標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 11685-2003 半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量方法》相比于早期的標(biāo)準(zhǔn)《GB 8992-1988》與《GB 11685-1989》,主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:
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適用范圍擴(kuò)展:新標(biāo)準(zhǔn)不僅涵蓋了半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)的測量方法,還納入了半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量要求,提供了更全面的指導(dǎo)。
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技術(shù)內(nèi)容更新:隨著技術(shù)進(jìn)步,新標(biāo)準(zhǔn)引入了更先進(jìn)的測量技術(shù)和分析方法,對探測器性能如能量分辨率、計數(shù)率特性、線性度、穩(wěn)定性和響應(yīng)時間等指標(biāo)的測試方法進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定,以適應(yīng)現(xiàn)代半導(dǎo)體探測器的高精度需求。
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測試條件明確化:標(biāo)準(zhǔn)中對測試環(huán)境、參考輻射源的選擇、校準(zhǔn)程序以及數(shù)據(jù)處理方法給出了更具體的規(guī)定,確保不同實驗室間測試結(jié)果的可比性和重復(fù)性。
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性能評價標(biāo)準(zhǔn)細(xì)化:對于各項性能指標(biāo),新標(biāo)準(zhǔn)明確了具體的評價準(zhǔn)則和接受范圍,為產(chǎn)品質(zhì)量控制提供了更為嚴(yán)格和量化的依據(jù)。
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安全規(guī)范增強(qiáng):考慮到X射線使用的安全性,新標(biāo)準(zhǔn)加強(qiáng)了在測量過程中對操作人員的保護(hù)措施和輻射防護(hù)要求,確保實驗操作符合國家的安全法規(guī)。
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術(shù)語和定義更新:為了與國際接軌并反映技術(shù)發(fā)展,標(biāo)準(zhǔn)中對關(guān)鍵術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂,使其更加準(zhǔn)確和通用。
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標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化:新標(biāo)準(zhǔn)在編排上更為系統(tǒng)和邏輯清晰,便于用戶查閱和執(zhí)行,提高了標(biāo)準(zhǔn)的實用性和易用性。
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- 2003-07-07 頒布
- 2004-01-01 實施
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GB/T 11685-2003半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量方法-免費下載試讀頁文檔簡介
ICS27.120.01F80中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11685-2003代替GB/T8992--1988.GB/T11685-—1989半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量方法MeasurementproceduresforsemiconductorX-raydetectorsystemandsemiconductorX-rayenergyspectrometers2003-07-07發(fā)布2004-01-01實施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局
GB/T11685-2003三前言1范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語和定義4符號5一般原則5.1被測對象及其性能特性5.2測量設(shè)備5.3測量系統(tǒng)5.4測量條件5.5測量要求6能量分辨率和能譜畸變6.1概述6.2電噪聲的測量6.3作為放大器時間常數(shù)函數(shù)的噪聲線寬6.46.5峰谷比和峰尾比……積分非線性……………·7二7.1脈沖幅度分析法7.2128計數(shù)率效應(yīng)……128.2能譜畸變…………8.3譜峰位偏移·……………·…·…·8.4譜的能量分辨率和譜線形狀8.5峰計數(shù)損失…9電壓變化影響、溫度效應(yīng)和長時間不穩(wěn)定性9.19.2交流供電電壓變化的影響·9.3溫度效應(yīng)…………16長時間不穩(wěn)定性9.41010.1概述10.2利用玻璃熒光源測量窗衰減(對能量低于5keV的X射線的推薦方法)……高能區(qū)效率測量10.311過載效應(yīng)11.1概述主放大器增益的恢復(fù)時間11.228
GB/T11685-2003附錄A(資料性附錄)從X能量分辨率計算電噪聲近似值的方法參考文獻(xiàn)2圖1被測特性的基本測量系統(tǒng)圖2典型的噪聲測量脈沖幅度譜圖3用用示波器和均方根電壓表測噪聲的測量系統(tǒng)圖4線性的測量和表示………圖5對計數(shù)率效應(yīng)造成譜畸變的測量系統(tǒng)圖6死時間為的系統(tǒng)的輸出計數(shù)率!和輸入計數(shù)率的關(guān)系圖7用單道分析器測量計數(shù)率損失的測量系統(tǒng)·…圖8作為快速放大器計數(shù)率田數(shù)所分析的錳K,和K,峰中的計數(shù)率圖9溫度效應(yīng)的測量系統(tǒng)(以能譜儀為例)圖10窗厚度測量裝置(部面)示意圖圖11環(huán)型*FeX射線放射源………圖12用8m鍍窗探測器測得的譜19圖13用132m皺窗探測器測得的譜圖14典型的扣除本底的譜線圖…圖15窗指標(biāo)W。與窗厚關(guān)系典型特征圖…21圖16uAm放射源低能?射線和X射線能譜圖22圖17高能區(qū)的相對效率曲線…………22圖18過載脈沖后增益恢復(fù)的例子23表1參考條件和標(biāo)準(zhǔn)試驗條件表2測量常用放射源·…….表3標(biāo)準(zhǔn)玻璃的組分(質(zhì)量分?jǐn)?shù))17表4“Fe放射源激發(fā)標(biāo)準(zhǔn)玻璃得到的特征X射線表524Am的衰變數(shù)據(jù)
GB/T11685-2003本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T8992一1988(硅(鋰)X射線探測器系統(tǒng)測量方法》和GB/T11685—1989《半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量方法》的合并和修訂。GB/T8992-1988和GB/T11685—1989均是非等效采用IEC60759:1983(見參考文獻(xiàn)1)編制的。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T8992-1988和GB/T11685-1989本標(biāo)準(zhǔn)包括半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量方法。由于探測器系統(tǒng)的輔出必須通過主放大器輸人多道分析器.然后在多道分析器上獲取X射線能譜方能觀察和確定其性能特性.所以探測器系統(tǒng)和能譜儀基本上采用相同的測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)既保留了GB/T11685—1989的完整性和GB/T8992—1988的可操作性.又通過有機(jī)地捏合,將兩項標(biāo)準(zhǔn)合并為統(tǒng)一的新版本。本標(biāo)準(zhǔn)對GB/T8992—1988和GB/T11685—1989的主要修改如下;。)對半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)的測量不限于硅(鋰)X射線探測器系統(tǒng);b對半導(dǎo)體X射線能譜儀,測量的是多道分析器上能譜(全能峰及峰位或譜線)的性能特性:)第3章的“術(shù)語和定義"按物理意義和邏輯關(guān)系排列,增加了"半導(dǎo)體探測器”、"半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)”和“主放大器"等術(shù)語,修改了“窗"、"基線"、"工作距離”等術(shù)語.刪去了"門"、“模擬一數(shù)字變換器”等簡單明了的術(shù)語;參考IEC60759增加了第11章“過載效應(yīng)“;修改了少量符號.例如.多道分析器的道數(shù)(道址)用m.而不用N或X:)擴(kuò)展和充實了第5章"一般原則”的內(nèi)容.而測量要求(原基本要求)僅是其中的一條:-規(guī)范了"被測對象"、"測量設(shè)備"和“測量系統(tǒng)”的概念;列出了主要被測的性能特性:規(guī)定了測量的條件(包括環(huán)境條件和放射源等)-指出了探測器系統(tǒng)和能譜儀采用相同的測量方法以及細(xì)節(jié)上的差異將“從X能量分瓣率計算電燥聲的近似值”的內(nèi)容由正文調(diào)整為附錄A;h)規(guī)范了章條的標(biāo)題和內(nèi)容.例如,將第7章的標(biāo)題由“脈沖幅度線性”直接改為“積分非線性”第9章的標(biāo)題由“脈沖幅度穩(wěn)定性”改為“電壓變化影響”、"溫度效應(yīng)"和“長時間不穩(wěn)定性”;內(nèi)提高本標(biāo)準(zhǔn)的可操作性·適應(yīng)新技術(shù)的發(fā)展·測量中一般給出通用方法·特別具體的方法則用示例的形式給出:格式按(B/T1.1—2000等標(biāo)準(zhǔn)的要求編寫,在一些條中增加了子條標(biāo)題,將圖和表集中到正文的后面本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出本標(biāo)準(zhǔn)由核工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:核工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:熊正降。
GB/T11685-2003半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測量方法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀主要特性的測量方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體X射線探測器系統(tǒng)和半導(dǎo)體入射線能譜儀主要性能的測量。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T4079—1994用于電離輻射探測器的放大器和電荷靈敏前置放大器的測試方法(GB/T4079-1994.neqlEC61151:1992.Nuclearinstrumentation-Amplifiersandpreamplifiersusedwithdetectorofionizingradiation-Testprocedures)GB/T4960.6—1996核科學(xué)技術(shù)術(shù)語核儀器儀表(GB/T4960.6—1996.neqIEC60050(IEV50),InternationalElectrotechnicalVocabulary,Chapter391~394)術(shù)語和定義GB/T4960.6確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體探測器semiconductordetector通常利用核輻射在半導(dǎo)體中產(chǎn)生的過剩自由電荷載流子的運動來探測入射輻射的探測器「GB/T4960.6-1996的2.4.1?。罕緲?biāo)準(zhǔn)中的術(shù)語“探測器“若無特別說明均指半導(dǎo)體探測器3.2死層(半導(dǎo)體探測器的)deadlayer(ofsemiconductordetector)半導(dǎo)體探測器中的一個層.粒子在該層內(nèi)損失的能量的大部分對形成的信號無貢獻(xiàn)[GB/T4960.6-1996的2.4.2673.3窗(探測器的)window(ofdetector)探測器中便于讓被測輻射穿透過去的部分LGB/T4960.6-1996的2
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