三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制器

三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制器㈠概述

1、三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制器采用晶谷自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利技術(shù)，內(nèi)部為可靠性極高的三重互鎖設(shè)計(jì)。2、模塊采用微處理器智能控制，SMT貼片工藝，除了在輸入控制端設(shè)置硬件、軟件正反互鎖外，在強(qiáng)電輸出端也設(shè)置正反互鎖。在電機(jī)等感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)固態(tài)繼電器內(nèi)的可控硅由通態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)殛P(guān)斷時(shí)，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt加在可控硅兩端，如此值超過(guò)可控硅的換向dv/dt指標(biāo)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷，甚至關(guān)斷失敗。另外由于變頻器等電氣干擾原因也會(huì)導(dǎo)致可控硅該斷開(kāi)而未及時(shí)斷開(kāi)。此時(shí)雖然在輸入控制端的正反互鎖作用下，由A路切換到了B路，接通了B路的可控硅，但若A路的可控硅還未及時(shí)斷開(kāi)，將造成嚴(yán)重的模塊內(nèi)部直接短路故障，燒毀正反轉(zhuǎn)模塊。因此僅在輸入控制端設(shè)置正反互鎖是不夠的，并不能有效防止正反A、B兩路可控硅同時(shí)導(dǎo)通。3、模塊在強(qiáng)電輸出端也設(shè)置正反互鎖，當(dāng)撤消A路控制信號(hào)而A路可控硅該斷開(kāi)卻未及時(shí)斷開(kāi)時(shí)，B路可控硅即使有控制信號(hào)也不會(huì)立即接通，只有待A路完全斷開(kāi)后才接通B路，反之也然。4、模塊內(nèi)置輸入保護(hù)電路，在380Vac強(qiáng)電未接入的情況下，即使輸入端有控制信號(hào)也不會(huì)觸發(fā)可控硅導(dǎo)通。只有在主電路上電完成后，輸入端才正式開(kāi)始接受控制信號(hào)的指令。因?yàn)槿粝扔|發(fā)A路可控硅導(dǎo)通，再主電路上電，此時(shí)由于可控硅的電壓上升率特性，B路可控硅盡管沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)可能也會(huì)瞬間導(dǎo)通一下，造成模塊短路而燒毀。例如在主電路空氣開(kāi)關(guān)接觸不良時(shí)就會(huì)產(chǎn)生這種隱患。5、輸出端與輸入控制端采用光電隔離，內(nèi)部每一路可控硅內(nèi)置RC吸收回路，無(wú)需外接。6、模塊有兩只LED發(fā)光管顯示電機(jī)旋轉(zhuǎn)方向，另有LED電源指示。7、控制電壓12-24Vdc寬范圍，工作電流約25-45mA，其它電壓也可定制。輸入共陽(yáng)或共陰可隨意接線，控制電流約3mA。8、模塊有380V上電保護(hù)電路，無(wú)浪涌沖擊，抗干擾能力強(qiáng)。可控硅采用DCB陶瓷基板，電流規(guī)格為15A-90A。9、國(guó)家專利保護(hù)，仿制必究。

㈡繼電器負(fù)載輸出端電流等級(jí)及型號(hào)如下表：電流15A30A60A90A型號(hào)LSF-T4Z15DD2LSF-T4Z30DD2LSF-T4Z60DD2LSF-T4Z90DD2

㈤原理框圖和接線圖1、模塊主電源輸入上端應(yīng)安裝帶過(guò)流保護(hù)斷路器(空氣開(kāi)關(guān))，并且在必要時(shí)串接快速熔斷器(RD)。斷路器和熔斷器的額定電流可按電機(jī)額定電流的1.2-1.5倍選取，不必選取過(guò)大。2、模塊內(nèi)部每一路可控硅均內(nèi)置RC吸收回路和過(guò)壓保護(hù)電路，無(wú)需外接。3、三相兩控型內(nèi)置四路可控硅，其中第五路為導(dǎo)線直接接通，當(dāng)模塊關(guān)斷時(shí)，380Vac交流強(qiáng)電將仍然直接接入電動(dòng)機(jī)內(nèi)，敬請(qǐng)留意。4、控制輸入端A路和B路，當(dāng)兩路均無(wú)輸入或均有輸入時(shí)，模塊關(guān)斷主回路輸出。當(dāng)僅有A路控制輸入時(shí)，主回路輸出為U–V-W相序。當(dāng)僅有B路控制輸入時(shí)，主回路輸出為V-U-W相序。

注：A、B正反控制端與電源輸入端之間也為光電隔離，COM端和A-、B-端可以連接或不連接。使用時(shí)先接通12-24Vdc模塊工作電源輸入端，然后根據(jù)需要接通A+、A-使電機(jī)正轉(zhuǎn)，或接通B+、B-使電機(jī)反轉(zhuǎn)。

三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制模塊三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模塊

㈠概述1、三相電機(jī)正反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模塊采用晶谷自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利技術(shù)，內(nèi)部為可靠性極高的三重互鎖設(shè)計(jì)。有三相兩控型（內(nèi)置四路可控硅）、三相三控型（內(nèi)置五路可控硅）。2、模塊采用微處理器智能控制，SMT貼片工藝，除了在輸入控制端設(shè)置硬件、軟件正反互鎖外，在強(qiáng)電輸出端也設(shè)置正反互鎖。在電機(jī)等感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)固態(tài)繼電器內(nèi)的可控硅由通態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)殛P(guān)斷時(shí)，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt加在可控硅兩端，如此值超過(guò)可控硅的換向dv/dt指標(biāo)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷，甚至關(guān)斷失敗。另外由于變頻器等電氣干擾原因也會(huì)導(dǎo)致可控硅該斷開(kāi)而未及時(shí)斷開(kāi)。此時(shí)雖然在輸入控制端的正反互鎖作用下，由A路切換到了B路，接通了B路的可控硅，但若A路的可控硅還未及時(shí)斷開(kāi)，將造成嚴(yán)重的模塊內(nèi)部直接短路故障，燒毀正反轉(zhuǎn)模塊。因此僅在輸入控制端設(shè)置正反互鎖是不夠的，并不能有效防止正反A、B兩路可控硅同時(shí)導(dǎo)通。3、模塊在強(qiáng)電輸出端也設(shè)置正反互鎖，當(dāng)撤消A路控制信號(hào)而A路可控硅該斷開(kāi)卻未及時(shí)斷開(kāi)時(shí)，B路可控硅即使有控制信號(hào)也不會(huì)立即接通，只有待A路完全斷開(kāi)后才接通B路，反之也然。4、模塊內(nèi)置輸入保護(hù)電路，在380Vac強(qiáng)電未接入的情況下，即使輸入端有控制信號(hào)也不會(huì)觸發(fā)可控硅導(dǎo)通。只有在主電路上電完成后，輸入端才正式開(kāi)始接受控制信號(hào)的指令。因?yàn)槿粝扔|發(fā)A路可控硅導(dǎo)通，再主電路上電，此時(shí)由于可控硅的電壓上升率特性，B路可控硅盡管沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)可能也會(huì)瞬間導(dǎo)通一下，造成模塊短路而燒毀。例如在主電路空氣開(kāi)關(guān)接觸不良時(shí)就會(huì)產(chǎn)生這種隱患。5、輸出端與輸入控制端采用光電隔離，內(nèi)部每一路可控硅內(nèi)置RC吸收回路，無(wú)需外接。6、模塊有兩只LED發(fā)光管顯示電機(jī)旋轉(zhuǎn)方向，另有LED電源指示。7、控制電壓12-24Vdc寬范圍，工作電流約25-45mA，其它電壓也可定制。輸入共陽(yáng)或共陰可隨意接線，控制電流約3mA。8、模塊有380V上電保護(hù)電路，無(wú)浪涌沖擊，抗干擾能力強(qiáng)?？煽毓璨捎肈CB陶瓷基板，電流規(guī)格為15A-90A。9、國(guó)家專利保護(hù)，仿制必究。㈡繼電器負(fù)載輸出端電流等級(jí)及型號(hào)如下表：電流15A30A60A90A型號(hào)（三相兩控型）LSF-T4Z15DD2LSF-T4Z30DD2LSF-T4Z60DD2LSF-T4Z90DD2型號(hào)（三相三控型）LSF-T4Z15TD2LSF-T4Z30TD2LSF-T4Z60TD2㈤原理框圖和接線圖1、模塊主電源輸入上端應(yīng)安裝帶過(guò)流保護(hù)斷路器(空氣開(kāi)關(guān))，并且在必要時(shí)串接快速熔斷器(RD)。斷路器和熔斷器的額定電流可按電機(jī)額定電流的1.2-1.5倍選取，不必選取過(guò)大。2、模塊內(nèi)部每一路可控硅均內(nèi)置RC吸收回路和過(guò)壓保護(hù)電路，無(wú)需外接。3、三相兩控型內(nèi)置四路可控硅，其中第五路為導(dǎo)線直接接通，當(dāng)模塊關(guān)斷時(shí)，380Vac交流強(qiáng)電將仍然直接接入電動(dòng)機(jī)內(nèi)，敬請(qǐng)留意。4、三相三控型內(nèi)置五路可控硅，當(dāng)模塊關(guān)斷時(shí)，可