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隧穿晶體管(TFET)—高能效電子開(kāi)關(guān)報(bào)告人:劉強(qiáng)導(dǎo)師:任偉教授日期:2014.10.8主要內(nèi)容2023/1/1621.隧穿晶體管工作機(jī)制2023/1/163原理闡述GN+N+P摻雜1.2V1.2VN-GN+P++1.2V1.2V關(guān)斷狀態(tài)關(guān)斷狀態(tài)加?xùn)艠O電壓加?xùn)艠O電壓1.隧穿晶體管工作機(jī)制2023/1/165原理闡述特點(diǎn):1.隧穿過(guò)程不受溫度的一級(jí)影響;2.要增大隧穿概率,需要:2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/166增大的方法1.減小柵氧厚度2.多柵與環(huán)柵2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/167增大的方法3.減少體厚:可以保證繼續(xù)減小柵長(zhǎng)2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/169漏電流的產(chǎn)生漏電流的產(chǎn)生:降低摻雜濃度2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/1610III-V族半導(dǎo)體柵極電壓Vg
如何有窄的Eg和有效質(zhì)量較小的載流子?GroupIII-V-semiconductor-based
TFETsSi、Ge是間接帶隙半導(dǎo)體,而GaAs、InAs、InSb等是直接帶隙半導(dǎo)體,可以提供較高的遷移率。2.隧穿晶體管的性能改良2023/1/1611TFET的缺點(diǎn)缺點(diǎn)1:工作電流太小缺點(diǎn)2:工作頻率低可應(yīng)用于高溫中頻低功耗電路。參考文獻(xiàn)2023/1/1613[2]UygarE.Avci,IanAYoung,.HeterojunctionTFETscalingandresonant-TFETforsteepsubthresholdslopeatsub-9nmgate-length.[C].Vol[13],IEEEint.InternationalElectronDeviceMeeting,2013Vol[13]:96-100.[1]AdrianM.Ionescu,Heike.Riel,.Tunnelfield-effecttransistorsasenergy-efficientelectronicswitches[J].Nature,2011:Vol[479]329-337.[3]WeiCao,DebinaSarkar,YasinKhatami,JiahaoKang,KaustavBanerjee,.Subthreshold-swingphysicsoftunnelfie
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