單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)_第1頁
單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)_第2頁
單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)_第3頁
單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)_第4頁
單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)_第5頁
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PAGE目錄1設(shè)計(jì)方案及原理 11.1原理方框圖 11.2主電路的設(shè)計(jì) 21.3主電路原理說明 21.4整流電路參數(shù)的計(jì)算 32元器件的選擇 32.1晶閘管的選取 32.2變壓器的選取 43觸發(fā)電路的設(shè)計(jì) 53.1對觸發(fā)電路的要求 53.2KJ004集成觸發(fā)器 54保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 64.1過電壓保護(hù) 64.1.1過電壓保護(hù) 64.1.2過電流保護(hù) 74.1.3電流上升率di/dt的抑制 84.1.4電壓上升率du/dt的抑制 85仿真分析與調(diào)試 85.1建立仿真模型 85.2仿真結(jié)果分析 9心得體會(huì) 12參考文獻(xiàn) 13附錄 14單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)1設(shè)計(jì)方案及原理1.1原理方框圖系統(tǒng)原理方框圖如1-1所示:觸發(fā)電路觸發(fā)電路驅(qū)動(dòng)電路整流主電路負(fù)載保護(hù)電路圖1-1系統(tǒng)原理方框圖1.2主電路的設(shè)計(jì)主電路原理圖如下圖1-2所示:圖1-2單相橋式全控整流電路原理圖1.3主電路原理說明在電源電壓u2正半周期間,VT1、VT4承受正向電壓,若在觸發(fā)角α處給VT1、VT4加觸發(fā)脈沖,VT1、VT4導(dǎo)通,電流從電源a端經(jīng)VT1、負(fù)載、VT4流回電源b端。當(dāng)u2過零時(shí),流經(jīng)晶閘管的電流也降到零,VT1和VT4關(guān)斷。在電源電壓u2負(fù)半周期間,仍在觸發(fā)延遲角α處觸發(fā)VT2和VT3,VT2和VT3導(dǎo)通,電流從電源b端流出,經(jīng)過VT3、R、VT2流回電源a端。到u2過零時(shí),電流又降為零,VT2和VT3關(guān)斷。此后又是VT1和VT4導(dǎo)通,如此循環(huán)的工作下去。該電路的移向范圍是0―π。另外,由于該整流電路帶的是反電動(dòng)勢負(fù)載,因而不是正半軸的任意時(shí)刻都能開通晶閘管的,要開通晶閘管必須在交流電瞬時(shí)值大于E的時(shí)候去觸發(fā)。提前觸發(fā)的話,晶閘管會(huì)在E的作用下承受反向電壓,無法導(dǎo)通。1.4整流電路參數(shù)的計(jì)算當(dāng)||>E時(shí),晶閘管可以開通。1)整流輸出電壓的平均值可按下式計(jì)算(1-1)當(dāng)α=0時(shí),取得最大值90V即=0.9=90V從而得出=100V,α=180o時(shí),=0。α角的移相范圍為90o。2)整流輸出電壓的有效值為(2-2)3)整流電流的平均值和有效值分別為 (2-3) (2-4) 4)在一個(gè)周期內(nèi)晶閘管VT1、VT4和VT2、VT3輪流導(dǎo)通,流過晶閘管的電流平均值只有輸出直流電流平均值的一半,即:(2-5)2元器件的選擇2.1晶閘管的選取晶閘管的主要參數(shù)如下:IT(AV)又稱為額定通態(tài)平均電流。其定義是在室溫40°和規(guī)定的冷卻條件下,元件在電阻性負(fù)載流過正弦半波、導(dǎo)通角不小于170°的電路中,結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí),所允許的最大通態(tài)平均電流值。將此電流按晶閘管標(biāo)準(zhǔn)電流取相近的電流等級即為晶閘管的額定電流。在實(shí)際使用時(shí)不論流過管子的電流波形如何、導(dǎo)通角多大,只要其最大電流有效值不大于額定電流的有效值,散熱冷卻符合規(guī)定,則晶閘管的發(fā)熱、溫升就能限制在允許的范圍。在實(shí)際使用時(shí)不論流過管子的電流波形如何、導(dǎo)通角多大,只要其最大電流有效值不大于額定電流的有效值,散熱冷卻符合規(guī)定,則晶閘管的發(fā)熱、溫升就能限制在允許的范圍。將變壓器副邊電壓有效值U2定為200V,則停止導(dǎo)電角δ=8.15°此時(shí)可達(dá)到的最大輸出電壓為0.9U2*cos8.15°=178V>90V,滿足要求。晶閘管承受最大反向電壓為:考慮到安全裕量,故晶閘管額定電壓為:由式2-6知,流過晶閘管電流有效值最大為:晶閘管額定電流為:通過以上計(jì)算得知,可以取晶閘管額定電壓為800V,額定電流為30A。2.2變壓器的選取變壓器是一種靜止的裝置,它是依靠磁耦合的作用,將一種等級的電壓與電流轉(zhuǎn)換為另一種等級的電壓與電流,起著傳遞電能的作用。單相橋式全控整流電路帶反電動(dòng)勢負(fù)載,變壓器二次電流有效值I2與輸出電流有效值I相等。由式2-4可知,二次側(cè)電流最大為50A,故變壓器容量至少為10000V·A。3觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)3.1對觸發(fā)電路的要求晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā)、過零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。觸發(fā)電路對其產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖要求:1)、觸發(fā)信號可為直流、交流或脈沖電壓。2)、觸發(fā)信號應(yīng)有足夠的功率(觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流)。3)、觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度,脈沖的前沿盡可能陡,以使元件在觸發(fā)導(dǎo)通后,陽極電流能迅速上升超過掣住電流而維持導(dǎo)通。4)、觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽極電壓同步,脈沖移相范圍必須滿足電路要求。3.2KJ004集成觸發(fā)器KJ004可控硅移相觸發(fā)電路適用于單相、三相全控橋式供電裝置中,作可控硅的雙路脈沖移相觸發(fā)。KJ004器件輸出兩路相差180度的移相脈沖,可以方便地構(gòu)成全控橋式觸發(fā)器線路。KJ004電路具有輸出負(fù)載能力大、移相性能好、正負(fù)半周脈沖相位均衡性好、移相范圍寬、對同步電壓要求低,有脈沖列調(diào)制輸出端等功能與特點(diǎn)。其管腳圖如下圖3-1所示:圖3-1KJ004管腳圖各引腳說明如下表3-1所示:表3-1KJ004引腳說明功能輸出空鋸齒波形成-Vee(1kΩ)地同步輸入綜合比較微分阻容封鎖調(diào)制+Vcc引腳號1、152、6、103、4578911、1213、1416該觸發(fā)電路設(shè)計(jì)中,通過KJ004集成觸發(fā)器控制晶閘管VT1、VT2、VT3和VT4的導(dǎo)通與截止,使VT1和VT4同時(shí)導(dǎo)通,VT2和VT3同時(shí)導(dǎo)通,同時(shí)兩路導(dǎo)通相差180度。KJ004器件恰好輸出兩路相差180度的移相脈沖,可以方便地構(gòu)成全控橋式觸發(fā)器線路。觸發(fā)電路原理圖參見附錄。4保護(hù)電路的設(shè)計(jì)相對于電機(jī)和繼電器,接觸器等控制器而言,電力電子器件承受過電流和過電壓的能力較差,短時(shí)間的過電流和過電壓就會(huì)把器件損壞。但又不能完全根據(jù)裝置運(yùn)行時(shí)可能出現(xiàn)的暫時(shí)過電流和過電壓的數(shù)值來確定器件參數(shù),必須充分發(fā)揮器件應(yīng)有的過載能力。因此,保護(hù)就成為提高電力電子裝置運(yùn)行可靠性必不可少的重要環(huán)節(jié)。4.1過電壓保護(hù)4.1.1過電壓保護(hù)電源側(cè)過電壓電力電子設(shè)備一般都經(jīng)變壓器與交流電網(wǎng)連接,電源變壓器的繞組與繞組、繞組與地中間都存在著分布電容,如圖4-1所示:圖4-1分布電容該電路中變壓器為降壓型,即電源電壓u高于變壓器次級電壓。電源開關(guān)斷開時(shí),初、次級繞組均無電壓,繞組間分布電容電壓也為0,當(dāng)電源合閘時(shí),由于電容兩端電壓不能突變,電源電壓通過電容加在變壓器次級,使得變壓器次級電壓超出正常值,它所連接的電力電子設(shè)備將受到過電壓的沖擊。在進(jìn)行電源拉閘斷電是也會(huì)造成過電壓,在通電的狀態(tài)將電源開關(guān)斷開使激磁電流從一定得數(shù)值迅速下降到0,由于激磁電感的作用電流的劇烈變化將產(chǎn)生較大的感應(yīng)電壓,因?yàn)殡妷簽長di/dt,在電感一定得情況下,電流的變換越大,產(chǎn)生的過電壓也越大。這個(gè)電壓的大小與拉閘瞬間電流的參數(shù)值有關(guān),在正弦電流的最大值時(shí)斷開電源,產(chǎn)生的di/dt最大,過電壓也就越大??梢姡祥l時(shí)出現(xiàn)的過電壓和拉閘時(shí)出現(xiàn)的過電壓其產(chǎn)生的機(jī)理是完全不同的。對于以上過電壓,我們可以采用阻容保護(hù),保護(hù)電路如下圖4-2所示:圖4-2過電壓保護(hù)同理晶閘管過電壓保護(hù),也可采用阻容式保護(hù)方法,給每個(gè)晶閘管并聯(lián)一個(gè)RC串聯(lián)回路。4.1.2過電流保護(hù)電力電子電路中的電流瞬時(shí)值超過設(shè)計(jì)的最大允許值,即為過電流。過電流有過載和短路兩種情況。在該電路的過電流保護(hù)中均采用熔斷器,給每個(gè)晶閘管串連一個(gè)熔斷器。雖然這樣所用熔斷器較多,但由于流過晶閘管的電流有效值相對于負(fù)載電流有效值和電源二次側(cè)電流有效值來說較小,等價(jià)條件下產(chǎn)生熱量最少,同時(shí)熔斷器價(jià)格很便宜,故這樣設(shè)計(jì)過電流保護(hù)電路比較經(jīng)濟(jì)。電路原理圖如下圖4-3所示:圖4-3過電流保護(hù)4.1.3電流上升率di/dt的抑制晶閘管初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密很大,然后以0.1mm/μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面,若晶閘管開通時(shí)電流上升率di/dt過大,會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。4.1.4電壓上升率du/dt的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率du/dt也應(yīng)有所限制,如果du/dt過大。由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。該電路中采用進(jìn)線電抗器,在輸入交流側(cè)串聯(lián)電感來抑制電壓變化率。5仿真分析與調(diào)試5.1建立仿真模型在電力電子設(shè)計(jì)過程中利用MATLAB來進(jìn)行仿真建模分析有很大的好處,它不但非常方便而且能夠在很大程度范圍內(nèi)減少因設(shè)計(jì)問題而造成的浪費(fèi)。這里的仿真主要是運(yùn)用MATLAB軟件中的simulink工具。先從simulink的元件庫中找到需要用的元件,然后搭建相應(yīng)的主電路,設(shè)置好參數(shù)后即可進(jìn)行仿真。仿真電路圖如下圖所示.圖5-1單相橋式全控整流電路系統(tǒng)模型仿真電路中,用虛擬的示波器監(jiān)控整流電路輸出電壓與輸出電流的波形,觸發(fā)信號波形。由于是要觸發(fā)晶閘管,故把觸發(fā)面沖寬度設(shè)置為3%。這里是首先指定電源為200V的工頻交流電。根據(jù)題目要求反電動(dòng)勢負(fù)載為40V,負(fù)載電阻1歐,負(fù)載電感20mH。設(shè)定好元器件的參數(shù)之后,還需要設(shè)置仿真算法和仿真時(shí)間。我設(shè)定了0.5S的仿真時(shí)間。設(shè)置的仿真算法是ode45。5.2仿真結(jié)果分析觸發(fā)角為0時(shí)的波形:圖5-2觸發(fā)角為0時(shí)的波形觸發(fā)角為60時(shí)的波形如下圖所示: 圖5-3觸發(fā)角為60時(shí)的波形如圖所示,當(dāng)觸發(fā)角為0時(shí),進(jìn)閘管始終處于斷開狀態(tài),同時(shí)VD也是阻斷的。負(fù)載電流為0。但由于是反電動(dòng)勢負(fù)載故還會(huì)有40V的電壓。當(dāng)觸發(fā)角為60°時(shí),Ud=0.9U2*cos60°=90V。另外當(dāng)觸發(fā)角為77.16°時(shí),Ud=0.9U2*cos60°=40V=E,此時(shí)兩邊電動(dòng)勢抵消,負(fù)載電流為0,也就是電流斷續(xù)的臨界點(diǎn)。綜合上述仿真與理論分析可知,觸發(fā)角在77.16°到60°變化時(shí),可以保障整流輸出的連續(xù)可調(diào)。心得體會(huì)通過這次對

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