結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管_第1頁(yè)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管_第2頁(yè)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管_第3頁(yè)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管_第4頁(yè)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè)，還剩15頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管BJTFET電流控制器件電壓控制器件依靠少子工作,噪聲大依靠多子工作,噪聲低輸入阻抗低輸入阻抗高,利于直接耦合,輸入功耗小溫度穩(wěn)定性差溫度穩(wěn)定性好,具有零或負(fù)的溫度系數(shù)工藝較復(fù)雜,集成度低制造工藝較BJT,EMOS有天然的隔離,集成度高6.1.1pnJFET的基本結(jié)構(gòu)6.2器件的特性6.2.1內(nèi)建夾斷電壓、夾斷電壓和漏源飽和電壓內(nèi)建夾斷電壓：夾斷電壓：耗盡層寬度：y處電流均勻分布情況6.2.3MESFET基本結(jié)構(gòu)MESFET工作原理E型MESFET開(kāi)啟電壓6.3非理想因素6.3.1溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)其中，溝長(zhǎng)調(diào)制系數(shù)6.3.2速度飽和效應(yīng)習(xí)題1（a）畫(huà)出p溝道JFET結(jié)構(gòu)的能帶圖（b）定性地討論I-V特性，包括電流方向以及電壓特性2考慮一個(gè)n溝道JFET，它具有以下參數(shù)：

Na=31018cm-3，Nd=81016cm-3，a=0.5m。（a）計(jì)算內(nèi)建夾斷電壓（b）計(jì)算未耗盡溝道寬度為0.20m時(shí)所需的柵極電壓3N溝道硅MESFET的溝道長(zhǎng)度是L=2m。假定溝道中水平電場(chǎng)的均值是E=10kV/cm。計(jì)算如下情況時(shí)電子在溝道中的傳輸時(shí)間：（a）遷移率為常數(shù)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論