EM技術(shù)員培訓(xùn)教材I課件

真空導(dǎo)電電鍍介紹真空導(dǎo)電電鍍介紹1EMI鍍膜主要分類有兩大種類：蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等EMI鍍膜主要分類有兩大種類：蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，2蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。

厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4、真空度

5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性：

1、晶格匹配度

2、基片溫度

3、蒸發(fā)速率

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出3濺射類鍍膜利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，最終形成薄膜濺射類鍍膜利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)4Ar基板Pump抽真空靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr1.真空中通入氬氣(Ar)，含有微量的氬離子(Ar+)。8.若氬氣持續(xù)通入，則電漿持續(xù)產(chǎn)生。濺鍍原理電源供應(yīng)器2.於電極板加負(fù)高壓電。3.帶正電的氬離子

(Ar+)

被負(fù)高壓電吸引。Ale-4.Ar+撞擊靶材產(chǎn)生電子(e-)及轟擊出鎳原子(Nl)。Ar+e-e-5.e-撞擊Ar→Ar++e-+e-。Al6.鋁原子沉積在素材基板上。7.Ar+重複3.~6.。Ar基板Pump靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr15鍍膜參數(shù)介紹氣體壓力製程氣體通量鍍膜功率鍍膜時(shí)間使用靶數(shù)T/S(Target/Substrate)距離鍍膜參數(shù)介紹氣體壓力6氣體壓力(一)壓力低→腔體內(nèi)部氣體粒子少→撞擊靶材的Ar+變少壓力高→腔體內(nèi)部氣體粒子多→Ar+變多→Ar+到達(dá)靶材前碰撞其他粒子機(jī)率變大→靶原子到達(dá)基板前與氣體碰撞的機(jī)率變大Ar低真空鍍膜AlAlAr+Ar+Ar+AlAr高真空鍍膜Ar+AlAlAlAr+氣體壓力(一)壓力低→腔體內(nèi)部氣體粒子少7氣體壓力(二)常用的濺鍍壓力10-3~10-2Torr

(1~10mTorr)

粗略真空中度真空高真空超高真空壓力(Torr)760~11~10-310-3~10-7＜10-7平均自由徑λ(cm)＜10-210-2~1010~105＞105氣體壓力(二)常用的濺鍍壓力10-3~18製程氣體通量1.通入太少→無法維持電漿2.通入太多→未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體

→增加pump之負(fù)荷

→與靶原子一起沉積在基板上的機(jī)率變大3.須視鍍膜壓力來設(shè)定通入量製程氣體通量1.通入太少→無法維持電漿91.高功率 →單一離子所擊出的靶原子較多 →可縮短鍍膜時(shí)間 →瞬間產(chǎn)生的熱較多

2.低功率 →單一離子所擊出的靶原子較少 →會延長鍍膜時(shí)間 →鍍膜溫度較低

鍍膜功率1.高功率 →單一離子所擊出的靶原子較多鍍膜功10功率-時(shí)間-靶數(shù)之關(guān)係鍍膜厚度的直接影響參數(shù)可利用功率×?xí)r間×靶數(shù)之乘積變換不同參數(shù)鍍相同膜厚，例如： 8KW×2S×3靶＝8KW×3S×2靶

低功率時(shí)，鍍膜速率與功率非呈線性，例如：8KW×2S×3靶＞4KW×4S×3靶＞2KW×8S×3靶功率-時(shí)間-靶數(shù)之關(guān)係鍍膜厚度的直接影響參11T

/

S距離1.靶材到基板距離2.T/S短可增加鍍膜率,但基板受熱亦增加3.T/S太長,則沉積的靶原子與其他粒子碰撞機(jī)率增大

→鍍膜速率降低

→基板受熱降低T/S距離1.靶材到基板距離12EM技術(shù)員培訓(xùn)教材I13EMI生產(chǎn)工藝流程EMI生產(chǎn)工藝流程14治具設(shè)計(jì)及成型的要求1.EMI治具要求，密封嚴(yán)實(shí)，所有需遮鍍位置配合尺度為0對0，以免造成產(chǎn)品多鍍，飛油。2.EMI治具死角位置設(shè)計(jì)要求有倒角，防止因角度過小鍍膜層過薄而導(dǎo)致電阻偏高。3.成型原料要求為一次性PC水口料，因蒸渡時(shí)，爐內(nèi)溫度約為300oC,要求具有一定耐高溫性，避免變形，保證治具量產(chǎn)中品質(zhì)，嚴(yán)禁有拉膜治具流入，殘留膠絲/毛邊須修整平齊、不允許有變形及明顯的縮水現(xiàn)象、水口位須修剪平整,不可高于水口平臺、治具表面上不允許有油污。4.所有治具設(shè)計(jì)外觀面不得出現(xiàn)有加強(qiáng)筋。如圖。5.產(chǎn)品、治具裝配大面積接觸面要注意保證省模平整度。死角位置注意倒角，保證電阻治具外觀面不得出現(xiàn)有此類加強(qiáng)筋治具設(shè)計(jì)及成型的要求1.EMI治具要求，密封嚴(yán)實(shí)，所有需遮鍍15對素材要求檢驗(yàn)條件1．檢驗(yàn)應(yīng)在40Wx2日光燈下1．2m距離內(nèi)，目視距離為20-30cm，目測產(chǎn)品表面時(shí)間在8-10秒鐘。2．檢驗(yàn)員視線與產(chǎn)品表面角度在45度至90度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)。對素材要求檢驗(yàn)條件16THEEND!祝各位工作愉快!THEEND!祝各位工作愉快!17演講完畢，謝謝觀看！演講完畢，謝謝觀看！18真空導(dǎo)電電鍍介紹真空導(dǎo)電電鍍介紹19EMI鍍膜主要分類有兩大種類：蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等EMI鍍膜主要分類有兩大種類：蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，20蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。

厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4、真空度

5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性：

1、晶格匹配度

2、基片溫度

3、蒸發(fā)速率

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出21濺射類鍍膜利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，最終形成薄膜濺射類鍍膜利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)22Ar基板Pump抽真空靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr1.真空中通入氬氣(Ar)，含有微量的氬離子(Ar+)。8.若氬氣持續(xù)通入，則電漿持續(xù)產(chǎn)生。濺鍍原理電源供應(yīng)器2.於電極板加負(fù)高壓電。3.帶正電的氬離子

(Ar+)

被負(fù)高壓電吸引。Ale-4.Ar+撞擊靶材產(chǎn)生電子(e-)及轟擊出鎳原子(Nl)。Ar+e-e-5.e-撞擊Ar→Ar++e-+e-。Al6.鋁原子沉積在素材基板上。7.Ar+重複3.~6.。Ar基板Pump靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr123鍍膜參數(shù)介紹氣體壓力製程氣體通量鍍膜功率鍍膜時(shí)間使用靶數(shù)T/S(Target/Substrate)距離鍍膜參數(shù)介紹氣體壓力24氣體壓力(一)壓力低→腔體內(nèi)部氣體粒子少→撞擊靶材的Ar+變少壓力高→腔體內(nèi)部氣體粒子多→Ar+變多→Ar+到達(dá)靶材前碰撞其他粒子機(jī)率變大→靶原子到達(dá)基板前與氣體碰撞的機(jī)率變大Ar低真空鍍膜AlAlAr+Ar+Ar+AlAr高真空鍍膜Ar+AlAlAlAr+氣體壓力(一)壓力低→腔體內(nèi)部氣體粒子少25氣體壓力(二)常用的濺鍍壓力10-3~10-2Torr

(1~10mTorr)

粗略真空中度真空高真空超高真空壓力(Torr)760~11~10-310-3~10-7＜10-7平均自由徑λ(cm)＜10-210-2~1010~105＞105氣體壓力(二)常用的濺鍍壓力10-3~126製程氣體通量1.通入太少→無法維持電漿2.通入太多→未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體

→增加pump之負(fù)荷

→與靶原子一起沉積在基板上的機(jī)率變大3.須視鍍膜壓力來設(shè)定通入量製程氣體通量1.通入太少→無法維持電漿271.高功率 →單一離子所擊出的靶原子較多 →可縮短鍍膜時(shí)間 →瞬間產(chǎn)生的熱較多

2.低功率 →單一離子所擊出的靶原子較少 →會延長鍍膜時(shí)間 →鍍膜溫度較低

鍍膜功率1.高功率 →單一離子所擊出的靶原子較多鍍膜功28功率-時(shí)間-靶數(shù)之關(guān)係鍍膜厚度的直接影響參數(shù)可利用功率×?xí)r間×靶數(shù)之乘積變換不同參數(shù)鍍相同膜厚，例如： 8KW×2S×3靶＝8KW×3S×2靶

低功率時(shí)，鍍膜速率與功率非呈線性，例如：8KW×2S×3靶＞4KW×4S×3靶＞2KW×8S×3靶功率-時(shí)間-靶數(shù)之關(guān)係鍍膜厚度的直接影響參29T

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S距離1.靶材到基板距離2.T/S短可增加鍍膜率,但基板受熱亦增加3.T/S太長,則沉積的靶原子與其他粒子碰撞機(jī)率增大

→鍍膜速率降低

→基板受熱降低T/S距離1.靶材到基板距離30EM技術(shù)員培訓(xùn)教材I31EMI生產(chǎn)工藝流程EMI生產(chǎn)工藝流程32治具設(shè)計(jì)及成型的要求1.EMI治具要求，密封嚴(yán)實(shí)，所有需遮鍍位置配合尺度為0對0，以免造成產(chǎn)品多鍍，飛油。2.EMI治具死角位置設(shè)計(jì)要求有倒角，防止因角度過小鍍膜層過薄而導(dǎo)致電阻偏高。3.成型原料要求為一次性PC水口料，因蒸渡時(shí)，爐內(nèi)溫度約為300oC,要求具有一定耐高溫性，避免變形，保證治具量產(chǎn)中品質(zhì)，嚴(yán)禁有拉膜治具流入，殘留膠絲/毛邊須修整平齊、不允許有變形及明顯的縮水現(xiàn)象、水口位須修剪平整,不可高于水口平臺、治具表面上不允許有油污。4.所有治具設(shè)計(jì)外觀面不得出現(xiàn)有加強(qiáng)筋。如圖