半導體中雜質能級

半導體物理徐海濤2005-2006半導體中的電子能量狀態(tài)淺能級雜質GroupIIIandV提供載流子深能級雜質復合中心施主受主電子空穴Ec雜質能帶：半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)缺陷能級半導體中雜質和缺陷能級DefectTypeExamplesPointorZero-DimensionalDefectsVacancyDefectsInterstitialDefectsExtrinsicDefectsLineorOne-DimensionalDefectsStraightDislocations(edgeorscrew)DislocationLoopsAreaorTwo-DimensionalDefectsStackingFaultsTwinsGrainBoundariesVolumeorThree-DimensionalDefectsPrecipitatesVoids半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)半導體中雜質和缺陷能級PointDefects半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)半導體中雜質和缺陷能級點缺陷Frenkel缺陷：晶格中的一部分原子會獲得足夠的能量，擠入晶格原子間的間隙，形成間隙原子，原來的位置成為空位。Schottky缺陷：只在晶格中形成空位而無間隙原子。

晶體中空位比間隙原子多得多。(因為產生Schottky缺陷所需的能量較低）半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)空位：不飽和鍵，傾向于接受電子受主間隙原子：4個多余的價電子施主對于III-V族,

如GaAs，除了熱振動引起點缺陷外，還會由于Ga，As成分偏離正常的化學計量比（1:1），形成Ga，As空位。半導體中雜質和缺陷能級

對GroupIV的半導體而言

對II-VI族化合物(MX)而言M空位或X間隙原子———受主X空位或M間隙原子———施主半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)線缺陷:位錯(dislocation)位錯：刃位錯(edgedislocation)和螺位錯(screwdislocation)位錯對半導體材料的影響可具有施主或受主作用使晶格發(fā)生畸變，改變禁帶寬度。半導體中雜質和缺陷能級半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)位錯產生的一排多余原子是不飽和鍵，有一個不成對的電子若失去電子受主俘獲電子施主半導體中雜質和缺陷能級深能級半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)半導體中雜質和缺陷能級PhotoofaStackingFaultScrewdislocation半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)缺陷能級半導體中雜質和缺陷能級DefectTypeExamplesPointorZero-DimensionalDefectsVacancyDefectsInterstitialDefectsFrenkelDefectsExtrinsicDefectsLineorOne-DimensionalDefectsStraightDislocations(edgeorscrew)DislocationLoopsAreaorTwo-DimensionalDefectsStackingFaultsTwinsGrainBoundariesVolumeorThree-DimensionalDefectsPrecipitatesVoids半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)Quiz

1.請指出以下這兩張圖的錯誤，并說出原因。半導體中雜質和缺陷能級半導體物理半導體中的電子能量狀態(tài)2。請畫出Au在Si中的化學鍵示意圖，并指出Au+Au0Au-Au2-Au3-時的情況。3。請翻閱資料，指出Si中常見缺陷的在禁帶中的能級第二章半導體中的電子能量狀態(tài)半導體的晶格結構和結合性質-->§1.1半導體中的電子狀態(tài)和能帶-->§1.2半導體中電子的運動和有效質量-->§1.3-1.4

回旋共振-->§1.5半導體的能帶結構-->§1.6-1.8半