GB/T 24366-2009通信用光電探測(cè)器組件技術(shù)要求

犐犆犛３３．１８０．０１

犕３３

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２４３６６—２００９

通信用光電探測(cè)器組件技術(shù)要求

犜犲犮犺狀犻犮犪犾狉犲狇狌犻狉犲犿犲狀狋狊狅犳狅狆狋狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮犱犲狋犲犮狋狅狉犿狅犱狌犾犲犳狅狉犮狅犿犿狌狀犻犮犪狋犻狅狀

２００９０９３０發(fā)布２００９１２０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜２４３６６—２００９

前言

《通信用光電探測(cè)器組件》系列標(biāo)準(zhǔn)包括：

———《通信用光電探測(cè)器組件測(cè)試方法》；

———《通信用光電探測(cè)器組件技術(shù)要求》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ２４３６５《通信用光電探測(cè)器組件測(cè)試方法》配套使用。

本標(biāo)準(zhǔn)在編制的過(guò)程中，參照了ＩＥＣ６２００７１：１９９９《光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件第１部分：基本

額定值和特性》的第６部分和第７部分，并結(jié)合我國(guó)光通信用光探測(cè)器組件的情況而制定。

本標(biāo)準(zhǔn)在起草過(guò)程中，注意到與下列標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)一致：

———ＧＢ／Ｔ１５６５１．２—２００３《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第５２部分：光電子器件基本額定值

和特性》；

———ＧＢ／Ｔ１８９０４．４—２００２《半導(dǎo)體器件第１２４部分：光電子器件纖維光學(xué)系統(tǒng)或子系統(tǒng)用

帶／不帶尾纖的ｐｉｎＦＥＴ模塊空白詳細(xì)規(guī)范》；

———ＧＢ／Ｔ１８９０４．５—２００３《半導(dǎo)體器件第１２５部分：光電子器件纖維光學(xué)系統(tǒng)或子系統(tǒng)用

帶／不帶尾纖的ｐｉｎ光電二極管空白詳細(xì)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)》。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)會(huì)協(xié)會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：武漢郵電科學(xué)研究院、深圳新飛通光電子技術(shù)有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：楊現(xiàn)文、李世瑜、孟湘、李春芳、鎮(zhèn)磊。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４３６６—２００９

通信用光電探測(cè)器組件技術(shù)要求

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了通信用光電探測(cè)器組件的技術(shù)要求。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于數(shù)字應(yīng)用光通信系統(tǒng)以及模擬應(yīng)用光通信系統(tǒng)中的光電探測(cè)器組件。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１１４９９—２００１半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)

ＧＢ／Ｔ１５６５１．２—２００３半導(dǎo)體分立器件和集成電路第５２部分：光電子器件基本額定值和

特性

ＳＪ／Ｔ１１３６３—２００６電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的限量要求

ＩＴＵＴＧ．６５７（２００６）接入網(wǎng)使用的彎曲損耗不敏感的單模光纖和光纜的特性

ＩＴＵＴＧ．９５７（２００６）與同步數(shù)字體系有關(guān)的設(shè)備和系統(tǒng)的光接口

３術(shù)語(yǔ)和定義、縮略語(yǔ)

３．１術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１．１

犗犕犃加壓靈敏度狊狋狉犲狊狊犲犱狉犲犮犲犻狏犲狉狊犲狀狊犻狋犻狏犻狋狔犻狀犗犕犃

在規(guī)定調(diào)制速率和規(guī)定的正弦抖動(dòng)加壓條件下，并滿足隨機(jī)比特差錯(cuò)率要求時(shí)，光接收機(jī)在Ｒ點(diǎn)

（見(jiàn)ＩＴＵＴＧ．９５７圖１）所能接收到的最小光調(diào)制幅度ＯＭＡ。它考慮了在應(yīng)用條件下，光接收機(jī)所具

有并允許的最壞消光比、脈沖上升和下降時(shí)間、光發(fā)射側(cè)的光回?fù)p，連接器性能劣化和測(cè)試容差所引起

的功率代價(jià)。

３．１．２

擊穿電壓犫狉犲犪犽犱狅狑狀狏狅犾狋犪犵犲

輸入光功率等于零，逐漸增加ＡＰＤ的反向偏壓，暗電流隨之增大，當(dāng)暗電流達(dá)到１０μＡ（或１００μＡ）

時(shí)所對(duì)應(yīng)的反向偏壓稱為ＡＰＤ的擊穿電壓。

３．１．３

光電倍增因子犿狌犾狋犻狆犾犻犮犪狋犻狅狀犳犪犮狋狅狉

ＡＰＤ在規(guī)定溫度、光波長(zhǎng)、光功率和反向偏壓下，有培增時(shí)的光電流犐Ｌ與無(wú)倍增時(shí)光電流犐ＬＯ之比。

３．１．４

頻響平坦度犳狉犲狇狌犲狀犮狔狉犲狊狆狅狀狊犲犳犾犪狋狀犲狊狊