集成電路制造技術(shù)

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集成電路制造技術(shù)

——原理與工藝2教材與參考書、考核教材：王蔚《微電子制造技術(shù)----原理與工藝》（修訂版）電子工業(yè)出版社2013參考書：關(guān)旭東《硅集成電路工藝基礎(chǔ)》北京大學(xué)出版2003清華大學(xué)《集成電路工藝》多媒體教學(xué)課件2001StephenA.C.《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》電子工業(yè)出版社，2003考核方式：考勤20+作業(yè)10+考試（閉卷）70第0章緒論1.引言2、集成電路的歷史3.何為集成電路

4.微電子工藝特點(diǎn)與基本工藝流程

41、為什么要學(xué)習(xí)本課程？2、本課程內(nèi)容結(jié)構(gòu)？3、本課程學(xué)習(xí)目的？4、如何學(xué)習(xí)本課程？第0章緒論一、引言為什么要學(xué)習(xí)本課程？5集成電路應(yīng)用6半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)7我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在世界中的地位1、中國(guó)目前進(jìn)口第一多的商品不是原油，是芯片，一年進(jìn)口2500億美元。2、我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)處在世界的中下端，屬于集成電路消費(fèi)大國(guó)、制造大國(guó)，粗放型、高投入、低利潤(rùn)。3、缺少高端設(shè)計(jì)，設(shè)備主要被國(guó)外壟斷。4、集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)家的命脈，走到了危險(xiǎn)的邊緣，不能再繼續(xù)落后下去。81、集成電路定位

它是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，當(dāng)前和今后一段時(shí)期是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期。2、發(fā)展目標(biāo)

到2015年，集成電路產(chǎn)業(yè)銷售超3500億元。移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信等部分重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)接近國(guó)際一流水平。32/28納米（nm）制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，中高端封裝測(cè)試銷售收入占封裝測(cè)試業(yè)總收入比例達(dá)到30%以上，65-45nm關(guān)鍵設(shè)備和12英寸硅片等關(guān)鍵材料在生產(chǎn)線上得到應(yīng)用。

到2020年，全行業(yè)銷售收入年均增速超過(guò)20%，移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，16/14nm制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測(cè)試技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系。

到2030年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國(guó)際第一梯隊(duì)，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。

2014年6月，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》92014年6月，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》

3、主要任務(wù)和發(fā)展重點(diǎn)

加速發(fā)展集成電路制造業(yè)，加快45/40nm芯片產(chǎn)能擴(kuò)充，加緊32/28nm芯片生產(chǎn)線建設(shè)，加快立體工藝開發(fā)，推動(dòng)22/20nm、16/14nm芯片生產(chǎn)線建設(shè)。大力發(fā)展模擬及數(shù)模混合電路、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、高壓電路、射頻電路等特色專用工藝生產(chǎn)線；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料。4、保障措施

成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組，國(guó)務(wù)院副總理馬凱任組長(zhǎng)，工業(yè)化信息化部部長(zhǎng)苗圩任副組長(zhǎng)。設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金，已成功吸引了金融機(jī)構(gòu)、民營(yíng)企業(yè)等各方出資，募資已超1000億；已向紫光集團(tuán)投資合計(jì)300億元。加大金融支持力度。加大人才培養(yǎng)和引進(jìn)力度。

產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀-全球102018-2014全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模及增速1、2014年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3331億美元，同比增長(zhǎng)9%，為近四年增速之最。2、從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)看。制造業(yè)、IC設(shè)計(jì)業(yè)、封裝和測(cè)試業(yè)分別占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)業(yè)收入的50%、27%、和23%。3、從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)看。模擬芯片、處理器芯片、邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片2014年銷售額分別442.1億美元、622.1億美元、859.3億美元和786.1億美元，分別占全球集成電路市場(chǎng)份額的16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。技術(shù)現(xiàn)狀-全球年代1985年1988年1991年1994年1997年2000年集成度1M4M16M64M256M1G最小線寬1.250.80.60.50.350.18光刻技術(shù)光學(xué)曝光準(zhǔn)分子電子束電子束X射線（電子束）年代2001年2003年2005年2007年2009年2012年2014年最小線寬0.13um90nm65nm45nm32nm22nm14/16nmIntel首款14nm處理器——第五代Core處理器問(wèn)世（2015-1-6）第五代Core處理器平臺(tái)電晶體(Transistor)數(shù)量比第四代Core加35%，但尺寸卻縮減37%;此外，在3D圖像處理性能、影片轉(zhuǎn)碼速度、電池續(xù)航力、整體性能等評(píng)比項(xiàng)目，第五代Core處理器平臺(tái)都較前一代產(chǎn)品分別提升22%、50%、40%以及1.5小時(shí)的表現(xiàn)。12《集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書(2015版)》世界創(chuàng)新三大重點(diǎn)：一是14nmFinFET工藝芯片正式進(jìn)入市場(chǎng)，英特爾公司在22nm的FinFET結(jié)構(gòu)三柵晶體管技術(shù)及IBM和意法半導(dǎo)體公司的22nm制程節(jié)點(diǎn)中采用的FD-SOI全耗盡技術(shù)。二是3D-NAND存儲(chǔ)技術(shù)走向商用。三是可穿戴市場(chǎng)推動(dòng)無(wú)線充電技術(shù)走向成熟。無(wú)線充電技術(shù)已經(jīng)成為業(yè)界“搶攻”的重點(diǎn)。五大展望：一是產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增大，市場(chǎng)引領(lǐng)全球增長(zhǎng)。二是細(xì)分三業(yè)齊頭并進(jìn)，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)日趨合理。三是技術(shù)水平持續(xù)提升，國(guó)際差距逐步縮小。四是國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)力倍增，有望洗牌全球格局。五是政策環(huán)境日趨向好，基金引領(lǐng)投資熱潮。13產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀-中國(guó)2011-2014年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模及增長(zhǎng)情況1、2014年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入達(dá)3015.4億元，同比增長(zhǎng)20.2%，增速較2013年提高4個(gè)百分點(diǎn)。2、從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)看。2014年集成電路產(chǎn)業(yè)中，設(shè)計(jì)的銷售額為1047.4億元，同比增長(zhǎng)29.5%;芯片制造業(yè)銷售收額712.1億元，同比增長(zhǎng)18.5%;封裝測(cè)試業(yè)銷售額1255.9億元，同比增長(zhǎng)14.3%。3、通信和消費(fèi)電子是我國(guó)集成電路最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，合計(jì)共占整體市場(chǎng)的48.9%。計(jì)算機(jī)類集成電路市場(chǎng)份額進(jìn)一步下滑，同比下滑達(dá)13.28%。2015中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展十大趨勢(shì)1、中國(guó)IC市場(chǎng)仍將引領(lǐng)全球增長(zhǎng)。2014年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1萬(wàn)億元2、中國(guó)IC企業(yè)開始步入全球第一梯隊(duì)。海思2有望躋身全fablessTop10；紫光集團(tuán)收購(gòu)展訊和銳迪科，并獲得英特爾入股之后，成為國(guó)內(nèi)IC企業(yè)的巨頭；長(zhǎng)電科技聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、中芯國(guó)際子公司芯電上海共同出資收購(gòu)全球第四大半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)—新加坡星科金朋。3、產(chǎn)業(yè)基金引領(lǐng)IC產(chǎn)業(yè)投資熱潮。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金一期預(yù)計(jì)總規(guī)模已達(dá)1387.2億元，實(shí)現(xiàn)超募187.2億元，重點(diǎn)投資芯片制造業(yè)，未來(lái)10年將拉動(dòng)5萬(wàn)億元資金投入到芯片產(chǎn)業(yè)。4、中國(guó)將成為12寸IC生產(chǎn)線全球投資熱點(diǎn)區(qū)域。國(guó)內(nèi)中芯國(guó)際和華力微電子等代工廠急需擴(kuò)充產(chǎn)能，建設(shè)新的12寸晶圓廠。5、12寸晶圓將正式實(shí)現(xiàn)“MadeinChina”。6、中國(guó)集成電路制造工藝將躋身國(guó)際主流水平。目前國(guó)際主流制造工藝為28nm工藝，占據(jù)了約四成的市場(chǎng)份額，中芯國(guó)際的28nm制造工藝已經(jīng)量產(chǎn)。7、4G“中國(guó)芯”將取得重大突破。8、芯片國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程將在多行業(yè)取得突破2014年，國(guó)產(chǎn)芯片在多個(gè)行業(yè)應(yīng)用中取得了突破。9、智能終端與汽車電子仍將是推動(dòng)中國(guó)IC市場(chǎng)發(fā)展的主要?jiǎng)恿Α?0、趨勢(shì)十：IC行業(yè)的專利爭(zhēng)奪將愈加激烈。15產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀-重慶集成電路：2015年，我省十大新興產(chǎn)業(yè)首位，目前，已經(jīng)初具規(guī)模。

上世紀(jì)50年代，我國(guó)的集成電路正是從重慶開始起步，位于重慶研究所成功研制出國(guó)內(nèi)的第1片集成電路芯片，這個(gè)研究所正是位于南岸區(qū)的光電路上，光電路得名由此而來(lái)。

直到2004年前后，首先是臺(tái)灣茂德科技最終落戶重慶，建設(shè)集成電路芯片生產(chǎn)基地；隨后，市政府成立“811”領(lǐng)導(dǎo)小組和指揮部，在沙坪壩區(qū)西永建立微電子園區(qū)，重點(diǎn)扶持茂德，2006年茂德科技在渝成立全資子公司，渝德科技。

如今，渝德科技被中航集團(tuán)收購(gòu)，更名為中航微電子。我市已有西南集成電路、中航微電子、奧特斯集成電路基板、臺(tái)晶（重慶）電子、重慶石墨烯科技公司、SK海力士、中電24所、四聯(lián)微電子等集成電路生產(chǎn)和研發(fā)機(jī)構(gòu)，形成了設(shè)計(jì)-制造-封裝的完備產(chǎn)業(yè)鏈，重慶大學(xué)和重慶郵電大學(xué)成立了半導(dǎo)體學(xué)院培養(yǎng)集成電路人才。16本課程內(nèi)容結(jié)構(gòu)？集成電路制造技術(shù)—原理與工藝硅材料集成電路工藝集成和封裝測(cè)試第1單元第2、3、4單元第5單元1單晶硅結(jié)構(gòu)2硅錠及圓片制備3外延12金屬化與多層互連13工藝集成14測(cè)試封裝4氧化5擴(kuò)散6離子注入7CVD8PVD9光刻10現(xiàn)代光刻技術(shù)11刻蝕17本課程學(xué)習(xí)目的？1、掌握集成電路工藝設(shè)計(jì)、工藝集成流程。2、清楚各種工藝設(shè)備及各工藝環(huán)節(jié)。3、了解集成電路產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展。4、了解集成電路封裝和電學(xué)測(cè)試。18如何學(xué)習(xí)本課程？1、這是一門工程學(xué)科，不是理論基礎(chǔ)課程。2、更多關(guān)注領(lǐng)域前沿，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用學(xué)習(xí)。19

1833年，英國(guó)科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。

1874年，電報(bào)機(jī)、電話和無(wú)線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。

2、集成電路的歷史1947年：美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁、布拉頓、肖克萊三人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；

1950年：結(jié)型晶體管誕生1950年：

ROhl和肖克萊發(fā)明了離子注入工藝；1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明；1956年：CSFuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝。1956年三人共同獲得諾貝爾物理獎(jiǎng)

1958年：仙童公司RobertNoyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；1960年：HHLoor和ECastellani發(fā)明了光刻工藝；1962年：美國(guó)RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝

1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍1966年：美國(guó)RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門），為現(xiàn)如今的大規(guī)模集成電路發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，具有里程碑意義1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)；1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明；1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來(lái)臨；1979年：Intel推出5MHz8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC1985年：80386微處理器問(wèn)世，20MHz1988年：16MDRAM問(wèn)世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來(lái)50MHz芯片采用

0.8μm工藝1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm藝1995年-2003年：1995年，PentiumPro,133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；1997年：300MHz奔騰Ⅱ問(wèn)世，采用0.25μm工藝；1999年：奔騰Ⅲ問(wèn)世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝；2000年：1GbRAM投放市場(chǎng)；2000年：奔騰4問(wèn)世，1.5GHz，采用0.18μm工藝；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工；2003年：奔騰4E系列推出，采用90nm工藝2005年：intel酷睿2系列上市，采用65nm工藝2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2E7/E8/E9上市2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)

2012年：Intel發(fā)布代號(hào)為“IvyBridge”的第三代Corei系列，首次將CPU制作工藝提升到22nm。命名為Corei73770K。2014年：英特爾(Intel)首款14納米(nm)處理器--第五代酷睿(Core)正式問(wèn)世。2015年半導(dǎo)體業(yè)將邁入14/16納米制程世代，英特爾為搶占先機(jī)。253、何為集成電路工藝集成電路集成電路設(shè)計(jì)（包括：模擬電路設(shè)計(jì)、數(shù)字電路

設(shè)計(jì)）集成電路制造（包括：材料、清洗、摻雜、擴(kuò)散、薄膜、光刻、金屬互聯(lián)、刻蝕等）集成電路測(cè)試、封裝及應(yīng)用

（工藝檢測(cè)、芯片封裝、電學(xué)測(cè)試

可靠性分析等等）微電子產(chǎn)品：半導(dǎo)體分離器件和集成電路（90%）集成電路（integratedcircuit）：是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。集成電路工藝（微電子工藝）：

狹義講是指在半導(dǎo)體硅片上制造出集成電路或分立器件的芯片結(jié)構(gòu)，這20-30各工藝步驟的工作、方法和技術(shù)即為芯片制造工藝；廣義的講，包含半導(dǎo)體集成電路和分立器件芯片制造及測(cè)試封裝的工作、方法和技術(shù)。集成電路工藝是微電子學(xué)中最基礎(chǔ)、最主要的研究領(lǐng)域之一。

不同產(chǎn)品芯片的制造工藝就是將多個(gè)單項(xiàng)工藝按照需要以一定順序進(jìn)行排列，稱為該產(chǎn)品的工藝流程。27微電子工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程圖前工藝：微電子產(chǎn)品制造的特有工藝后工藝300mm（12英寸）waferCMOS結(jié)構(gòu)32超凈

環(huán)境、操作者、工藝三方面的超凈，如超凈室，ULSI在100級(jí)超凈室制作，超凈臺(tái)達(dá)10級(jí)。超純指所用材料方面，如襯底材料、功能性電子材料、水、氣等；

Si、Ge單晶純度達(dá)11個(gè)9。高技術(shù)含量設(shè)備先進(jìn)，技術(shù)先進(jìn)。高精度光刻圖形的最小線條尺寸在深亞微米量級(jí)，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級(jí)，而精度更在上述尺度之上。大批量，低成本圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)使之得以實(shí)現(xiàn)。集成電路制造技術(shù)特點(diǎn)-------超凈室

這些微小顆粒的主要問(wèn)題是在空氣中長(zhǎng)時(shí)間漂浮。而潔凈工作室的潔凈度就是由空氣中的微粒大小和微粒含量決定的。美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E規(guī)定空氣質(zhì)量由區(qū)域空氣級(jí)別數(shù)來(lái)決定的。標(biāo)準(zhǔn)按兩種方法設(shè)定，一是顆粒的大小，二是顆粒的密度。而級(jí)別數(shù)是指在一立方英尺中含有直徑為0.5微米或更大的顆?？倲?shù)。一般城市空氣中通常包含煙、霧、氣，每立方英尺多達(dá)500萬(wàn)個(gè)顆粒，所以是500萬(wàn)級(jí)。

超凈室35超凈環(huán)境（超凈間）

36超純材料1、超純的半導(dǎo)體材料，目前純度已達(dá)到99.99999999999%，即11個(gè)9，記為11N.2、功能性電子材料（如：Al、Au等金屬）、摻雜用氣體、外延氣體等必須是高純度材料。3、所用化學(xué)試劑、器皿、器具等的雜質(zhì)含量必須低。4、芯片清洗用水是高純度的去離子水，一般用電阻率來(lái)表示.超大規(guī)模集成電路純用水的電阻為18MΩ.cm，批量復(fù)制和廣泛的用途一、更大的晶圓片面積、更小尺寸晶體管。一直在追求高性價(jià)比：低成本、高質(zhì)量

集成電路工藝是高可靠、高精度、低成本、適合批量化大生產(chǎn)的工藝各項(xiàng)工藝技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)新的行業(yè)

MEMS和納米技術(shù)IC產(chǎn)業(yè)流程圖IC測(cè)試廠硅原料拉晶切割研磨清洗晶圓材料廠電路設(shè)計(jì)CADTapeout電路設(shè)計(jì)公司Reticle制作mask制作廠硅片投入刻號(hào)清洗氧化化學(xué)氣相沉積金屬濺鍍護(hù)層沉積蝕刻離子注入/擴(kuò)散光阻去除WAT測(cè)試微影(光阻)(曝光)(顯影)mask投入集成電路制造廠硅片針測(cè)IC測(cè)試BurninIC封裝廠封裝打線切割客戶IC制造流程芯片設(shè)計(jì)晶圓制造芯片封裝芯片測(cè)試芯片制造光罩制造上游：設(shè)計(jì)中游：制造下游：封測(cè)IC設(shè)計(jì)IC設(shè)計(jì)-EDA&IP（占IC產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值30%）EDAIPEDA技術(shù)是在電子CAD技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)，以計(jì)算機(jī)為工作平臺(tái)，融合了應(yīng)用電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、信息處理及智能化技術(shù)的最新成果，進(jìn)行電子產(chǎn)品的自動(dòng)設(shè)計(jì)。利用EDA工具，電子設(shè)計(jì)師可以從概念、算法、協(xié)議等開始設(shè)計(jì)電子系統(tǒng)，并將電子產(chǎn)品從電路設(shè)計(jì)、性能分析到設(shè)計(jì)出IC版圖或PCB版圖的整個(gè)過(guò)程的計(jì)算機(jī)上自動(dòng)處理完成。IP是一種知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IntellectualProperty），各個(gè)行業(yè)都有自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)域IP我們理解為：硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)（SiliconIntellectualProperty）也叫“SIP”或者“硅智財(cái)”。IP是一種事先定義、設(shè)計(jì)、經(jīng)驗(yàn)證、可重復(fù)使用的功能模塊。全球3萬(wàn)人從業(yè)人員，締造50億美元年產(chǎn)值----知識(shí)密集型行業(yè)，處于技術(shù)前沿年產(chǎn)值8億美元，成長(zhǎng)率超40%----知識(shí)密集型行業(yè)IC制造制造-光罩&晶圓（占IC產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值50%）MASKFoundry光罩（英文：Reticle,Mask）：在制作IC的過(guò)程中，利用光蝕刻技術(shù)，在半導(dǎo)體上形成圖型，為將圖型復(fù)制于晶圓上，必須透過(guò)光罩做用的原理[1]。比如沖洗照片時(shí)，利用底片將影像復(fù)制至相片上。製作一套光罩的費(fèi)用在數(shù)萬(wàn)美元至數(shù)百萬(wàn)美元均有。目前一款晶片至少需用到八層光罩，較為復(fù)雜的產(chǎn)品需用到二、三十層光罩。光罩?jǐn)?shù)愈多，生產(chǎn)過(guò)程也愈久。晶圓代工是指向?qū)I(yè)的集成電路設(shè)計(jì)公司提供專門的制造服務(wù)。這種經(jīng)營(yíng)模式使得設(shè)計(jì)公司不需要自己承擔(dān)造價(jià)昂貴的廠房，就能生產(chǎn)。這就意味著，晶圓代工商將龐大的建廠風(fēng)險(xiǎn)分?jǐn)偟綇V大的客戶群以及多樣化的產(chǎn)品上，從而集中開發(fā)更先進(jìn)的制造流程。資金密集型資金密集型知識(shí)密集型IC封測(cè)成品-封裝&測(cè)試（占IC產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值20%）TESTAssembly晶圓測(cè)試晶圓測(cè)試為IC后端的關(guān)鍵步驟，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被洮汰，以免徒增制造成本。具承先起后的作用。IC成品測(cè)試

封裝成型后的測(cè)試，目的是確認(rèn)IC成品的功能、速度、容忍度、電力消耗、熱力發(fā)散等屬性是否正常，以確保IC出貨前的品質(zhì)。IC封裝是將前段制程加工完成之晶圓經(jīng)切割、黏晶、焊線等過(guò)后被覆包裝材料，以保護(hù)IC組件及易于裝配應(yīng)用，IC封裝主要有四大功能：1、電力傳送2、訊號(hào)傳送：3、熱量去除4、靜電保護(hù)測(cè)試并不須投入原料，無(wú)原料成本，但因設(shè)備投資金額大，固定成本高。封裝業(yè)因設(shè)備投資金額不大，原料成本是制造成本的大宗，約占4-6成左右。2023/1/31siliconsubstratesourcedraingateoxideoxide絕緣氮化硅源的金屬接觸柵的金屬接觸漏的金屬接觸多晶硅柵場(chǎng)氧化層?xùn)叛趸瘜覯OS晶體管的立體結(jié)構(gòu)MOSFET的工藝流程簡(jiǎn)介2023/1/31（1）硅片清洗和打標(biāo)記siliconsubstrate2023/1/31siliconsubstrateoxidefieldoxide（2）氧化硅生長(zhǎng)（保護(hù)硅片和掩膜層）2023/1/31氧化2023/1/31siliconsubstrateoxidephotoresist（3）光刻工業(yè)用光刻機(jī)實(shí)驗(yàn)室用光刻機(jī)2023/1/31ShadowonphotoresistphotoresistExposedareaofphotoresistUltravioletLightsiliconsubstrateoxide2023/1/31非感光區(qū)域siliconsubstrate感光區(qū)域oxidephotoresist2023/1/31Shadowonphotoresistsiliconsubstrateoxidephotoresistphotoresist顯影（專門的溶液）2023/1/31siliconsubstrateoxideoxidesil