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文檔簡介

3.4雙極晶體管的直流電流電壓方程本節(jié)以緩變基區(qū)NPN

管為例，先給出在發(fā)射結(jié)和集電結(jié)上均外加任意電壓時晶體管的電流電壓方程。電流的參考方向和電壓的參考極性如下圖所示。EBCIEIBICVCEVBEVBCNN+P+++---3.4.3晶體管的直流電流電壓方程共基極直流電流電壓方程（“埃伯斯－莫爾方程”）為：(3-59b)(3-59a)

IES代表發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)零偏時的發(fā)射極電流，相當于單獨的發(fā)射結(jié)構(gòu)成的PN

結(jié)二極管的反向飽和電流。

ICS

代表集電結(jié)反偏、發(fā)射結(jié)零偏時的集電極電流，相當于單獨的集電結(jié)構(gòu)成的PN

結(jié)二極管的反向飽和電流。

αR

代表倒向管的共基極電流放大系數(shù)，通常比α小得多。共發(fā)射極直流電流電壓方程為：正向管與倒向管之間存在一個

互易關(guān)系，即：（3-60）當VBC

=0時，在放大區(qū)，VBC<0，且當時，

ICBO

代表發(fā)射極開路(IE=0)、集電結(jié)反偏(VBC<0)時的集電極電流，稱為共基極反向截止電流。式中，共基極輸出特性曲線

共發(fā)射極輸出特性：以輸入端的IB

為參變量，輸出端的IC與VCE之間的關(guān)系。由共發(fā)射極直流電流電壓方程ECBPNIBICNEVCE當VBC=0，或VBE=VCE時，在放大區(qū)，VBC<0，或VBE<VCE

，

ICEO代表基極開路(IB

=0)、集電結(jié)反偏(VBC<0)時從發(fā)射極穿透到集電極的電流，稱為共發(fā)射極反向截止電流，或共發(fā)射極穿透電流。共發(fā)射極輸出特性曲線圖中，虛線表示

放大區(qū)與飽和區(qū)的分界線。虛線右側(cè)為放大區(qū)，虛線左側(cè)為飽和區(qū)。

3.4.5基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)在共發(fā)射極放大區(qū)，理論上，即IC與VCE無關(guān)。但在實際的晶體管中，IC隨VCE的增大會略有增大。式中，稱為

厄爾利電壓。，稱為

共發(fā)射極增量輸出電阻。

xdB為集電結(jié)耗盡區(qū)進入基區(qū)中的部分，即xp。VA的幾何意義為減小厄爾

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