標準解讀
《GB/T 11072-2009 銻化銦多晶、單晶及切割片》相比《GB/T 11072-1989 銻化銦多晶、單晶及切割片》,主要在以下幾個方面進行了更新和調整:
-
技術指標的修訂:新版標準對銻化銦材料的物理性能、化學成分、結構缺陷等技術指標進行了細化和優(yōu)化,以適應近年來半導體技術的發(fā)展需求,提高了材料的質量控制要求。
-
測試方法的改進:引入了更先進的檢測技術和分析方法,對多晶、單晶及切割片的表征和測試手段進行了升級,確保測試結果的準確性和可重復性。例如,可能包括了更精密的光譜分析、顯微鏡觀測技術等。
-
規(guī)范性引用文件更新:由于科學技術的進步,相關的國際和國內標準也有所更新。2009版標準對引用的其他標準和規(guī)范進行了全面審查和更新,確保與當前的標準化體系保持一致。
-
增加了環(huán)境保護和安全要求:考慮到生產過程中的環(huán)保和操作人員安全,新標準可能加入了關于材料處理、廢棄物處置及工作環(huán)境的安全規(guī)定,體現(xiàn)了可持續(xù)發(fā)展和安全生產的理念。
-
術語和定義的完善:為了提高標準的清晰度和適用性,對一些專業(yè)術語和定義進行了修訂或新增,使得行業(yè)內外的交流更加準確無誤。
-
產品分類和分級的調整:根據(jù)市場和技術進步的需求,對銻化銦材料的產品分類和質量等級進行了重新劃分,為用戶提供更明確的選擇依據(jù),滿足不同應用領域的需求。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實施
下載本文檔
文檔簡介
犐犆犛29.045
犎83
中華人民共和國國家標準
犌犅/犜11072—2009
代替GB/T11072—1989
銻化銦多晶、單晶及切割片
犐狀犱犻狌犿犪狀狋犻犿狅狀犻犱犲狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾,狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊
20091030發(fā)布20100601實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局
發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
書
犌犅/犜11072—2009
前言
本標準代替GB/T11072—1989《銻化銦多晶、單晶及切割片》。
本標準與GB/T11072—1989相比,主要有如下變化:
———將原標準中直徑10mm~50mm全部改為10mm~200mm;
———在原標準的基礎上增加了直徑>50mm,厚度不小于1200μm,厚度偏差±40μm;
———將原標準中位錯密度級別1、2、3中直徑≥30mm~50mm全部改為≥30mm~200mm;
———在原標準的基礎上增加了直徑為100mm、150mm、200mm的切割片直徑、參考面長度及其
偏差;
———將原標準中的附錄A去掉,增加引用標準GB/T11297;
———增加了“訂貨單(或合同)內容”一章內容。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。
本標準主要起草人:王炎、何蘭英、張梅。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB/T11072—1989。
Ⅰ
書
犌犅/犜11072—2009
銻化銦多晶、單晶及切割片
1范圍
1.1本標準規(guī)定了銻化銦多晶、單晶及單晶切割片的產品分類、技術要求和試驗方法等。
1.2本標準適用于區(qū)熔法制備的銻化銦多晶及直拉法制備的供制作紅外探測器和磁敏元件等用的銻
化銦多晶、單晶及切割片。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。
GB/T4326非本征半導體晶體霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T8759化合物半導體單晶晶向X衍射測量方法
GB/T11297銻化銦單晶位錯蝕坑的腐蝕顯示及測量方法
3產品分類
3.1導電類型、規(guī)格
3.1.1多晶
多晶的導電類型為n型,按載流子遷移率分為三級。
3.1.2單晶
銻化銦單晶按導電類型分為n型和p型,以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類,按直徑與位錯密度
分為三級。
3.1.3切割片
按3.1.2分類與分級,其厚度不小于500μm。
3.2牌號
3.2.1銻化銦多晶與單晶的牌號表示為:
InSb——
3
2
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