標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11499-2001 半導(dǎo)體分立器件文字符號》相比于《GB 11499-1989》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)變化：從原來的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T），意味著新版標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施不再是強(qiáng)制要求，而是為行業(yè)提供指導(dǎo)和推薦。

  2. 適用范圍擴(kuò)展：新標(biāo)準(zhǔn)可能根據(jù)半導(dǎo)體分立器件技術(shù)的發(fā)展，擴(kuò)展了文字符號的覆蓋范圍，納入了更多新型器件的標(biāo)識規(guī)則，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和市場需求。

  3. 符號體系優(yōu)化：對原有的文字符號體系進(jìn)行了修訂和優(yōu)化，可能包括新增、刪除或修改了一些符號，以更準(zhǔn)確、清晰地表示半導(dǎo)體分立器件的功能和特性，提高了信息傳遞的效率和準(zhǔn)確性。

  4. 定義和術(shù)語更新：隨著技術(shù)發(fā)展，一些術(shù)語和定義可能已發(fā)生變化。新標(biāo)準(zhǔn)對此進(jìn)行了更新，確保與當(dāng)前行業(yè)實(shí)踐保持一致，便于技術(shù)人員準(zhǔn)確理解和使用。

  5. 圖示說明改進(jìn)：可能增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)中的圖示和實(shí)例說明，使得文字符號的應(yīng)用實(shí)例更加直觀易懂，便于使用者快速掌握和應(yīng)用。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)化一致性：為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌，新標(biāo)準(zhǔn)可能對部分內(nèi)容進(jìn)行了調(diào)整，以增強(qiáng)與國際電工委員會(IEC)等國際組織發(fā)布的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的一致性和兼容性。

  7. 編輯性修改：除了實(shí)質(zhì)內(nèi)容的更新，還可能包括了對標(biāo)準(zhǔn)文本的格式、表述清晰度等方面的編輯性修改，提高了標(biāo)準(zhǔn)文檔的可讀性和規(guī)范性。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2001-11-05 頒布
  • 2002-06-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號_第1頁
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號_第2頁
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號_第3頁
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號_第4頁
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號_第5頁
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文檔簡介

ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11499-一2001半導(dǎo)體分立器件文字符號Lettersymbolsfordiscretesemiconductordevices2001-11-05發(fā)布2002-06-01實(shí)施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T11499—2001目次前言1范圍總則整流二極管4信號二極管(包括開關(guān)二極管)和調(diào)整二極管.5射頻二極管…光電子器件…………1閘流晶體管……8雙極品體管……9絕緣柵雙極晶體管(IGBT)10場效應(yīng)品體管其他半導(dǎo)體器件

GB/T11499—2001前本標(biāo)準(zhǔn)參照了下列國際標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)文字符號的內(nèi)容，對GB/T11499-—1989進(jìn)行修訂：IEC60747半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路IEC60747-1:1983第1部分總則IEC60747-1:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-1:1993第二次補(bǔ)充IEC60747-1:1996第三次補(bǔ)充IEC60747-2：2000第2部分整流二極管IEC60747-3:1985第3部分信號二極管（包括開關(guān)二極管)和調(diào)整二極管IEC60747-3:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-3:1993第二次補(bǔ)充IEC60747-4:1991第4部分微波器件IEC60747-4:1993第一次補(bǔ)充IEC60747-4:1999第二次補(bǔ)充IEC60747-5:1992第5部分光電子器件IEC60747-5:1994第一次補(bǔ)充IEC60747-5:1995第二次補(bǔ)充IEC60747-6:1983第6部分閘流品體管IEC60747-6:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-6:1994第二次補(bǔ)充IEC60747-7:1988第7部分雙極品體管IEC60747-7:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-7：1994第二次補(bǔ)充IEC60747-8:1984第8部分場效應(yīng)品體管IEC60747-8:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-8:1993第二次補(bǔ)充IEC60747-9:1998第9部分絕緣柵雙極品體管本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)的主要差別是-原標(biāo)準(zhǔn)全文中“功率耗散”都改為"耗散功率”；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.1.1.2大寫基本字母"；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.1.3電流、電壓和功率文字符號規(guī)則匯總表”；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.3其他量的文字符號"；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.4其他參數(shù)”中的部分內(nèi)容：刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中"6.2.2.2其他”中的部分內(nèi)容：補(bǔ)補(bǔ)充了"2.1.5電流、電壓極性標(biāo)記”；補(bǔ)充了“2.5用分貝（dB)表示的以對數(shù)形式為單位的信號比的文字符號"：補(bǔ)充了"6.1.1開關(guān)時間”；補(bǔ)充了“第9章絕緣柵雙極品體管”.

GB/T11499-2001本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,代替GB/T11499—1989《半導(dǎo)體分立器件文字符號》。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由河北半導(dǎo)體研究所負(fù)責(zé)修訂。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：崔波、顧振球、陳海暮本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布時間：1989年3月31日

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號代替GB/T11499-1989Lettersymbolsfordiscretesemiconductordeviees1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體分立器件主要的文字符號本標(biāo)準(zhǔn)適用于編寫半導(dǎo)體分立器件有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和有關(guān)技術(shù)資料，2總則2.1電流、電壓和電功率的文字符號2.1.1基本字母推薦的基本字母有：1,i——電流U,或V.u-電壓P,——功率2.1.1.1大寫基本字母的使用大寫基本字母用來表示量的恒定值或從量的周期性波形中得到的值：a）直流值；b）最大(峰)值;）平均值；d）方均根值：）峰峰(擺幅)值2.1.1.2小寫基本字母的使用小寫基本字母用來表示量的周期性波形的瞬態(tài)值2.1.2下標(biāo)2.1.2.1推薦的通用下標(biāo)第一下標(biāo)：F，f——正向-噪聲R.r--反向其他下標(biāo)：AV）-平均值(BR）擊穿(Cr）·cr-——臨界CD—-直

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