TFT-LCD、LTPS和OLED技術教學講解課件

TFT-LCD、LTPS和OLED

超級變變變科技成果部TFT-LCD、LTPS和OLED

超級變變變科技成果部1顯示原理模型開關光源

顯示原理模型顯示單元由控制開關和顯示光源組成。第一次變形第二次變形第三次變形第四次變形顯示原理模型開關光源顯示原理模型顯示單元由控制開關和顯示2一、LCD顯示技術開關光源顯示驅動開關液晶顯示單元變LCD顯示模型第一次變形一、LCD顯示技術開關光源顯示驅液晶顯示單元變LCD顯示模型3背光源偏光片液晶彩色濾光片偏光片液晶顯示單元結構背光源偏光片液晶彩色濾光片偏光片液晶顯示單元結構4偏光片原理偏光片有個固定的偏光軸。偏光片的作用就是只允許振動方向與偏光軸方向一致的光通過，而振動方向與偏光軸垂直的光被吸收。

偏光片就像“百葉窗”，可以控制光線的通過。偏光片原理偏光片有個固定的偏光軸。偏光片的作用5偏光片液晶(扭曲向列型液晶)偏光片1、控制液晶器件上的電壓，可以控制液晶分子的扭曲程度，2、光線傳輸方向隨液晶分子一起扭轉，故可以通過控制電壓，從而控制液晶器件的光透過率。液晶顯示原理偏光片液晶偏光片1、控制液晶器件上的電壓，6彩色濾光片原理彩色濾光膜的R、G、B三基色按一定圖案排列，并與TFT基板上的TFT子象素一一對應（注意：一個象素由三個子象素組成）。背光源發(fā)出的白光，經(jīng)濾光膜后變成相應的R、G、B色光。通過TFT陣列可以調節(jié)加在各個子象素上的電壓值，從而改變各色光的透射強度。不同強度的RGB色光混合在一起，就實現(xiàn)了彩色顯示。彩色濾光片原理彩色濾光膜的R、G、B三基色按一7色料著色方法成膜方法制造名稱染料染色光學微影單層法(染色法)多層法染料分散光學微影蝕刻法彩色感光材料法印刷其他噴墨(InkJet)法顏料顏料分散光學微影蝕刻法彩色感光材料法轉印法印刷凹版印刷法平版印刷法網(wǎng)版印刷法電鍍光學微影其他電子照相法激光燒成法

彩色濾光片制造方法的分類色料著色方法成膜方法制造名稱染料染色光學微影單層法(染色法)8LCD顯示器結構

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃基板、TFT、彩色濾光片、濺射板、反射板等組成。玻璃基板偏光片漫射板濺射圖案偏光片玻璃基板彩色濾光片液晶TFT反射板冷陰極燈管導光板冷陰極燈管選通點(子像素)LCD顯示器結構

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃9LCD內部結構無鈉玻璃數(shù)據(jù)線偏光片薄膜晶體管透明顯示電極透明普通電極光線過濾層無鈉玻璃偏光鏡存儲電容擴散體LCD內部結構無鈉玻璃數(shù)據(jù)線偏光片薄膜晶體管透明顯示電極透明10LCD顯示器結構LCD顯示器結構11二、OLED顯示技術開關光源顯示驅動開關OLED

顯示光源變OLED顯示模型第二次變形二、OLED顯示技術開關光源顯示驅OLED光源變OLED顯示12OLED概念：

OLED(OrganicLight-EmittingDiode),即有機發(fā)光二極管。OLED是指有機半導體材料和發(fā)光材料在電場驅動下，通過載流子

注入和復合導致發(fā)光的現(xiàn)象。OLED概念：131947年美籍華裔教授鄧青云在實驗室中發(fā)現(xiàn)了有機發(fā)光二極體，也就是OLED，由此展開了對OLED的研究。1987年鄧青云教授和VanSlyke采用了超薄膜技術，用透明導電膜作陽極，Alq3作發(fā)光層，三芳胺作空穴傳輸層，Mg/Ag合金作陰極，制成了雙層有機電致發(fā)光器件。1990年Burroughes等人發(fā)現(xiàn)了以共軛高分子PPV為發(fā)光層的OLED，從此在全世界范圍內掀起了OLED研究的熱潮。鄧教授被稱為“OLED之父”，“沃爾夫”化學獎獲得者，2014與諾貝爾獎失之交臂。OLED發(fā)展史1947年美籍華裔教授鄧青云在實驗室中發(fā)現(xiàn)了有機發(fā)光二極體，14OLED的陽極為薄而透明的銦錫氧化物(ITO)，陰極為金屬組合物，而將有機材料層(包括電洞傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層等)包夾在其中。接通電流，陽極的電洞與陰極的電荷就會在發(fā)光層結合，發(fā)出光亮。根據(jù)包夾在其中的有機材料的不同，會發(fā)出不同顏色的光。OLED的陽極為薄而透明的銦錫氧化物(ITO)15

小分子發(fā)光材料(SMOLED)大分子發(fā)光材料(POLED)發(fā)光效率>15lm/W20lm/W加工方法真空熱蒸發(fā)旋涂或噴涂(或噴墨印刷)優(yōu)點容易彩色化，制作過程簡單且穩(wěn)定，材料合成及提純較為容易設備成本低，器件構造簡單，耐熱性較好缺點設備成本較高，對濕氣的抵抗性較差，蒸發(fā)效率低造成材料浪費，熱穩(wěn)定性與機械性能較差，驅動電壓較高彩色化比較困難，科研開發(fā)進展緩慢OLED按發(fā)光材料分子大小分為小分子OLED和高分子OLED。小分子發(fā)光材料(SMOLED)大分子發(fā)光材料(POLED)16LCD和OLED結構對比背景燈偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩色濾光片背景燈發(fā)出的光線穿過/不穿過液晶體，然后由濾光片處理彩色像素。有機發(fā)光二極管能自動發(fā)光，只要向電極中輸入電壓，激活層就可產(chǎn)生所需要的彩色光。負極(金屬)正極空穴傳輸層玻璃板光線電子傳輸層LCD和OLED結構對比背景燈偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩17TFT和OLED顯示效果對比TFT和OLED顯示效果對比18性能OLEDLCD發(fā)光機制自行發(fā)光，不需要背光需要背光顯示亮度亮度高，可在陽光下顯示亮度低，很難在陽光下使用反應速度很快，以微秒計，比LCD快1000倍很慢，以毫秒計會產(chǎn)生“拖影”現(xiàn)象顯示失真很小很大，有水平和垂直視角失真視角所有方向都可超過160度有限制，尤其是垂直方向厚度可以小于2mm至少1cm以上柔軟性用塑料基板可以做成能夠彎曲的柔性顯示面板不能做成可彎曲顯示面板耗電極省，40寸彩電耗電80-100瓦采用CCFL背光的40寸彩電耗電290瓦成本低，比LCD低20%以上高壽命低，目前約5千小時壽命長，1萬-5萬小時OLED和LCD性能對比性能OLEDLCD發(fā)光機制自行發(fā)光，不需要背光需要背光顯19三、TFT技術開關光源晶體管開關第三次變形變三、TFT技術開關光源晶體管第三次變形變20晶體管開關Transistor變成英文變薄變成薄膜薄膜Transistor變成英文ThinFilmTransistorTFT薄膜晶體管晶體管Transistor變成英文變薄變成薄膜薄膜Trans21

TFT概念TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶體管，意即每個液晶像素點都是由集成在像素點后面的薄膜晶體管來驅動。薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管。T(Transistor)是指晶體管。晶體管，本名是半導體三極管，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。在TFT中的晶體管均為場效應晶體管，簡稱“場效應管”。

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晶體管及TFT結構保護膜半導體層(非晶硅)漏極源極像素電極(ITO)柵極絕緣膜柵極非晶硅TFT液晶屏的基本構造晶體管及TFT結構保護膜半導體層(非晶硅)漏極源極像素電極23硅Si(Silicon)硅（臺灣、香港稱矽xī）是一種化學元素，它的化學符號是Si。原子序數(shù)14，相對原子質量28.0855。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體；摻入微量的第VA族元素，形成n型硅半導體。硅是制作半導體元件的重要材料。原子結構圖分子結構圖硅外觀圖硅Si(Silicon)原子結構圖分子結構圖硅外觀圖24硅的分類1、硅分為有晶體硅和非晶硅兩種同素異形體。2、晶體硅分為單晶硅和多晶硅。3、多晶硅按照制程溫度分為低溫多晶硅和高溫多晶硅。硅Si晶體硅非晶硅α-Si單晶硅C-Si多晶硅P-Si低溫多晶硅LTPS高溫多晶硅HTPS硅分類圖：硅的分類硅Si晶體硅非晶硅單晶硅多晶硅低溫多晶硅LTPS高溫25a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向圖a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向圖26硅結構電子遷移率應用像素開關驅動電路存儲器硅結構電子遷移率應用像素開關驅動電路存儲器27非晶硅TFT結構LTPSTFT結構底柵頂柵結構應用制程7層CMOS4-5層NMOS非晶硅TFT結構LTPSTFT結構底柵頂柵結構應用制程7層28垂直結構的a-Si:HTFT垂直結構的a-Si:HTFT29LTPS工藝部分LTPS工藝部分30非晶硅TFT、氧化物和低溫多晶硅TFT對比表非晶硅TFT、氧化物和低溫多晶硅TFT對比表31Cell工程Module工程[信號基板］[驅動IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][連接電路][保護板]檢查裝配綁定[LCDPanel]液晶滴下真空貼合切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]涂布曝光[Mask]現(xiàn)像刻蝕剝離[TFT基板]重復[Glass基板]TFT面板制作流程Cell工程Module工程[信號基板］[驅動IC][ＬＣＤ32OLED面板制作流程OLED面板制作流程33四、有源陣列顯示技術第四次變形變小變小四、有源陣列顯示技術第四次變形變小變小348×8像素矩陣8×8像素矩陣35有源矩陣驅動無源驅動法有源驅動法ScanDriverDataDriverClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClc…像素像素像素像素像素像素像素像素像素C1C2CMR1R2RN…

~低功耗~高對比度~高分辨率矩陣驅動方式有源矩陣驅動無源驅動法有源驅動法ScanDriverDat36有源矩陣驅動結構無源矩陣驅動結構控制信號數(shù)據(jù)線像素柵極行信號列信號有源矩陣驅動結構無源矩陣驅動結構控制信號數(shù)據(jù)線像素柵極行信號37玻璃基板陰極陽極發(fā)光層陰極列信號陽極單色OLED行信號PMOLED在陰極和陽極線交叉處是OLED發(fā)光的像素區(qū)。在ITO陽極加上正電壓，金屬陰極上加負電壓，交叉點像素就會有電流通過發(fā)光。缺點：非選通像素上的等效電容和電極間的漏電，會引起脈沖信號在電極間的串擾，導致交叉串擾現(xiàn)象，顯示圖像失真。無源矩陣驅動方式玻璃基板陰極陽極發(fā)光層陰極列信號陽極單色OLED行信號PMO38玻璃基板TFT像素電極電子傳輸層發(fā)光層空穴傳輸層有機層陰極封裝層或蓋板AMOLED是采用薄膜晶體管驅動的有機發(fā)光顯示器，優(yōu)點是：1）同一畫面的各個像素是同時發(fā)光，發(fā)光亮度高、壽命長；2）各個像素獨立控制，驅動電壓也降低，耗電少，適合大面積顯示；3）避免交叉串擾。有源矩陣驅動方式玻璃基板TFT像素電極電子傳輸層有機層陰極封裝層39主動式驅動(有源驅動AMOLED)

有源驅動屬于靜態(tài)驅動方式，可獨立控制每個像素的發(fā)光，易于實現(xiàn)高亮度和高分辨率。OLED驅動方式被動式驅動(無源驅動PMOLED)

分為靜態(tài)驅動電路和動態(tài)驅動電路，靜態(tài)容易出現(xiàn)交叉效應而動態(tài)則有占空比的問題，且驅動電壓高，不適合用在大尺寸與高分辨率面板上主動式驅動(有源驅動AMOLED)OLED驅動方式被動式驅動40玻璃基底絕緣層A-Si:HTFT垂直電極數(shù)據(jù)線漏電極玻璃基板絕緣層a-Si:HTFT引線電極信號線漏極背光源柵極及掃描線導光板偏振片像素電極源極共用電極彩膜偏振片陣列單元像素結構玻璃基底絕緣層A-Si:HTFT垂直電極數(shù)據(jù)線漏電極玻璃基板41n+a-Si源極絕緣層柵線柵極信號線a-Si:H漏極TFT像素電極絕緣層鄰柵線存儲電容ClcCs彩膜基板TFT陣列基板液晶層液晶層電容陣列單元像素結構n+a-Si源極絕緣層柵線柵極信號線a-Si:H漏極TFT像42等效電路TFTClcCs彩膜基板TFT陣列基板液晶層液晶層電容液晶層ClcTFTCs等效電路TFTClcCs彩膜基板TFT陣列基板液晶層液晶43等效電路等效電路44有源矩陣液晶顯示器的驅動有源矩陣液晶顯示器的驅動45顯示顏色的形成顏色顏色值R(紅色)0-255G(綠色)0-255B(藍色)0-255共可現(xiàn)實1678萬種顏色人眼可識別13-18萬種顏色顏色顯示模式-RGB模式人眼對空間的分辨距離約為0.1mm，而像素三原色間距小于0.1mm,故可以看到三原色的混色。顯示顏色的形成顏色顏色值R(紅色)0-255G(綠色)0-246動態(tài)畫面的形成

人之所以可以看到連續(xù)動態(tài)的畫面是利用了人的“視覺暫留”原理。人的視覺暫留時間是0.1-0.4秒，極限為0.025秒。而顯示器的掃描周期周期低于0.1秒，故可以可以看到連續(xù)的畫面。(電影每秒24幀，每幀1/24秒；

電視每秒60幀以上，每幀1/60秒。)tF=16.7mstg(gateontime)G0G1G2G3+––V1+V2–V3offoffoffonononoffoffoffoffoffoffCst有源陣列掃描動態(tài)畫面的形成tF=16.7m47總結LCD：液晶顯示。液晶面板由背光板、偏光片、玻璃基板、TFT、彩色濾光片等組成。由電壓控制液晶分子的扭轉角度來控制液晶顯示。OLED:有機發(fā)光二極管

，顯示器的另一種顯示方式。由二極管發(fā)光進行顯示。TFT：薄膜晶體管。作為像素顯示的開關，組成像素控制電路。α-S和LTPS：非晶硅和低溫多晶硅，均為硅按照部分分類方法得到的子類。為TFT像素開關源極和漏極之間的半導體材料。低溫多晶硅的電子遷移率顯著高于非晶硅。液晶顯示器的驅動原理：無源矩陣和有源矩陣。陣列基板：最常用的是非晶硅薄膜晶體管陣列，每一個像素都由柵極、絕緣層、a-Si:H有源層、n+a-Si歐姆接觸層、源極、漏極、像素電極、掃描線、信號線、引線電極、存儲電容組成?？偨YLCD：液晶顯示。液晶面板由背光板、偏光片、玻璃基板48技術沒有盡頭未來如何變化我們共同期待。

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超級變變變科技成果部TFT-LCD、LTPS和OLED

超級變變變科技成果部50顯示原理模型開關光源

顯示原理模型顯示單元由控制開關和顯示光源組成。第一次變形第二次變形第三次變形第四次變形顯示原理模型開關光源顯示原理模型顯示單元由控制開關和顯示51一、LCD顯示技術開關光源顯示驅動開關液晶顯示單元變LCD顯示模型第一次變形一、LCD顯示技術開關光源顯示驅液晶顯示單元變LCD顯示模型52背光源偏光片液晶彩色濾光片偏光片液晶顯示單元結構背光源偏光片液晶彩色濾光片偏光片液晶顯示單元結構53偏光片原理偏光片有個固定的偏光軸。偏光片的作用就是只允許振動方向與偏光軸方向一致的光通過，而振動方向與偏光軸垂直的光被吸收。

偏光片就像“百葉窗”，可以控制光線的通過。偏光片原理偏光片有個固定的偏光軸。偏光片的作用54偏光片液晶(扭曲向列型液晶)偏光片1、控制液晶器件上的電壓，可以控制液晶分子的扭曲程度，2、光線傳輸方向隨液晶分子一起扭轉，故可以通過控制電壓，從而控制液晶器件的光透過率。液晶顯示原理偏光片液晶偏光片1、控制液晶器件上的電壓，55彩色濾光片原理彩色濾光膜的R、G、B三基色按一定圖案排列，并與TFT基板上的TFT子象素一一對應（注意：一個象素由三個子象素組成）。背光源發(fā)出的白光，經(jīng)濾光膜后變成相應的R、G、B色光。通過TFT陣列可以調節(jié)加在各個子象素上的電壓值，從而改變各色光的透射強度。不同強度的RGB色光混合在一起，就實現(xiàn)了彩色顯示。彩色濾光片原理彩色濾光膜的R、G、B三基色按一56色料著色方法成膜方法制造名稱染料染色光學微影單層法(染色法)多層法染料分散光學微影蝕刻法彩色感光材料法印刷其他噴墨(InkJet)法顏料顏料分散光學微影蝕刻法彩色感光材料法轉印法印刷凹版印刷法平版印刷法網(wǎng)版印刷法電鍍光學微影其他電子照相法激光燒成法

彩色濾光片制造方法的分類色料著色方法成膜方法制造名稱染料染色光學微影單層法(染色法)57LCD顯示器結構

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃基板、TFT、彩色濾光片、濺射板、反射板等組成。玻璃基板偏光片漫射板濺射圖案偏光片玻璃基板彩色濾光片液晶TFT反射板冷陰極燈管導光板冷陰極燈管選通點(子像素)LCD顯示器結構

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃58LCD內部結構無鈉玻璃數(shù)據(jù)線偏光片薄膜晶體管透明顯示電極透明普通電極光線過濾層無鈉玻璃偏光鏡存儲電容擴散體LCD內部結構無鈉玻璃數(shù)據(jù)線偏光片薄膜晶體管透明顯示電極透明59LCD顯示器結構LCD顯示器結構60二、OLED顯示技術開關光源顯示驅動開關OLED

顯示光源變OLED顯示模型第二次變形二、OLED顯示技術開關光源顯示驅OLED光源變OLED顯示61OLED概念：

OLED(OrganicLight-EmittingDiode),即有機發(fā)光二極管。OLED是指有機半導體材料和發(fā)光材料在電場驅動下，通過載流子

注入和復合導致發(fā)光的現(xiàn)象。OLED概念：621947年美籍華裔教授鄧青云在實驗室中發(fā)現(xiàn)了有機發(fā)光二極體，也就是OLED，由此展開了對OLED的研究。1987年鄧青云教授和VanSlyke采用了超薄膜技術，用透明導電膜作陽極，Alq3作發(fā)光層，三芳胺作空穴傳輸層，Mg/Ag合金作陰極，制成了雙層有機電致發(fā)光器件。1990年Burroughes等人發(fā)現(xiàn)了以共軛高分子PPV為發(fā)光層的OLED，從此在全世界范圍內掀起了OLED研究的熱潮。鄧教授被稱為“OLED之父”，“沃爾夫”化學獎獲得者，2014與諾貝爾獎失之交臂。OLED發(fā)展史1947年美籍華裔教授鄧青云在實驗室中發(fā)現(xiàn)了有機發(fā)光二極體，63OLED的陽極為薄而透明的銦錫氧化物(ITO)，陰極為金屬組合物，而將有機材料層(包括電洞傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層等)包夾在其中。接通電流，陽極的電洞與陰極的電荷就會在發(fā)光層結合，發(fā)出光亮。根據(jù)包夾在其中的有機材料的不同，會發(fā)出不同顏色的光。OLED的陽極為薄而透明的銦錫氧化物(ITO)64

小分子發(fā)光材料(SMOLED)大分子發(fā)光材料(POLED)發(fā)光效率>15lm/W20lm/W加工方法真空熱蒸發(fā)旋涂或噴涂(或噴墨印刷)優(yōu)點容易彩色化，制作過程簡單且穩(wěn)定，材料合成及提純較為容易設備成本低，器件構造簡單，耐熱性較好缺點設備成本較高，對濕氣的抵抗性較差，蒸發(fā)效率低造成材料浪費，熱穩(wěn)定性與機械性能較差，驅動電壓較高彩色化比較困難，科研開發(fā)進展緩慢OLED按發(fā)光材料分子大小分為小分子OLED和高分子OLED。小分子發(fā)光材料(SMOLED)大分子發(fā)光材料(POLED)65LCD和OLED結構對比背景燈偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩色濾光片背景燈發(fā)出的光線穿過/不穿過液晶體，然后由濾光片處理彩色像素。有機發(fā)光二極管能自動發(fā)光，只要向電極中輸入電壓，激活層就可產(chǎn)生所需要的彩色光。負極(金屬)正極空穴傳輸層玻璃板光線電子傳輸層LCD和OLED結構對比背景燈偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩66TFT和OLED顯示效果對比TFT和OLED顯示效果對比67性能OLEDLCD發(fā)光機制自行發(fā)光，不需要背光需要背光顯示亮度亮度高，可在陽光下顯示亮度低，很難在陽光下使用反應速度很快，以微秒計，比LCD快1000倍很慢，以毫秒計會產(chǎn)生“拖影”現(xiàn)象顯示失真很小很大，有水平和垂直視角失真視角所有方向都可超過160度有限制，尤其是垂直方向厚度可以小于2mm至少1cm以上柔軟性用塑料基板可以做成能夠彎曲的柔性顯示面板不能做成可彎曲顯示面板耗電極省，40寸彩電耗電80-100瓦采用CCFL背光的40寸彩電耗電290瓦成本低，比LCD低20%以上高壽命低，目前約5千小時壽命長，1萬-5萬小時OLED和LCD性能對比性能OLEDLCD發(fā)光機制自行發(fā)光，不需要背光需要背光顯68三、TFT技術開關光源晶體管開關第三次變形變三、TFT技術開關光源晶體管第三次變形變69晶體管開關Transistor變成英文變薄變成薄膜薄膜Transistor變成英文ThinFilmTransistorTFT薄膜晶體管晶體管Transistor變成英文變薄變成薄膜薄膜Trans70

TFT概念TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶體管，意即每個液晶像素點都是由集成在像素點后面的薄膜晶體管來驅動。薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管。T(Transistor)是指晶體管。晶體管，本名是半導體三極管，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。在TFT中的晶體管均為場效應晶體管，簡稱“場效應管”。

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晶體管及TFT結構保護膜半導體層(非晶硅)漏極源極像素電極(ITO)柵極絕緣膜柵極非晶硅TFT液晶屏的基本構造晶體管及TFT結構保護膜半導體層(非晶硅)漏極源極像素電極72硅Si(Silicon)硅（臺灣、香港稱矽xī）是一種化學元素，它的化學符號是Si。原子序數(shù)14，相對原子質量28.0855。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體；摻入微量的第VA族元素，形成n型硅半導體。硅是制作半導體元件的重要材料。原子結構圖分子結構圖硅外觀圖硅Si(Silicon)原子結構圖分子結構圖硅外觀圖73硅的分類1、硅分為有晶體硅和非晶硅兩種同素異形體。2、晶體硅分為單晶硅和多晶硅。3、多晶硅按照制程溫度分為低溫多晶硅和高溫多晶硅。硅Si晶體硅非晶硅α-Si單晶硅C-Si多晶硅P-Si低溫多晶硅LTPS高溫多晶硅HTPS硅分類圖：硅的分類硅Si晶體硅非晶硅單晶硅多晶硅低溫多晶硅LTPS高溫74a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向圖a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向圖75硅結構電子遷移率應用像素開關驅動電路存儲器硅結構電子遷移率應用像素開關驅動電路存儲器76非晶硅TFT結構LTPSTFT結構底柵頂柵結構應用制程7層CMOS4-5層NMOS非晶硅TFT結構LTPSTFT結構底柵頂柵結構應用制程7層77垂直結構的a-Si:HTFT垂直結構的a-Si:HTFT78LTPS工藝部分LTPS工藝部分79非晶硅TFT、氧化物和低溫多晶硅TFT對比表非晶硅TFT、氧化物和低溫多晶硅TFT對比表80Cell工程Module工程[信號基板］[驅動IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][連接電路][保護板]檢查裝配綁定[LCDPanel]液晶滴下真空貼合切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]涂布曝光[Mask]現(xiàn)像刻蝕剝離[TFT基板]重復[Glass基板]TFT面板制作流程Cell工程Module工程[信號基板］[驅動IC][ＬＣＤ81OLED面板制作流程OLED面板制作流程82四、有源陣列顯示技術第四次變形變小變小四、有源陣列顯示技術第四次變形變小變小838×8像素矩陣8×8像素矩陣84有源矩陣驅動無源驅動法有源驅動法ScanDriverDataDriverClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClc…像素像素像素像素像素像素像素像素像素C1C2CMR1R2RN…

~低功耗~高對比度~高分辨率矩陣驅動方式有源矩陣驅動無源驅動法有源驅動法ScanDriverDat85有源矩陣驅動結構無源矩陣驅動結構控制信號數(shù)據(jù)線像素柵極行信號列信號有源矩陣驅動結構無源矩陣驅動結構控制信號數(shù)據(jù)線像素柵極行信號86玻璃基板陰極陽極發(fā)光層陰極列信號陽極單色OLED行信號PMOLED在陰極和陽極線交叉處是OLED發(fā)光的像素區(qū)。在ITO陽極加上正電壓，金屬陰極上加負電壓，交叉點像素就會有電流通過發(fā)光。缺點：非選通像素上的等效電容和電極間的漏電，會引起脈沖信號在電極間的串擾，導致交叉串擾現(xiàn)象，顯示圖像失真。無源矩陣驅動方式玻璃基板陰極陽極發(fā)光層陰極列信號陽極單色OLED行信號PMO87玻璃基板TFT像素電極電子傳輸層發(fā)光層空穴傳輸層有機層陰極封裝層或蓋板AMOLED是采用薄膜晶體管驅動的有機發(fā)光顯示器，優(yōu)點是：1）同一畫面的各個像素是同時發(fā)光，發(fā)光亮度高、壽命長；2）各個像素獨立控制，驅動電壓也降低，耗電少，適合大面積顯示；3）避免交叉串擾。有源矩陣驅動方式玻璃基板TFT像素電極電子傳輸層有機層陰極封裝層88主動式驅動(有源驅動AMOLED)

有源驅動屬于靜態(tài)驅動方式，可獨立控制每個像素的發(fā)光，易于實現(xiàn)高亮度和高分辨率。OLED驅動方式被動式驅動(無源驅動PMOLED)

分為靜態(tài)驅動電路和動態(tài)驅動電路，靜態(tài)容易出現(xiàn)交叉效應而動態(tài)則有占空比的問題，且驅動電壓高，不適合用在大尺寸與高分辨率面板上主動式驅動(有源驅動AMOLED)OLED驅動方式被動式驅動89玻璃基底絕緣層A-Si:HT