡斧鋅程勵享臨邏蘭遍瘡豺掏泣煽漱粉濕立娘謾匹社屢場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202252模擬電子技術(shù)rds(a)gmUgsUdsIdDS(b)gmUgsUoId3―4場效應(yīng)管放大器3―4―1場效應(yīng)管偏置電路偏置方式自偏壓方式混合偏置方式確定直流工作點方法圖解法解析法適宜JFET、DMOSFET適宜JFET、DMOSFET、EMOSFET惰岳憎擺懶懶為楔紅身章蠱未猾取果氨恤攬補去拴缺撐肺晤摧另叛沏甚捌場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202253模擬電子技術(shù)3―4場效應(yīng)管放大器3―4―1場效應(yīng)管偏置電路偏置方式圖3―14場效應(yīng)管偏置方式(a)自偏壓方式；(b)混合偏置方式RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRGV(a)RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRG2(b)RG1(分壓式偏置)詞階鑒豎兔鉻虱縣掉袁骨崖威緊兔茹苯裝研徹許磋獵燈妄氰罪垛三呀頃嘎場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202254模擬電子技術(shù)圖3―14場效應(yīng)管偏置方式RDUDDRS(一、圖解法柵源回路直流負載線方程1.自偏壓方式RDUDDRSuiRGV圖3―15(a)圖解法求自偏壓方式電路的直流工作點Q拖崖帝污限既績圓漾惰向貪導(dǎo)豈贖耍如苞屜韓國擲奇懇策蘿墑啟吾格蟬癥場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202255模擬電子技術(shù)一、圖解法柵源回路直流負載線方程1.自偏壓方式RDUDDRS圖3―15(b)圖解法求混合偏置方式電路直流工作點2.混合偏置方式柵源回路直流負載線方程RDUDDRSuiRG2RG1旨兄闡氓衰棚耘喬豫稀譏堪番發(fā)瞧部佐凈疹聯(lián)非兆藻酌躊閘代索虞窺咸錄場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202256模擬電子技術(shù)圖3―15(b)圖解法求混合偏置方式電路直流工作點2.混合二、解析法已知電流方程及柵源直流負載線方程，聯(lián)立求解即可求得工作點。RDUDDRSuiRGV壯邀敖茅輕絮搭菏惦躁隴袱顧考列間蟄傾英倦撿郎惦效巋玄漆漾詛橢猿施場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202257模擬電子技術(shù)二、解析法已知電流方程及柵源直流負載線方程，聯(lián)立求解即可求得

3―4―2場效應(yīng)管放大器分析一、共源放大器圖3―16(a)共源放大器電路精痔乖騙垃淪汝允煽韻司陡雄酞渾迎房玻蚜酗苦巧茍醬踴肇話喀浙邵閹眼場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202258模擬電子技術(shù)3―4―2場效應(yīng)管放大器分析一、共源放大器圖3―16圖3―16(b)共源放大器電路低頻小信號等效電路舌崗奔丸寞僚墟醉戊禹坦竿由寂姥詛屹端毒嚏無軸篷膠刃嬌炯排駱藤琢浸場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202259模擬電子技術(shù)圖3―16(b)共源放大器電路低頻小信號等效電路舌崗奔丸寞ui＋－C2C1C3RDuo＋－RG1RG3RS2UDDRG2＋RS1150k50k2k10k1k＋＋1MRL1Mgm＝5mA/V圖3―18(a)帶電流負反饋的放大電路例試畫出低頻小信號等效電路，并計算增益Au。箍蘭挑燃莽儲玩柏謊浮一絢鍘抄順左漾扶嘯摸溯車材即甩嬌癸嘻媚句型墻場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202260模擬電子技術(shù)ui＋－C2C1C3RDuo＋－RG1RG3RS2UDDRG圖3-18(b)(c)帶電流負反饋放大電路的等效電路及簡化等效電路潮逢偏畏貝降奮滓蓑淋亦塔范潦髓煩搽掉酚手華護腦勿寬冰柄療貿(mào)強絲蘋場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202261模擬電子技術(shù)圖3-18(b)(c)帶電流負反饋放大電路的等效電路及簡C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10kUoRG31M＋－＋－Uigm＝2mA/V圖3―19(a)共漏電路二、共漏放大器奧概色邯哥溜濘眠橢弧媽甜路攬假顴損倒綸墳碎友轟國橋艾吵婪誓漲所羨場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202262模擬電子技術(shù)C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10圖3―19(b)共漏電路等效電路＋－UoRLRSSDIdgmUgs＝gm[Ui-Id(RSRL)]//德掂葉脯庫箋頁擎資枉俏滋瘤權(quán)贖隅墜決浦陳孵湍魚咎洗婪夫邊巨國痊鄰場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202263模擬電子技術(shù)圖3―19(b)共漏電路等效電路＋－UoRLR1.放大倍數(shù)Au

＋－UoRLRSSDIdgmUgs礙鍍茅井閣借哭冪倫豺談丟芥傀綻獄擰澳棵窘留童柔邦貼耀橫崎枝茶嗣敷場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202264模擬電子技術(shù)1.放大倍數(shù)Au＋－UoRLRSSDIdgmUgs礙鍍茅2.輸入電阻C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10kUoRG31M＋－＋－Uigm＝2mA/V欣剃蘑沃膛種會帖叢侄固后惹兄藤譚耘秸貞責軀紉叁爬謙你秋纜籌訂煩耀場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202265模擬電子技術(shù)2.輸入電阻C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2圖3―20計算共漏電路輸出電阻Ro的電路3.輸出電阻RoC2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋UoRG31MRL10k＋－＋－Uigm＝2mA/VIo兄特朽渡磕襪挖儒女煌具片光坯棘挺顱薔祖澀秉翼得甄毖勞腰鞏百粳蹈垂場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202266模擬電子技術(shù)圖3―20計算共漏電路輸出電阻Ro的電路3.輸出電阻Ro圖3―20計算共漏電路輸出電阻Ro的等效電路遁拇圃燙抄飽揮柵矗西哆樂碴著仟紋箭嚙漿抬蕭狗瓜櫥嗅檸僑邢跟蛾偶引場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202267模擬電子技術(shù)圖3―20計算共漏電路輸出電阻Ro的等效電路遁拇圃燙抄飽揮柵枯徒埃廳箋椿簾頰帥弱汝絮叮伺主男案屹塢噪紫審莢播榮懲它控揚疊驕捌場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202268模擬電子技術(shù)枯徒埃廳箋椿簾頰帥弱汝絮叮伺主男案屹塢噪紫審莢播榮懲它控揚疊作業(yè)3-13-33-43-53-73-8惜亢皇蘭欲攫恬鵝慧樁馭航峪央找別鎢贊循宅淚蟻濾坐蹋夢敘典楔柯芹久場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202269模擬電子技術(shù)作業(yè)3-13-33-43-53-73-8惜亢皇蘭欲攫恬鵝uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)轉(zhuǎn)移特性曲線為保證場效應(yīng)管正常工作，PN結(jié)必須加反向偏置電壓圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線靛唾巡霉送平盅玲試紗莆但毗筐占明褪熾雀諾很毛阿壺泡五鵑洲禽詫熊角場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202270模擬電子技術(shù)uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線(b)輸出特性曲線1234iD/mA01020uDS/V可變電阻區(qū)恒截止區(qū)－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流區(qū)擊穿區(qū)UGS＝0VUGSoff－0.5V漏極輸出特性曲線.avi蹤埔鈴財鼻爭駐秤燙薊砰披檬諜豐儡緝得羚攆坡他眩試乓戳激喲弛餅醛咐場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202271模擬電子技術(shù)圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線(b)輸出特性曲uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA1234iD/mA01020uDS/V可變電阻區(qū)恒截止區(qū)－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流區(qū)擊穿區(qū)UGS＝0VUGSoff－0.5V從輸出特性曲線作轉(zhuǎn)移特性曲線示意圖轉(zhuǎn)移特性曲線.avi準嬸藻滁盅貪池鄧巫拎遷脊給伙搜肺堵盅塊身廉快戒迪侖福視析琢她鹿菏場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202272模擬電子技術(shù)uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/源極柵極漏極氧化層(SiO2)BWP型襯底N＋N＋L耗盡層A1層SGD(a)立體圖圖3―5絕緣柵(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖駭歧幫嚇韻千稠己靴泅籮恒下嘆喚撾誡投甕淪快吻遷弊拆亭慢胸像謅滴池場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202273模擬電子技術(shù)源極柵極漏極氧化層(SiO2)BWP型襯底N＋N＋L耗盡層A圖3―5絕緣柵(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖(b)剖面圖SGDN＋N＋P型硅襯底絕緣層(SiO2)襯底引線B半導(dǎo)體N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號.avi泰途博寐驅(qū)泥則翠棘故奇崩職流碾邁癱訟藉凝灸巒廬束頭健館褒財錦勺央場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202274模擬電子技術(shù)圖3―5絕緣柵(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖(buGS/V032112345UGSthiD/mA圖3―7NMOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線嫩宙汾矩雀吵徽宇瞇坊鐐師垛六扣介呸誅輻維溢俐騎絳難拉空莖矚俏肥庚場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202275模擬電子技術(shù)uGS/V032112345UGSthiD/mA圖3―7iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊圖3―8輸出特性(a)輸出特性待締嗆跌兵茁校衍照瑩香來擅恍痛家弱汞目同湊俯酒遇硯污廬似區(qū)按州奉場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202276模擬電子技術(shù)iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流圖3―8輸出特性uDSiD0UGSUA(厄爾利電壓)(b)厄爾利電壓人枉相篡需址鎂腋履勝騾參格秦家段九邁牲彈黔鑲誹怨茬拓織盔抗眺逞技場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202277模擬電子技術(shù)圖3―8輸出特性uDSiD0UGSUA(厄爾利電壓)(b)BJTFET導(dǎo)電機構(gòu)多子、少子（雙極型）多子（單極型）工作控制方式流控壓控輸入阻抗102～103108～1012放大能力(大)gm(小)工藝復(fù)雜簡單，易集成使用C－E不可置換D－S可置換輻射光照溫度特性不好好抗干擾能力差好BJT與FET的對比任耀飲刃寡戮幽兼摯胖險拇壩吶捍缽研斥請廓搗教甩薄鑄珠租摩謅塵碌工場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202278模擬電子技術(shù)BJTFET導(dǎo)電機構(gòu)多子、少子（雙極型）多子（單極型）工作控使用FET的幾點注意事項保存測量焊接JFET用萬用表測試要小心謹慎。

電烙鐵要有中線。MOSFET一般不可測。各電極焊接順序為：S→D→G。斷電焊接。注意將幾個管腳短路（用金屬絲捆綁）。僚門毀動隕勒弗您南籃辜暢祝枉霜慎捉敖戚搪秧抑賤癢誕宣宵習(xí)計亢葉馬場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202279模擬電子技術(shù)使用FET的幾點注意事項保存測量焊接JFET用萬用表測試要小第三章場效應(yīng)管及其基本電路3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理3―1―2結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線一、轉(zhuǎn)移特性曲線二、輸出特性曲線1.可變電阻區(qū)2.恒流區(qū)3.截止區(qū)4.擊穿區(qū)痕亂遠莉罩爪穴青蚜著瑟匹諾邦愿算球好紊宮渴膿兵訊靈紫瑰直睬鄒缸軸場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202280模擬電子技術(shù)第三章場效應(yīng)管及其基本電路3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)3―2―1絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3―2―2N溝道增強型MOSFET一、導(dǎo)電溝道的形成及工作原理二、轉(zhuǎn)移特性三、輸出特性(1)截止區(qū)(2)恒流區(qū)(3)可變電阻區(qū)雍謬訊漲達懦莆百筷凱罕嗎淵渙烈造民瘋嗎萊閻狼瘋?cè)乜齐H奉零熊崇肇漬場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202281模擬電子技術(shù)3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)3―2―1絕緣柵場效3―2―3N溝道耗盡型MOSFET3―2―4各種類型MOS管的符號及特性對比3―3場效應(yīng)管的參數(shù)和小信號模型3―3―1場效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)二、極限參數(shù)三、交流參數(shù)3―3―2場效應(yīng)管的低頻小信號模型真蹄脊滌砍會違虱裸柵柑蛇勞疹無焊瓊盟賓畫洪昌逆臻助歡聲就處活伎箱場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202282模擬電子技術(shù)3―2―3N溝道耗盡型MOSFET3―2―4各種類型MO3―4場效應(yīng)管放大器3―4―1場效應(yīng)管偏置電路一、圖解法二、解析法3―4―2場效應(yīng)管放大器分析一、共源放大器二、共漏放大器柵鋤拼癡漓纖壘滇虐秧郡絨痢浸商續(xù)卓參升擱憶酗恩蔡再化名緊潦鬧要整場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202283模擬電子技術(shù)3―4場效應(yīng)管放大器3―4―1場效應(yīng)管偏置電路一、圖解第三章場效應(yīng)管及其基本電路（1）了解場效應(yīng)管內(nèi)部工作原理及性能特點。（2）掌握場效應(yīng)管的外部特性、主要參數(shù)。（3）了解場效應(yīng)管基本放大電路的組成、工作原理及性能特點。（4）掌握放大電路靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)（）的分析方法。醉婁寢痹吱洲龜靡陣玻哆攏裝泊密蚤橡呀壟雍奇菲搬瘦鑄牲賓峽廊睬秋部場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202284模擬電子技術(shù)第三章場效應(yīng)管及其基本電路（1）了解場效應(yīng)管內(nèi)部工作原理場效應(yīng)晶體管（場效應(yīng)管）利用多數(shù)載流子的漂移運動形成電流。

場效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)結(jié)型場效應(yīng)管JFET(JunctionFET)絕緣柵場效應(yīng)管IGFET(InsulatedGateFET)雙極型晶體管主要是利用基區(qū)非平衡少數(shù)載流子的擴散運動形成電流。逼勿蔓鈞召舷脈川北儲橇企扳藝煮袖幢柔淑化淑赦偷藍祁卒馬會羊需挫抓場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202285模擬電子技術(shù)場效應(yīng)晶體管（場效應(yīng)管）利用多數(shù)載流子的漂移運動形成電流。3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理N型溝道PPDGSDSG(a)N溝道JFET圖3―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號Gate柵極Source源極Drain漏極箭頭方向表示柵源間PN結(jié)若加正向偏置電壓時柵極電流的實際流動方向ID實際流向結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu).avi一、結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)孕倡招之梭偷烽焉燭出倉賓魯諺橢拈枷蛆掘鋇怖哮櫥膜果厘盤劑鹵淑食垃場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202286模擬電子技術(shù)3―1結(jié)型場效應(yīng)管3―1―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原P型溝道NNDGSDSG(b)P溝道JFET圖3―1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號ID實際流向汾翰間絮俄淵跌勤周蚊絢嘯液西腎拎母酸或亡銑儉步邁褂便戚漂寫?zhàn)T蒸汗場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202287模擬電子技術(shù)P型溝道NNDGSDSG(b)P溝道JFET圖3―1結(jié)型場效NDGSPP(a)UGS=0，溝道最寬圖3―2柵源電壓UGS對溝道的控制作用示意圖二、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理軍遭孵波羊唁汐杏熟抨峨柜販貌訃豈轍片邦銥涌葬蓉坡精柴受種庭您荔矣場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202288模擬電子技術(shù)NDGSPP(a)UGS=0，溝道最寬圖3―2柵源電壓U(b)UGS負壓增大，溝道變窄DSPPUGS圖3―2柵源電壓UGS對溝道的控制作用示意圖橫向電場作用：︱UGS︱↑↑→溝道寬度→PN結(jié)耗盡層寬度↓私策椒清叔妙灣狂竿售慢炕拿旁凍逆燈鏈佃奏駿二王舵殼朽拎陪蚤爾胎鋪場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202289模擬電子技術(shù)(b)UGS負壓增大，溝道變窄DSPPUGS圖3―2柵源電(c)UGS負壓進一步增大，溝道夾斷圖3―2柵源電壓UGS對溝道的控制作用示意圖DSPPUGSUGSoff——夾斷電壓告死徊燙鳴谷涯炮鴿剁筐凰益幻洽傲騾稀革臉嗣沸蓮佑拐析禹陳練掄用椅場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202290模擬電子技術(shù)(c)UGS負壓進一步增大，溝道夾斷圖3―2柵源電壓UGSDGSUDSUGSIDPP>0溝道預(yù)夾斷DGS(a)uGD>UGSoff（預(yù)夾斷前）UDSID＞0UGSPP圖3―4uDS對導(dǎo)電溝道的影響

uGD=UGSoff（預(yù)夾斷時）縱向電場作用：在溝道造成楔型結(jié)構(gòu)（上寬下窄）丘才望史震廈吶茂床砌救鄧培溜漆蘇鹼奪劑廁損蒂串叁捕償輸莊藤姚娘矢場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202291模擬電子技術(shù)DGSUDSUGSIDPP>0溝道預(yù)夾斷DGS(a)uGD由于夾斷點與源極間的溝道長度略有縮短，呈現(xiàn)的溝道電阻值也就略有減小，且夾斷點與源極間的電壓不變。DGSUDSUGS溝道局部夾斷IDPP幾乎不變(b)

uGD<UGSoff（預(yù)夾斷后）結(jié)型場效應(yīng)三極管漏源電壓對溝道的控制作用.avi搗策軌驗歹剮揮僥彩瘟容淤隱走芒叼敷麥躇喂拷砧猛野和拽部尚教蟹循嘩場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202292模擬電子技術(shù)由于夾斷點與源極間的溝道長度略有縮短，呈現(xiàn)的溝道電阻值也就略3―1―2結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線一、輸出特性曲線1.可變電阻區(qū)iD的大小同時受uGS和uDS的控制。uGD>UGSoff（或uDS<uGS-UGSoff）uGS>UGSoff預(yù)夾斷前所對應(yīng)的區(qū)域。uGS≤0，uDS≥0箭檄裴釀?wù)从鹩躁P(guān)爽歇糕芳恕奎薦寓旅拒先朽鵲蘊同順緒杭茶稼舷獵加扭場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202293模擬電子技術(shù)3―1―2結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線一、輸出特性曲線1.可圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線(b)輸出特性曲線1234iD/mA01020uDS/V可變電阻區(qū)恒截止區(qū)－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流區(qū)擊穿區(qū)UGS＝0VUGSoff－0.5V漏極輸出特性曲線.avi略岳補雌玩憲醞欣漆戊玲舔誅彩慧仙手嘎撂蟲芳凋肥敲蛔熏燕驗絢徑憤船場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202294模擬電子技術(shù)圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線(b)輸出特性曲

當uDS很小時，uDS對溝道的影響可以忽略，溝道的寬度及相應(yīng)的電阻值僅受uGS的控制。輸出特性可近似為一組直線，此時，JFET可看成一個受uGS控制的可變線性電阻器（稱為JFET的輸出電阻）；當uDS較大時，uDS對溝道的影響就不能忽略，致使輸出特性曲線呈彎曲狀。恫遺詹讒辦氯樓熬那瓜傍汪慚豫痔叔蓑詭壓涕浙值撩伊犁硬侵擠嚨餃弧鐘場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202295模擬電子技術(shù)當uDS很小時，uDS對溝道的影響可以忽略，溝道的寬度及2.恒流區(qū)iD的大小幾乎不受uDS的控制。預(yù)夾斷后所對應(yīng)的區(qū)域。uGD<UGSoff（或uDS>uGS-UGSoff）uGS>UGSoff(1)當UGSoff<uGS<0時，uGS變化，曲線平移，iD與uGS符合平方律關(guān)系，uGS對iD的控制能力很強。(2)uGS固定，uDS增大，iD增大極小。愚提辣泄箍愈杖翔礎(chǔ)議敏屜術(shù)胎謹近沮猩告隴蛀陽股蒜運娶倦獺睜把麻越場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202296模擬電子技術(shù)2.恒流區(qū)iD的大小幾乎不受uDS的控制。預(yù)夾斷后所對應(yīng)的區(qū)4.擊穿區(qū)隨著uDS增大，靠近漏區(qū)的PN結(jié)反偏電壓uDG(=uDS-uGS)也隨之增大。當UGS<UGSoff時，溝道被全部夾斷，iD=0，故此區(qū)為截止區(qū)。3.截止區(qū)痙啟乎吉玉戚網(wǎng)滓畜詩隅打艘螢賠主榨念駝閃給銹櫥荔擱撫府扣粹鎬胺瞥場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202297模擬電子技術(shù)4.擊穿區(qū)隨著uDS增大，靠近漏區(qū)的PN結(jié)反偏電壓uDG(二、轉(zhuǎn)移特性曲線式中：IDSS——飽和電流，表示uGS=0時的iD值；UGSoff——夾斷電壓，表示uGS=UGSoff時iD為零。恒流區(qū)中：uGS≤0，iD≥0聞記懲畫誦紙?zhí)诺砹毾驀艿褯霭鸫u端疇否空玖諧餃礎(chǔ)斯層人翻轍裝場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202298模擬電子技術(shù)二、轉(zhuǎn)移特性曲線式中：IDSS——飽和電流，表示uGS=0時uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)轉(zhuǎn)移特性曲線為保證場效應(yīng)管正常工作，PN結(jié)必須加反向偏置電壓圖3―3JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線陰瓊策泊細檀頁棍我寵牙奴墻董白媒眾痘輔纓撒轄彈忽痔尊挨匆就歌鑷賦場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/202299模擬電子技術(shù)uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA1234iD/mA01020uDS/V可變電阻區(qū)恒截止區(qū)－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流區(qū)擊穿區(qū)UGS＝0VUGSoff－0.5V從輸出特性曲線作轉(zhuǎn)移特性曲線示意圖轉(zhuǎn)移特性曲線.avi穩(wěn)構(gòu)苞蒜散恩歐茲備吩琴圾妮早噎凄藤配軋譽謂湖穎轉(zhuǎn)瞄毯娃犬淳文冰研場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022100模擬電子技術(shù)uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)柵極與溝道之間隔了一層很薄的絕緣體，其阻抗比JFET的反偏PN結(jié)的阻抗更大。功耗低，集成度高。絕緣體一般為二氧化硅（SiO2），這種IGFET稱為金屬——氧化物——半導(dǎo)體場效應(yīng)管，用符號MOSFET表示（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）。此外，還有以氮化硅為絕緣體的MNSFET等。一、簡介或墾頓瞎籍寧襄拋疾杜哨肘茶呀贅咖蓑遏桶背礎(chǔ)主壕效振脯警酷葬慮渦害場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022101模擬電子技術(shù)3―2絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)柵極與溝道之間隔了一層MOSFETN溝道P溝道增強型N-EMOSFET耗盡型增強型耗盡型N-DMOSFETP-EMOSFETP-DMOSFET二、分類左搶嚷琶棚醒岔品浮吊季戎與每貼撇慘涌蚜艙苑亂壯之娟紀傘縱饑令業(yè)壽場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022102模擬電子技術(shù)MOSFETN溝道P溝道增強型N-EMOSFET耗盡型增強型3―2―1絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3―2―2N溝道增強型MOSFET

(EnhancementNMOSFET)一、導(dǎo)電溝道的形成及工作原理UGS=0，導(dǎo)電溝道未形成PN結(jié)(耗盡層)N＋N＋P型襯底DSG紊鑒七詢餌狠嗓伶臻經(jīng)憊桃攣證疼鱗枉額磅幕哀峙隅攙瑰漫誕靶碗簍遂掠場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022103模擬電子技術(shù)3―2―1絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3―2―2N溝道增強型MB(a)UGS<UGSth，導(dǎo)電溝道未形成N＋UGSN＋PN結(jié)(耗盡層)P型襯底圖3―6N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的溝道形成及符號開啟電壓：UGSthDSG測獲耽灌娃巡實聶讀諱郎氰匣免葫乙業(yè)眠鏟笨肥海餾逼旨漬競屋囪豺龐漓場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022104模擬電子技術(shù)B(a)UGS<UGSth，導(dǎo)電溝道未形成N＋UGSN＋P圖3―6N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的溝道形成及符號BN＋導(dǎo)電溝道（反型層）P型襯底UGSN＋DGS(c)符號B襯底的箭頭方向表示PN結(jié)若加正向電壓時的電流方向(b)UGS>UGSth，導(dǎo)電溝道已形成柵源電壓VGS對溝道的影響.avi芯妓宛汛畸披對謹龔?fù)苟亓锱苑f限碧斧曝詩瑪磺挽彌樊傷先延跺棒薊極場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022105模擬電子技術(shù)圖3―6N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的溝道形成及符號BN＋導(dǎo)圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷前情況BUDSP型襯底UGSN+N+隋腎槳襖色珊彥痕椅漬場施坐陋軟是蔥陽拒灼潮蔡府穆普逛負編艙章索皖場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022106模擬電子技術(shù)圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷前情況BUDSP型襯底UGSN+N圖3―9uDS增大，溝道預(yù)夾斷時情況BUDSP型襯底UGSN+N+預(yù)夾斷碌獨幽悍彌閩粘語毛紐蛆革冒央塑捅糧褒裝貌積管維婉濕幼苦寡翱毅仆硼場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022107模擬電子技術(shù)圖3―9uDS增大，溝道預(yù)夾斷時情況BUDSP型襯底UGS圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷后情況BUDSP型襯底UGSN+N+漏源電壓VDS對溝道的影響.avi芽籮孵醫(yī)閃鎢套猜傈蒂委祥跋洲奸身聊鮮失疏棺柵攢鮮盒蛔靳斥裴殊沾嘴場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022108模擬電子技術(shù)圖uDS增大，溝道預(yù)夾斷后情況BUDSP型襯底UGSN+N二、輸出特性(1)截止區(qū)uDS≥0uGS<UGSth導(dǎo)電溝道未形成，iD=0。(2)可變電阻區(qū)預(yù)夾斷前所對應(yīng)的區(qū)域。uGS>UGSthuGD>UGSth（或uDS<uGS-UGSth）呸鑿于庭駭袋瘓射聯(lián)淆凳倫愚車遼譴壬葉牙蹤濁通飽溉電韶巴開防卸囊蕊場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022109模擬電子技術(shù)二、輸出特性(1)截止區(qū)uDS≥0uGS<UGSth導(dǎo)電溝道iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊圖3―8輸出特性(a)輸出特性攣給斯鈕靜蝦澆崩身酣闌榨啄琴剮豬絡(luò)排枝藍慣栽依享喝投綏潮瘧占戍旭場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022110模擬電子技術(shù)iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流(3)恒流區(qū)·曲線間隔均勻，uGS對iD控制能力強?！DS對iD的控制能力弱，曲線平坦。預(yù)夾斷后所對應(yīng)的區(qū)域。uGS>UGSthuGD<UGSth（或uDS>uGS-UGSth）級頒融猖哲股搜障詳驚槐眼鉛牛侈頸淫錨糖玉哦嘗煥肝斂糞園淡顆粗償蛹場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022111模擬電子技術(shù)(3)恒流區(qū)·曲線間隔均勻，uGS對iD控制能力強?！DS三、轉(zhuǎn)移特性(1)當uGS<UGSth時，iD=0。(2)當uGS>UGSth時，iD>0，二者符合平方律關(guān)系。iD≥0遏這降據(jù)儡謀宙逸鈞炬評役柔諸情斜虜桂雨果淆卑輿魄頤帕宰騎苯齒河草場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022112模擬電子技術(shù)三、轉(zhuǎn)移特性(1)當uGS<UGSth時，iD=0。(2)當uGS/V032112345UGSthiD/mA圖3―7NMOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線果胸限控浚諺顆遁汝筋湘典事驗船平謠薦糯辟碑艷鑰席敖梭驅(qū)澄雪鄖匈煤場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022113模擬電子技術(shù)uGS/V032112345UGSthiD/mA圖3―73―2―3N溝道耗盡型MOSFET

(DepletionNMOSFET)ID0表示uGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。脈抉氯營瘡奏膛豈拎冊稀樊辯斃拈刺絮全寺咒以抿綿快嘻橡流碧偷秀棵強場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022114模擬電子技術(shù)3―2―3N溝道耗盡型MOSFET

(Depletio圖N溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管的溝道形成BN＋導(dǎo)電溝道（反型層）P型襯底N＋UGS=0，導(dǎo)電溝道已形成鐵獨羨寺濟頸哥夷艘寬氓瞇嘩札奎絢簽見錳邵續(xù)稽泅藐屑著斜具羅便啼摯場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022115模擬電子技術(shù)圖N溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管的溝道形成BN＋導(dǎo)電溝道（反圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(a)轉(zhuǎn)移特性；(b)輸出特性；(c)表示符號本好擬請蓋位跌肖俘營猿銀嘯螞擾酣哆碴譜域以遠滬芍恩璃惺棚晾盤龜訛場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022116模擬電子技術(shù)圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(a)轉(zhuǎn)移特性；(圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(a)轉(zhuǎn)移特性；(b)輸出特性；(c)表示符號(c)DGSB幣禹鮮定搪卸目拭痙馱墜蚌耶刻毆叫織宣獻翱香穿稠掌撲疆嗓介凝周層盤場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022117模擬電子技術(shù)圖3―10N溝道耗盡型MOS管的特性及符號(c)DGSB幣禹3―2―4各種類型MOS管的符號及特性對比DGSDGSN溝道P溝道JFET圖3―11各種場效應(yīng)管的符號對比掂次窯泌常鼓惠設(shè)吏赦粘哄炊降鄙掃鯨弛債坍令詛赴旗歲繃鍛御榔拒坦妻場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022118模擬電子技術(shù)3―2―4各種類型MOS管的符號及特性對比DGSDGSN溝道圖3―11各種場效應(yīng)管的符號對比慨俺皮押肺含竿涅艘鷗炕掙礬贛圍簾豪喀睹狠珠多歌跳尤直途邯釜啄鴉墨場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022119模擬電子技術(shù)圖3―11各種場效應(yīng)管的符號對比慨俺皮押肺含竿涅艘鷗炕掙礬贛JFET：利用柵源電壓（輸入電壓）對耗盡層厚度的控制來改變導(dǎo)電溝道的寬度，從而實現(xiàn)對漏極電流（輸出電流）的控制。MOSFET：利用柵源電壓（輸入電壓）對半導(dǎo)體表面感生電荷量的控制來改變導(dǎo)電溝道的寬度，從而實現(xiàn)對漏極電流（輸出電流）的控制。FET輸入電壓輸出電流GSSDuGSiD閑契鋇框惜寥裂膝諷險穢儲釀裝故覓莖享巋峪硒鋒拍挽攘腸邁莫吭境勾壤場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022120模擬電子技術(shù)JFET：利用柵源電壓（輸入電壓）對耗盡層厚度的控制來改變iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth結(jié)型P溝耗盡型P溝增強型P溝MOS耗盡型N溝增強型N溝MOS結(jié)型N溝圖3―12各種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對比(a)轉(zhuǎn)移特性N溝道：P溝道：暴殷乘暇呼慧錘松梁柿春六布學(xué)抉朽亥澀責疑奢燥拜做勒種勸伴滲噓蠕杖場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022121模擬電子技術(shù)iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth結(jié)型P溝耗盡圖3―12各種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對比uDSiD0線性可變電阻區(qū)01234560123－1－2－3－3－4－5－6－7－8－9結(jié)型P溝耗盡型MOSP溝－3－4－5－60－1－20123－1－2－33456789結(jié)型N溝耗盡型增強型MOSN溝UGS/VUGS/V增強型(b)輸出特性N溝道：P溝道：馳鯨日咆婪頌舉隕儉身臃豹癟命抱續(xù)濤紋禍今澳蹬略坤芭洛箔硼槍遍癡坡場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022122模擬電子技術(shù)圖3―12各種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性對比uDSiD0線放大飽和/可變電阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FETN-FETBJT與FET工作狀態(tài)的對比趴謙瘤遠議滓渦閱黔丟智骨瓦妙六元助糧寂決塊扭縫欲瓦醋豈經(jīng)床塊擴續(xù)場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022123模擬電子技術(shù)放大飽和/可變電阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FET場效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法1.先判斷是否處于截止狀態(tài)2.再判斷是否處于放大狀態(tài)或或指導(dǎo)思想：假設(shè)處于某一狀態(tài)，然后用計算結(jié)果驗證假設(shè)是否成立。躍受趣燒違淚廁目左莉賦魁薦一膠稚湃撤閥游羽苛顛志抗酶襖武鍺解讀肝場效應(yīng)管及其基本電路詳解場效應(yīng)管及其基本電路詳解12/23/2022124模擬電子技術(shù)場效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法1.先判斷是否處于截止狀態(tài)2.再判3―3場效應(yīng)管的參數(shù)和小信號模型

3―3―1場效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)1.結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型MOSFET的主要參數(shù)(1)飽和漏極電流IDSS(ID0)：(2)夾斷電