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封裝知識(shí)及其相關(guān)概述

Preparedby:SeanZhangDate:11/28/0612/31/2022ATLConfidential封裝知識(shí)及其相關(guān)概述Preparedby:SeanZh索引封裝目的封裝材料及基本原理工序工序功能工序參數(shù)設(shè)備控制重點(diǎn)及失效案例分析產(chǎn)品及工序控制重點(diǎn)及案例分析12/31/2022ATLConfidential索引封裝目的12/23/2022ATLConfidenti封裝目的使用高阻隔性的包裝材料將聚合物鋰離子電芯極片、電解液與外部環(huán)境完全隔絕,使其內(nèi)部處于真空、無(wú)氧、無(wú)水的環(huán)境,才能保證聚合物鋰離子電芯的高性能使用要求.12/31/2022ATLConfidential封裝目的使用高阻隔性的包裝材料將聚合封裝基本原理封裝材料的結(jié)構(gòu)

封裝機(jī)理

12/31/2022ATLConfidential封裝基本原理封裝材料的結(jié)構(gòu)12/23/2022ATLCo鋁箔材料的結(jié)構(gòu)三層材料各自的作用??以PFR-001-05(薄Showa)為例12/31/2022ATLConfidential鋁箔材料的結(jié)構(gòu)三層材料各自的作用??以PFR-001-05(鋁箔材料的結(jié)構(gòu)層別作用尼龍阻止空氣尤其是氧的滲透,維持電芯內(nèi)部的環(huán)境,同時(shí)保證包裝鋁箔具備良好的形變能力鋁阻止空氣中水分的滲透,維持電芯內(nèi)部的環(huán)境,具有一定的厚度強(qiáng)度能夠防止外部對(duì)電芯的損傷PP不會(huì)被電芯內(nèi)有機(jī)溶劑溶解、溶脹等,有效阻止內(nèi)部電解質(zhì)等與Allayer接觸,避免Allayer被腐蝕12/31/2022ATLConfidential鋁箔材料的結(jié)構(gòu)層別作用尼龍阻止空氣尤其是氧的滲透,維持電芯內(nèi)封裝是什么?封裝的定義(僅限于ATL軟包裝電芯):兩層封裝材料的PP層在一定的條件(如溫度,時(shí)間,壓力)下互相熔合,使電芯內(nèi)部和外界環(huán)境保持隔離。12/31/2022ATLConfidential封裝是什么?封裝的定義(僅限于ATL軟包裝電芯):12/23封裝工序Tab-lead焊接注液DegassingFormation真空封裝頂封/側(cè)封12/31/2022ATLConfidential封裝工序Tab-lead焊接注液DegassingForma封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadTab-lead的功能12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadTab-lead的功能12/封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查方法失效模式上板平面度4個(gè)角相差小于0.02mm專用千分尺測(cè)量漏液Rubber粘貼貼滿整個(gè)平板,平整,無(wú)破損、毛邊目視漏液下板平面度4個(gè)角相差小于0.02mm專用千分尺測(cè)量漏液Rubber粘貼貼滿整個(gè)平板,平整,無(wú)破損、毛邊目視漏液

平行度前后左右相同復(fù)寫(xiě)紙法漏液切帶機(jī)Teflon有臟污需立即更換目視漏液切刀刀口不得有油污目視漏液切刀清潔度tab切斷區(qū)域不得有油污目視漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查方法失效封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead工序項(xiàng)目控制要求檢查方法影響失效模式Tab-leadsealant延伸不超過(guò)0.5mm目視/鋼尺延伸過(guò)長(zhǎng)頂封時(shí)Tab與pocketal層易短路腐蝕氣泡不允許目視sealant與Tab粘結(jié)差漏液肩寬MI要求目視/鋼尺肩寬過(guò)窄則頂封處PP&sealant熔化后無(wú)法填滿空間漏液抗電解液性能WI要求目視電解液浸泡不合格說(shuō)明sealant與tab未能較好粘結(jié)漏液Tab及sealant臟污WI要求目視sealant與Tab粘結(jié)差漏液平壓參數(shù)溫度WI文件規(guī)定目視/測(cè)溫儀溫度過(guò)高:sealant延伸嚴(yán)重;溫度過(guò)低使sealant熔化效果差漏液/腐蝕時(shí)間WI文件規(guī)定目視過(guò)長(zhǎng):sealant延伸嚴(yán)重;過(guò)短使sealant不能與tab較好熔化粘結(jié)漏液/腐蝕壓力WI文件規(guī)定目視過(guò)長(zhǎng):sealant延伸嚴(yán)重;過(guò)短使sealant不能與tab較好熔化粘結(jié)漏液/腐蝕手套清潔度及更換依文件定時(shí)更換,發(fā)現(xiàn)臟污立即更換目視易與tab或sealant交叉污染,影響sealant與tab粘結(jié)性能漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead工序項(xiàng)目控制要求檢查方法影響封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):1.外觀(tab上sealant延伸狀況/氣泡…)延伸過(guò)長(zhǎng)12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):延伸過(guò)長(zhǎng)12封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadNiTab上sealant延伸過(guò)長(zhǎng)NiTab與foil短路腐蝕(F026)案例:752549電池漲氣分析12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadNiTab上sealant封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):2.抗電解液性能(電解液浸泡+85度baking)OKRej案例:503759電池漏液分析12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):OKRej案封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing頂封工序的功能:裸電芯loadingTopsealingSidesealing。裸電芯正負(fù)極Tab上各有Sealant(Sealant為類似于包裝鋁箔PP的材料,性質(zhì)與PP相似,可以與PP混熔),所以在Topsealing時(shí)在極耳處Tab通過(guò)Sealant與PP從而被密封在Pocket中,頂部其他區(qū)域和Sidesealing一樣,通過(guò)PP的粘合達(dá)到密封的效果。12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing頂封工序的功能:封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查方法影響失效模式上封頭輔助

加熱塊位置與兩槽位最邊緣等寬目視過(guò)短則無(wú)法與Tab接觸而起tab加熱作用漏液彈簧/導(dǎo)柱一致性兩彈簧等高目視過(guò)低則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)高則壓壞激光焊點(diǎn)漏液活動(dòng)回彈自如輕壓輔助加熱塊,松開(kāi)后回彈自如,無(wú)卡死現(xiàn)象輔助加熱塊卡死,封頭間距改變,封裝不良漏液高度高于封頭1mm左右鋼尺以封頭表面為基準(zhǔn)測(cè)量過(guò)低則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)高則壓壞激光焊點(diǎn)漏液凹槽位置約輔助加熱塊長(zhǎng)度的1/2目視過(guò)長(zhǎng)則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)短則壓壞激光焊點(diǎn)漏液深度0.02mm卡尺測(cè)量過(guò)高則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)低則壓壞激光焊點(diǎn)漏液Tab

槽位深度0.11/0.22/0.23mm±0.01專用千分尺測(cè)量過(guò)小易使tab與foil短路;過(guò)大則PP&sealant熔化后無(wú)法填滿空間漏液/腐蝕寬度Tab寬度+單邊sealant肩寬卡尺測(cè)量過(guò)小易使tab與foil短路;過(guò)大則PP&sealant熔化后無(wú)法填滿空間漏液/腐蝕位置中心距參考MI裸電芯中心距卡尺測(cè)量易使tab與foil短路;漏液/腐蝕氣缸選擇暫無(wú)(建議電芯寬度50mm以上氣缸直徑需40mm或以上)目視過(guò)小易封印上有效壓強(qiáng)不足使PP熔化效果差;過(guò)大使PP擠壓堆積/破損嚴(yán)重漏液/腐蝕安裝暫無(wú)(建議氣缸中心與電芯兩Tab中心線重合)目視不重合易導(dǎo)致封裝時(shí)作用力不均勻部分,封頭傾斜,PP熔化效果差或壓傷Tab漏液/腐蝕平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量易使有效封裝面積變小PP熔化效果差漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing下封頭輔助

加熱塊位置與兩槽位最邊緣等寬目視漏液高度與封頭等高專用千分尺測(cè)量漏液Tab

槽位深度0.11/0.22/0.23mm±0.01專用千分尺測(cè)量漏液/腐蝕寬度Tab寬度+單邊sealant肩寬卡尺測(cè)量漏液/腐蝕位置中心距參考MI裸電芯中心距卡尺測(cè)量漏液/腐蝕Stopper高度暫無(wú)

(建議0.18/0.25±0.01mm)專用千分尺測(cè)量漏液/腐蝕平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing下封頭輔助

加熱塊位封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing側(cè)封上封頭平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液內(nèi)側(cè)突起安裝后突起在靠電芯主體側(cè)目視

氣缸選擇暫無(wú)(建議電芯寬度50mm以上氣缸直徑需40mm或以上)目視漏液/腐蝕安裝暫無(wú)(建議氣缸中心與電芯兩Tab中心線重合)目視漏液/腐蝕下封頭平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液內(nèi)側(cè)突起安裝后突起在靠電芯主體側(cè)目視

Stopper高度0.18/0.25±0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液/腐蝕封頭臟污/劃痕/凹凸點(diǎn)封頭上不可有臟污及膠堆積/不可有凹凸點(diǎn)及劃痕目視漏液封頭安裝錯(cuò)位小于0.2mm六角扳手滑動(dòng)檢查漏液/分層平行度前后左右相同復(fù)寫(xiě)紙法,塞尺法漏液/分層活動(dòng)無(wú)松動(dòng),上下無(wú)停滯/跳躍,夾具放入時(shí)不會(huì)被壓到目視漏液/腐蝕12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing側(cè)封上封頭平面度首尾中三封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing12/23/2022AT封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing控制/檢查重點(diǎn):1.外觀(槽位偏/sealant露出長(zhǎng)度…)槽位偏,壓TabSealant露出過(guò)長(zhǎng)12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing控制/檢查重點(diǎn):槽位偏,封裝關(guān)鍵工序—Top-sealingNiTab與foil短路腐蝕(F026)案例:7525499腐蝕漲氣分析12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealingNiTab與foil短封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing壓痕色度均勻,平行度OK壓痕顏色過(guò)深,無(wú)法準(zhǔn)確判斷壓痕前淡后深,封頭前后不平壓痕左淡后深,封頭左右不平壓痕色度不均勻,封頭表面不平壓痕有缺口,封頭受損或異物封頭復(fù)寫(xiě)紙檢查(50°C,1s,2層白紙夾一層復(fù)寫(xiě)紙)12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing壓痕色度均勻,平行度OK封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing封頭錯(cuò)位/輔助加熱塊檢查有效封裝寬度上封頭下封頭Foil12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing封頭錯(cuò)位/輔助加熱塊檢查封裝關(guān)鍵工序—DegassingDegassing過(guò)程上下腔體合上開(kāi)始真空抽氣下封頭上來(lái)刺刀刺破Pocket保持4s真空抽氣上封頭下壓進(jìn)行6s封裝腔體充氣封頭分離12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—DegassingDegassing過(guò)程12封裝關(guān)鍵工序—Degassing12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Degassing12/23/2022ATL封裝關(guān)鍵工序—Degassing12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Degassing12/23/2022ATL封裝關(guān)鍵工序—Degassing外觀(封印距主體距離等關(guān)鍵尺寸)12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Degassing外觀(封印距主體距離等關(guān)鍵尺封裝關(guān)鍵工序—Degassing有效封裝區(qū)域

紅色區(qū)域?yàn)門(mén)eflon1±0.5mm上封頭下封頭大于5mm封頭Teflon粘貼12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Degassing有效封裝區(qū)域封裝關(guān)鍵工序—Degassing案例:383450電池漏液/漲氣分析12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Degassing案例:383450電池漏液/演講完畢,謝謝觀看!演講完畢,謝謝觀看!封裝知識(shí)及其相關(guān)概述

Preparedby:SeanZhangDate:11/28/0612/31/2022ATLConfidential封裝知識(shí)及其相關(guān)概述Preparedby:SeanZh索引封裝目的封裝材料及基本原理工序工序功能工序參數(shù)設(shè)備控制重點(diǎn)及失效案例分析產(chǎn)品及工序控制重點(diǎn)及案例分析12/31/2022ATLConfidential索引封裝目的12/23/2022ATLConfidenti封裝目的使用高阻隔性的包裝材料將聚合物鋰離子電芯極片、電解液與外部環(huán)境完全隔絕,使其內(nèi)部處于真空、無(wú)氧、無(wú)水的環(huán)境,才能保證聚合物鋰離子電芯的高性能使用要求.12/31/2022ATLConfidential封裝目的使用高阻隔性的包裝材料將聚合封裝基本原理封裝材料的結(jié)構(gòu)

封裝機(jī)理

12/31/2022ATLConfidential封裝基本原理封裝材料的結(jié)構(gòu)12/23/2022ATLCo鋁箔材料的結(jié)構(gòu)三層材料各自的作用??以PFR-001-05(薄Showa)為例12/31/2022ATLConfidential鋁箔材料的結(jié)構(gòu)三層材料各自的作用??以PFR-001-05(鋁箔材料的結(jié)構(gòu)層別作用尼龍阻止空氣尤其是氧的滲透,維持電芯內(nèi)部的環(huán)境,同時(shí)保證包裝鋁箔具備良好的形變能力鋁阻止空氣中水分的滲透,維持電芯內(nèi)部的環(huán)境,具有一定的厚度強(qiáng)度能夠防止外部對(duì)電芯的損傷PP不會(huì)被電芯內(nèi)有機(jī)溶劑溶解、溶脹等,有效阻止內(nèi)部電解質(zhì)等與Allayer接觸,避免Allayer被腐蝕12/31/2022ATLConfidential鋁箔材料的結(jié)構(gòu)層別作用尼龍阻止空氣尤其是氧的滲透,維持電芯內(nèi)封裝是什么?封裝的定義(僅限于ATL軟包裝電芯):兩層封裝材料的PP層在一定的條件(如溫度,時(shí)間,壓力)下互相熔合,使電芯內(nèi)部和外界環(huán)境保持隔離。12/31/2022ATLConfidential封裝是什么?封裝的定義(僅限于ATL軟包裝電芯):12/23封裝工序Tab-lead焊接注液DegassingFormation真空封裝頂封/側(cè)封12/31/2022ATLConfidential封裝工序Tab-lead焊接注液DegassingForma封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadTab-lead的功能12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadTab-lead的功能12/封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查方法失效模式上板平面度4個(gè)角相差小于0.02mm專用千分尺測(cè)量漏液Rubber粘貼貼滿整個(gè)平板,平整,無(wú)破損、毛邊目視漏液下板平面度4個(gè)角相差小于0.02mm專用千分尺測(cè)量漏液Rubber粘貼貼滿整個(gè)平板,平整,無(wú)破損、毛邊目視漏液

平行度前后左右相同復(fù)寫(xiě)紙法漏液切帶機(jī)Teflon有臟污需立即更換目視漏液切刀刀口不得有油污目視漏液切刀清潔度tab切斷區(qū)域不得有油污目視漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查方法失效封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead工序項(xiàng)目控制要求檢查方法影響失效模式Tab-leadsealant延伸不超過(guò)0.5mm目視/鋼尺延伸過(guò)長(zhǎng)頂封時(shí)Tab與pocketal層易短路腐蝕氣泡不允許目視sealant與Tab粘結(jié)差漏液肩寬MI要求目視/鋼尺肩寬過(guò)窄則頂封處PP&sealant熔化后無(wú)法填滿空間漏液抗電解液性能WI要求目視電解液浸泡不合格說(shuō)明sealant與tab未能較好粘結(jié)漏液Tab及sealant臟污WI要求目視sealant與Tab粘結(jié)差漏液平壓參數(shù)溫度WI文件規(guī)定目視/測(cè)溫儀溫度過(guò)高:sealant延伸嚴(yán)重;溫度過(guò)低使sealant熔化效果差漏液/腐蝕時(shí)間WI文件規(guī)定目視過(guò)長(zhǎng):sealant延伸嚴(yán)重;過(guò)短使sealant不能與tab較好熔化粘結(jié)漏液/腐蝕壓力WI文件規(guī)定目視過(guò)長(zhǎng):sealant延伸嚴(yán)重;過(guò)短使sealant不能與tab較好熔化粘結(jié)漏液/腐蝕手套清潔度及更換依文件定時(shí)更換,發(fā)現(xiàn)臟污立即更換目視易與tab或sealant交叉污染,影響sealant與tab粘結(jié)性能漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead工序項(xiàng)目控制要求檢查方法影響封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):1.外觀(tab上sealant延伸狀況/氣泡…)延伸過(guò)長(zhǎng)12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):延伸過(guò)長(zhǎng)12封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadNiTab上sealant延伸過(guò)長(zhǎng)NiTab與foil短路腐蝕(F026)案例:752549電池漲氣分析12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-leadNiTab上sealant封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):2.抗電解液性能(電解液浸泡+85度baking)OKRej案例:503759電池漏液分析12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Tab-lead控制/檢查重點(diǎn):OKRej案封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing頂封工序的功能:裸電芯loadingTopsealingSidesealing。裸電芯正負(fù)極Tab上各有Sealant(Sealant為類似于包裝鋁箔PP的材料,性質(zhì)與PP相似,可以與PP混熔),所以在Topsealing時(shí)在極耳處Tab通過(guò)Sealant與PP從而被密封在Pocket中,頂部其他區(qū)域和Sidesealing一樣,通過(guò)PP的粘合達(dá)到密封的效果。12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing頂封工序的功能:封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查方法影響失效模式上封頭輔助

加熱塊位置與兩槽位最邊緣等寬目視過(guò)短則無(wú)法與Tab接觸而起tab加熱作用漏液彈簧/導(dǎo)柱一致性兩彈簧等高目視過(guò)低則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)高則壓壞激光焊點(diǎn)漏液活動(dòng)回彈自如輕壓輔助加熱塊,松開(kāi)后回彈自如,無(wú)卡死現(xiàn)象輔助加熱塊卡死,封頭間距改變,封裝不良漏液高度高于封頭1mm左右鋼尺以封頭表面為基準(zhǔn)測(cè)量過(guò)低則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)高則壓壞激光焊點(diǎn)漏液凹槽位置約輔助加熱塊長(zhǎng)度的1/2目視過(guò)長(zhǎng)則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)短則壓壞激光焊點(diǎn)漏液深度0.02mm卡尺測(cè)量過(guò)高則無(wú)法使輔助加熱塊壓緊Tab而起tab加熱作用;過(guò)低則壓壞激光焊點(diǎn)漏液Tab

槽位深度0.11/0.22/0.23mm±0.01專用千分尺測(cè)量過(guò)小易使tab與foil短路;過(guò)大則PP&sealant熔化后無(wú)法填滿空間漏液/腐蝕寬度Tab寬度+單邊sealant肩寬卡尺測(cè)量過(guò)小易使tab與foil短路;過(guò)大則PP&sealant熔化后無(wú)法填滿空間漏液/腐蝕位置中心距參考MI裸電芯中心距卡尺測(cè)量易使tab與foil短路;漏液/腐蝕氣缸選擇暫無(wú)(建議電芯寬度50mm以上氣缸直徑需40mm或以上)目視過(guò)小易封印上有效壓強(qiáng)不足使PP熔化效果差;過(guò)大使PP擠壓堆積/破損嚴(yán)重漏液/腐蝕安裝暫無(wú)(建議氣缸中心與電芯兩Tab中心線重合)目視不重合易導(dǎo)致封裝時(shí)作用力不均勻部分,封頭傾斜,PP熔化效果差或壓傷Tab漏液/腐蝕平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量易使有效封裝面積變小PP熔化效果差漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing設(shè)備項(xiàng)目控制要求檢查封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing下封頭輔助

加熱塊位置與兩槽位最邊緣等寬目視漏液高度與封頭等高專用千分尺測(cè)量漏液Tab

槽位深度0.11/0.22/0.23mm±0.01專用千分尺測(cè)量漏液/腐蝕寬度Tab寬度+單邊sealant肩寬卡尺測(cè)量漏液/腐蝕位置中心距參考MI裸電芯中心距卡尺測(cè)量漏液/腐蝕Stopper高度暫無(wú)

(建議0.18/0.25±0.01mm)專用千分尺測(cè)量漏液/腐蝕平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序---Top-sealing下封頭輔助

加熱塊位封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing側(cè)封上封頭平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液內(nèi)側(cè)突起安裝后突起在靠電芯主體側(cè)目視

氣缸選擇暫無(wú)(建議電芯寬度50mm以上氣缸直徑需40mm或以上)目視漏液/腐蝕安裝暫無(wú)(建議氣缸中心與電芯兩Tab中心線重合)目視漏液/腐蝕下封頭平面度首尾中三點(diǎn)相差小于0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液內(nèi)側(cè)突起安裝后突起在靠電芯主體側(cè)目視

Stopper高度0.18/0.25±0.01mm專用千分尺測(cè)量漏液/腐蝕封頭臟污/劃痕/凹凸點(diǎn)封頭上不可有臟污及膠堆積/不可有凹凸點(diǎn)及劃痕目視漏液封頭安裝錯(cuò)位小于0.2mm六角扳手滑動(dòng)檢查漏液/分層平行度前后左右相同復(fù)寫(xiě)紙法,塞尺法漏液/分層活動(dòng)無(wú)松動(dòng),上下無(wú)停滯/跳躍,夾具放入時(shí)不會(huì)被壓到目視漏液/腐蝕12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing側(cè)封上封頭平面度首尾中三封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing12/31/2022ATLConfidential封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing12/23/2022AT封裝關(guān)鍵工序—Top-sealing控制/檢查重點(diǎn):1.外觀(槽位偏/sealant露出長(zhǎng)度…)槽位偏,壓TabSealant露出過(guò)長(zhǎng)

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