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文檔簡介
高中化學一輪復習同步測試物質的結構與基礎綜合分析(四)同步練一.非選擇題1.Goodenough等人因在鋰離子電池及鈷酸鋰、磷酸鐵鋰等正極材料研究方面的卓越貢獻而獲得2019年諾貝爾化學獎?;卮鹣铝袉栴}:(1)基態(tài)與離子中未成對的電子數(shù)之比為______________。(2)Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能()如表所示。(Li)>(Ni),原因是________________________。(BE)>(B)>(Li),原因是_______________。()LiBeBNaMgA(3)磷酸根離子的空間構型為_____________,其中P的價層電子對數(shù)為______________、雜化軌道類型為______________________。(4)的晶胞結構示意圖如(a)所示。其中O圍繞Fe和P分別形成正八面體和正四面體,它們通過共頂點、共棱形成空間鏈結構。每個晶胞中含有的單元數(shù)有___________個。電池充電時,脫出部分,形成,結構示意圖如(b)所示,則=___________,______________________。2.小團簇()為Ⅱ~Ⅵ族化合物半導體材料,其有獨特的光學和電學性質,常應用于發(fā)光二極管生物系統(tǒng)成像與診斷等方面。(1)基態(tài)Se原子的價層電子排布式為______________。(2)Cd的第一電離能大于同周期相鄰元素,原因是_____________________。(3)CdS、CdSe、CdTe均為重要的Ⅱ~Ⅵ族化合物半導體材料,熔點分別為1750℃、1350℃、1041℃,上述熔點呈規(guī)律性變化的原因是_____________________。(4)利用有機配體、等修飾可改善其光致發(fā)光效率。其中的空間構型是_______________。中參與形成配位鍵的孤電子對占據(jù)的軌道是___________。(5)CdSe的一種晶體為閃鋅礦型結構,晶胞結構如圖所示。其中原子坐標參數(shù)A為,則C的原子坐標參數(shù)分別為___________。該晶胞中鍵的鍵長為_______。已知Cd和Se的原子半徑分別為,則該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為__________。二.實驗題3.ⅤA族元素氮、磷、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)的單質及其化合物在科研和生產(chǎn)中有許多重要用途。(1)鉍合金可用于自動噴水器的安全塞,一旦發(fā)生火災時,安全塞會“自動”熔化,噴出水來滅火。鉍原子的價電子排布式為________________。(2)第三周期元素中第一電離能大于磷的元素有_________(填元素符號)。(3)具有如圖1所示的兩種平面四邊形結構\(一種有抗癌作用),其中在水中的溶解度較小的是________________(填“順式”或“反式”)。(4)氨硼烷是一種儲氫材料,與乙烷互為等電子體,熔點為104℃。氨硼烷晶體中各種微粒間的作用力涉及____________(填標號)。A.范德華力B.離子鍵C.配位鍵D.金屬鍵(5)偏亞砷酸鈉是一種滅生性除草劑,可殺死各種草本植物,其陰離子的立體構型為_________________。(6)化肥廠生產(chǎn)的中往往含有少量極易被植物根系吸收的具有正四面體結構的,其結構式為__________________,其中N原子的雜化方式為_______________。(7)鑭、鐵、銻三種元素組成的一種固體能實現(xiàn)熱電效應。該固體晶胞結構如圖2所示,晶胞參數(shù)為,F(xiàn)e原子填在6個Sb原子形成的正八面體空隙中,晶胞6個表面的結構都如圖3所示。①以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分數(shù)坐標,如圖2中原子甲的坐標為,原子乙的坐標為,則原子丙的坐標為___________。②設阿伏加德羅常數(shù)的值為,則該固體的密度_________(列出計算式即可)。4.鐵被譽為“第一金屬”,鐵及其化合物廣泛應用于生活、生產(chǎn)、國防等領域。(1)已知:元素的一個基態(tài)的氣態(tài)原子得到一個電子形成-1價氣態(tài)陰離子時所放出的能量稱為該元素的第一電子親和能,用表示。從-1價的氣態(tài)陰離子再得到1個電子,成為-2價的氣態(tài)陰離子所放出的能量稱為第二電子親和能,依此類推。FeO是離子晶體,其晶格能可通過圖1的Born-Haber循環(huán)計算得到。鐵單質的原子化熱為____________kJ·mol-1,F(xiàn)eO的晶格能為____________kJ·mol-1,基態(tài)轉化為需吸收能量,從原子結構角度解釋_____________。(2)乙二胺四乙酸又叫做EDTA(圖2),是化學中一種良好的配合劑,形成的配合物叫做螯合物。EDTA在配位滴定中經(jīng)常用到,一般是測定金屬離子的含量。已知:EDTA配離子結構如圖3。EDTA中碳原子軌道的雜化類型為____________,EDTANa-Fe(Ⅲ)是一種螯合物,六個配位原子在空間構型為____________。EDTANa-Fe(Ⅲ)的化學鍵除了σ鍵和配位鍵鍵外,還存在____________。(3)晶體中,的重復排列方式如圖3所示,該排列方式中存在著由如1、3、6、7的圍成的正四面體空隙和如3、6、7、8、9、12的圍成的正八面體空隙。中有一半的填充在正四面體空隙中,另一半和填充在正八面體空隙中,則晶體中,O2-數(shù)與正四面體空隙數(shù)(包括被填充的)之比為____________,有____________%的正八面體空隙填充陽離子。晶胞的八分之一是圖示結構單元(圖4),晶體密度為5.18
,則該晶胞參數(shù)a
=____________pm。(寫出計算表達式)5.據(jù)報道,我國化學研究人員用和等合成了一個鎳的配位化合物(如圖),對鎳配合物在磁性、電化學性質等方面的研究提出了理論指導。請回答下列問題:(1)基態(tài)Ni原子的價電子軌道表達式為_______________,N在元素周期表中處于第___________________縱行。(2)C、N、O三種元素中電負性最大的是_____________(填元素符號)。C在形成化合物時,其鍵型以共價鍵為主,原因是______________。(3)中陰離子的空間構型是_______________,寫出與該陰離子互為等電子體的一種分子的化學式:_________________。(4)上述鎳的配位化合物中,碳原子的雜化方式為_________________。(5)已知:的沸點為1179℃,的沸點為32℃,的沸點高于的主要原因是_________________。(6)已知:氧化鎳的晶胞結構如圖所示。①若為阿伏加德羅常數(shù)的值,晶體密度為,則該晶胞中最近的之間的距離為_______________pm(用含、的代數(shù)式表示)。②某缺陷氧化鎳的組成為,其中Ni元素具有+2和+3兩種價態(tài),兩種價態(tài)的鎳離子數(shù)目之比為_________________。6.非線性光學晶體在信息、激光技術、醫(yī)療、國防等領域具有重要應用價值。我國科學家利用、和首次合成了組成為的非線性光學晶體?;卮鹣铝袉栴}:(1)C、O、Si三種元素電負性由大到小的順序為;第一電離能________(填“>”或“<”)。(2)基態(tài)Ge原子核外電子排布式為;、具有類似的晶體結構,其中熔點較高的是,原因是。(3)如圖為晶體的片層結構,其中B的雜化方式為;硼酸在熱水中溶解度比在冷水中溶解度顯著增大的主要原因是。(4)以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分數(shù)坐標。屬正交晶系(長方體形),晶胞參數(shù)為pm、pm和pm。如圖為沿軸投影的晶胞中所有Cs原子的分布圖和原子分數(shù)坐標。據(jù)此推斷該晶胞中Cs原子的數(shù)目為;的摩爾質量為,設為阿伏加德羅常數(shù)的值,則晶體的密度為______________(用代數(shù)式表示)。
參考答案1.答案:(1)(2)Na與Li同族,Na電子層數(shù)多,原子半徑大,易失電子;Li、Be、B同周期,核電荷數(shù)依次增加。Be為全滿穩(wěn)定結構,第一電離能最大。與Li相比,B核電荷數(shù)大,原子半徑小,較難失去電子,第電離能較大(3)正四面體;4;(4)4;;13:3解析:(1)根據(jù)構造原理可知基態(tài)和的價層電子排布式分別為和,其未成對電子數(shù)分別為4和5,即未成對電子數(shù)之比為。(2)Li和Na均為第ⅠA族元素,由于Na電子層數(shù)多,原子半徑大,故Na比Li容易失去最外層電子,即l(Li)>(Na)。Li、Be均為第二周期元素,隨原子序數(shù)遞增,第一電離能有増大的趨勢,而Be的2s能級處于全充滿狀態(tài),較難失去電子,故第一電離能Be比B大。(3)的中心原子P的價層電子對數(shù)為4,孤電子對數(shù)為0,中心原子P為雜化,故的空間構型為正四面體。(4)由題圖可知,小白球表示鋰原子,由圖(a)知,每個晶胞中的鋰原子數(shù)為8,故一個晶胞中有4個單元。由圖(b)知,結構中,一個晶胞含有13/4個鋰原子,此時鋰原子、鐵原子的個數(shù)比為13:16,進而推出=3/16。設中二價鐵離子的個數(shù)為,三價鐵離子的個數(shù)為,由,,得到:=13:3,即=13:3。2.答案:(1)(2)Cd的電子排布式為,原子軌道為全充滿狀態(tài)(3)三者均為離子化合物,陽離子相同,陰離子的半徑,晶格能(4)三角錐形;(5)、;;解析:(1)隔元素位于第四周期ⅥA族,基態(tài)Ss原子的價層電子排布離式為。(2)Cd的電子排布式為,由于4d、5s能級均全滿,為穩(wěn)定結構,故其第一電離能大于同周期相鄰元素的第一電離能。(3)CdS、CdSe、CdTe均為離子化合物,陽離子均為,陰離子的半徑,晶格能,故熔點逐漸降低。(4)中P的孤電子對數(shù)為,成鍵電子對數(shù)為3,故其空間構型為為:三角錐形。中N有1對孤對電子,其雜化類型為,參與形成配位鍵時,N提供孤電子對,孤電子對占據(jù)的軌道為。(5)將CdSe晶胞分為8個小立方體,Se處于互不相鄰的4個小立方體的體心,故B、C的原子坐標參數(shù)分別為、。該晶胞中鍵的鍵長為晶胞體對角線長度的,即。該晶胞中含有為4個Cd、4個Se,該晶胞中原子的總體積為,晶胞體積為,故原子的體積占晶胞體積的百分率為。3.答案:(1)(2)Ar、Cl(3)反式(4)AC(5)V形(或角形折線形)(6);(7)①②解析:(1)Bi位于元素周期表第六周期ⅤA族,其價電子排布式為。(2)同周期元素第一電離能呈增大趨勢,但P由于3p軌道半充滿,為穩(wěn)定結構,其第一電離能大于S,故第三周期元素中第一電離能大于磷的元素有Cl、Ar。(3)由題圖知,順式結構為極性分子,反式結構為非極性分子,根據(jù)相似相溶原理,知在水中的溶解度較小的是反式。(4)氨硼烷的結構式為,氨硼烷分子間存在氫鍵和范德華力,分子內(nèi)存在共價鍵和配位鍵。(5)中As的孤電子對數(shù)為,成鍵電子對數(shù)為2,則其立體構型為V形。(6)根據(jù)具有正四面體結構,知N為雜化,每個N形成一個N一H鍵、3個N一N健,故其結構式為。(7)①將該晶胞均分為8個小立方體,每個小立方體的體心有1個Fe原子,原子丙位于下層左前方的小立方體的體心,則其坐標為。②該晶胞中La位于頂點和體心,個數(shù)為,F(xiàn)e位于體內(nèi),個數(shù)為8,結合圖2和圖3可知晶胞的六個表面上各有4個Sb,體內(nèi)有12個Sb,故Sb的個數(shù)為,則該晶體的密度為。4.答案:(1)416.3;3902;當負一價氧離子再獲得電子時要克服負電荷之間的排斥力,因此要吸收能量(2);八面體;離子鍵和鍵(3)1∶2;50解析:(1)原子化熱是指1mol金屬晶體轉變?yōu)闅鈶B(tài)原子所需的最小能量,由題圖可以看出鐵單質的原子化熱為416.3;1mol氣態(tài)和1mol氣態(tài)結合生成1molFeO晶體所釋放的熱量即為FeO的晶格能,由題圖可以看出FeO的晶格能為3902;當負一價氧離子再獲得電子時要克服負電荷之間的排斥力,因此轉化為要吸收能量。(2)由圖3可知EDA中碳原子的軌道雜化類型為雜化;由圖3可以看出6個配位原子形成的空間構型為八面體結構;EDTANa-Fe(Ⅲ)中有碳氧雙鍵,其中含一個鍵,一個鍵,EDTANa-Fe(Ⅲ)中還有離子鍵。(3)由圖4可知,圍成的正四面體空隙有8個,該晶體結構中數(shù)目為,則數(shù)與正四面體空隙數(shù)之比為4:8=1:2。由圖4可知,每個棱心均為形成的正八面體空隙的體心,則該晶體結構中形成的正八面體空隙數(shù)為,中有一半的填充在正四面體空隙中,另一半和填充在正八面體空隙中,即有1個和1個填充在正八面體空隙中,故有50%的正八面體空隙填充陽離子。圖4中和的總數(shù)為3,的數(shù)目為4,晶胞中有8個圖示結構單元,則1個晶胞的質量為,1個晶胞的體積為,所以晶體密度為,解得。5.答案:(1);10(2)O;C有4個價電子且半徑較小,難以通過得到或失去電子達到穩(wěn)定結構(3)平面三角形;(或)(答案合理均可)(4)(5)分子間存在氫鍵,而分子間沒有氫鍵(6)①②91:6解析:(1)Ni的原子序數(shù)為28,在元素周期表中處于第10縱行,基態(tài)Ni原子的價電子軌道表達式為。(2)同周期主族元素從左至右,電負性依次增大,則C、N、O三種元素中電負性最大的是O元素。由于C有4個價電子且半徑較小,難以通過得到或失去電子達到穩(wěn)定結構,所以C在形成化合物時,其鍵型以共價鍵為主。(3)中陰離子為,中心原子N原子的成鍵電子對數(shù)為3,孤電子對數(shù)為,則N原子的價層電子對數(shù)為3,N原子采取雜化,則的空間構型是平面三角形;的價電子總數(shù)和原子總數(shù)均相等
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