電力電子應(yīng)用技術(shù)-第二講半導(dǎo)體器件發(fā)展

中國半導(dǎo)體器件發(fā)展史國際半導(dǎo)體器件發(fā)展進(jìn)程分立器件發(fā)展階段（1956－1964）1956年，我國提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。同年，中國相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）。1959年，在天津拉制了硅（Si）單晶。1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所DD第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）。1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。1963年，河北半導(dǎo)體研究所研發(fā)了硅平面型晶體管。1964年，研發(fā)出硅外延平面型晶體管。

。IC初始發(fā)展階段（1965－1980）1965年，DTL型數(shù)字邏輯電路1966年，TTL型數(shù)字電路（文革開始）1975年，中國科學(xué)院109廠研制了ECL型(發(fā)射極藕合邏輯)電路1972年，中國第一塊PMOS型LST電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。之后又研制成CMOS電路。在此期間，集成電路一經(jīng)出現(xiàn)，隨著設(shè)備和工藝的不斷發(fā)展，集成度迅速提高。從小規(guī)模集成（SSI），經(jīng)過中規(guī)模集成（MSL），很快發(fā)展到大規(guī)模集成（LSI）。此時美國已進(jìn)入超大規(guī)模集成（VLSI）。在技術(shù)上中國都依靠自己的力量，只是從國外進(jìn)口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國外差距逐漸加大。在這期間美國和日本已先后進(jìn)入ＩＣ規(guī)模生產(chǎn)的階段。IC集中發(fā)展階段（1981－1995）1982年，提出“六五”期間要對半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。1982年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742廠）IC生產(chǎn)線建成驗(yàn)收投產(chǎn)，這是中國第一次從國外引進(jìn)集成電路技術(shù)。1986年，提出“七五”期間我國集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣5微米技術(shù)，開發(fā)3微米技術(shù)，進(jìn)行1微米技術(shù)科技攻關(guān)。在這期間美國和日本已先后進(jìn)入ＩＣ規(guī)模生產(chǎn)的階段，IC產(chǎn)量暴增，相關(guān)技術(shù)不斷成熟。中國與世界成熟技術(shù)的差距進(jìn)一步加大。IC快速發(fā)展階段（1996－2010）1995年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場為導(dǎo)向，以CAD為突破口，產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，以我為主，開展國際合作，強(qiáng)化投資，加強(qiáng)重點(diǎn)工程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入良性循環(huán)。1998年1月，中國華大集成電路設(shè)計(jì)中心向國內(nèi)外用戶推出了熊貓2000系統(tǒng)，這是我國自主開發(fā)的一套EDA系統(tǒng)，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要，可處理規(guī)模達(dá)百萬門級，支持高層次設(shè)計(jì)。1998年3月，由西安交通大學(xué)開元集團(tuán)微電子科技有限公司自行設(shè)計(jì)開發(fā)的我國第一個-CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功黃昆（1919-2005），世界著名物理學(xué)家、中國固體和半導(dǎo)體物理學(xué)奠基人之一、杰出教育家。受邀與波恩著《晶格動力學(xué)》，至今仍是該領(lǐng)域權(quán)威著作。提出“黃方程”和由此引伸的極化元的重要概念，對理論物理發(fā)展作出重要貢獻(xiàn)。1956年北大任教主持中國半導(dǎo)體物理專業(yè)的創(chuàng)建工作，著《固體物理學(xué)》為中國信息產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)第一批人才。1977年任科學(xué)院半導(dǎo)體所所長為中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的復(fù)蘇發(fā)揮重要作用。2001年獲國家最高科學(xué)技術(shù)獎。謝希德（1921-2000）著名固體物理學(xué)家、教育家、社會活動家、第三世界科學(xué)院院士。1946年畢業(yè)于廈門大學(xué)數(shù)理學(xué)系。后留學(xué)美國，獲麻省理工學(xué)院博士學(xué)位。1952年10月回國到復(fù)旦大學(xué)任教。中國半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開創(chuàng)者和奠基人，在表面和界面物理以及量子器件和異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子性質(zhì)理論研究方面成果突出。主要著作有《半導(dǎo)體物理學(xué)》、《固體物理學(xué)》、《群論及其在固體中的應(yīng)用》、《表面物理》等高鼎三（1912-2004）著名半導(dǎo)體物理與器件學(xué)家、微電子與光電子專家、吉林大學(xué)教授、中國工程院院士。1937年考入交通大學(xué)。1947年赴美國加利福尼亞大學(xué)留學(xué)。1955年回國，到東北人民大學(xué)（現(xiàn)吉林大學(xué)）任教。1959年他主持建立了全國第一個半導(dǎo)體系，成功研制了我國首個鍺功率器件，是我國半導(dǎo)體事業(yè)的開拓者。林蘭英（1918-2003）中國半導(dǎo)體材料之母。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員。長期從事半導(dǎo)體材料科學(xué)研究工作，是我國半導(dǎo)體科學(xué)事業(yè)開拓者之一。1940年畢業(yè)于福建協(xié)和大學(xué)（福建師范大學(xué)前身）物理系；1955年獲美國賓夕法尼亞大學(xué)博士學(xué)位。先后負(fù)責(zé)研制成我國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國微電子和光電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)；負(fù)責(zé)研制的高純度汽相和液相外延材料達(dá)到國際先水平。吳錫九業(yè)于麻省理工大學(xué)，碩士學(xué)位，是中國第一代晶體管、晶體管計(jì)算機(jī)和微型計(jì)算機(jī)的奠基人。目前為美中綠色能源促進(jìn)會主席。1958年，吳錫九與其團(tuán)隊(duì)成功研制和孕育出我國第一個晶體管1959年至1960年間，吳錫九又馬不停蹄地投入到“109”機(jī)研制和創(chuàng)辦“109”工廠工作中，最終“109”機(jī)獲得成功，成為當(dāng)時亞洲運(yùn)算速度最快的計(jì)算機(jī)，被譽(yù)為“功勛計(jì)算機(jī)”