GB/T 14844-2018半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14844—2018

代替

GB/T14844—1993

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

Designationsofsemiconductormaterials

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T14844—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法與相比主要技術(shù)

GB/T14844—1993《》,GB/T14844—1993

變化如下

:

修改了范圍中本標(biāo)準(zhǔn)適用性的描述見(jiàn)第章年版的第章

———(1,19931);

將原中生產(chǎn)方法和用途分成兩項(xiàng)并對(duì)牌號(hào)表示方法排序進(jìn)行調(diào)整名稱(chēng)為第一項(xiàng)生

———3.1.1,,,

產(chǎn)方法為第二項(xiàng)見(jiàn)年版的

(3.1.1,19933.1);

刪除了多晶生產(chǎn)方法中的鑄造法增加了表示三氯氫硅法表示硅烷法流化床

———“”,“T”、“S”、“F

法和其他生產(chǎn)方法表示形式參照以上方法進(jìn)行見(jiàn)年版的

”“”(3.1.3,19933.1.1);

修改了表示塊狀為表示塊狀并增加了表示顆粒狀和其他多晶形狀表示形式

———“N”“C”,“G”“

參照以上方法進(jìn)行見(jiàn)年版的

”(3.1.4,19933.1.3);

增加了表示電子級(jí)用途和表示太陽(yáng)能級(jí)用途見(jiàn)

———“E”“S”(3.1.6);

調(diào)整了單晶牌號(hào)表示方法排序見(jiàn)年版的

———(3.2.1,19933.2);

增加了示例如硅單晶砷化鎵單晶碳化硅單晶鍺單晶銻化銦單晶磷

———“Si、GaAs、SiC、Ge、InSb、

化鎵單晶和磷化銦單晶等見(jiàn)

GaPInP”(3.2.2);

增加了表示鑄錠法見(jiàn)

———“C”(3.2.3);

增加了導(dǎo)電類(lèi)型示例例如型導(dǎo)電類(lèi)型摻雜元素有磷銻砷型導(dǎo)電類(lèi)型摻雜元

———“NP、Sb、As,P

素有硼區(qū)熔氣相摻雜用表示等見(jiàn)

B,FGD”(3.2.4);

增加了示例例如晶向和等見(jiàn)

———“<111>、<100><110>”(3.2.5);

增加了示例如硅片砷化鎵片碳化硅片鍺片銻化銦片磷化鎵片

———“Si、GaAs、SiC、Ge、InSb、GaP

和磷化銦片等見(jiàn)

InP”(3.3.2);

增加了表示太陽(yáng)能切割片見(jiàn)

———“SCW”(3.3.4);

調(diào)整了外延片牌號(hào)表示方法排序見(jiàn)年版的

———(3.4.1,19933.4);

增加了示例如硅外延片砷化鎵外延片碳化硅外延片鍺外延片銻化銦外

———“Si、GaAs、SiC、Ge、

延片磷化鎵外延片和磷化銦外延片等見(jiàn)

InSb、GaPInP”(3.4.2);

增加了牌號(hào)中字母表示方法見(jiàn)附錄

———(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有研半導(dǎo)體材料有限公

:、、

司浙江海納半導(dǎo)體有限公司東莞中鎵半導(dǎo)體科技有限公司南京國(guó)盛電子有限公司江蘇中能硅業(yè)科

、、、、

技發(fā)展有限公司蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樓春蘭毛衛(wèi)中楊素心汪新華鄒劍秋孫燕潘金平劉曉霞馬林寶宮龍飛

:、、、、、、、、、、

張雪囡丁曉民賀東江

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14844—1993。

Ⅰ

GB/T14844—2018

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體多晶單晶晶片外延片等產(chǎn)品的牌號(hào)表示方法

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體多晶單晶晶片外延片等產(chǎn)品的牌號(hào)表示其他半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示可參照

、、、,

執(zhí)行

。

2牌號(hào)分類(lèi)

按照晶體結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品形狀半導(dǎo)體材料牌號(hào)分為多晶單晶晶片和外延片四類(lèi)牌號(hào)中涉及的字母

,、、,

含義參見(jiàn)附錄

A。

3牌號(hào)表示方法

31多晶牌號(hào)

.

311多晶的牌號(hào)表示為

..:

P----

5

4

3

2

1

其中

:

分別代表牌號(hào)的第一項(xiàng)至第五項(xiàng)

1、2、3、4、5。

312牌號(hào)的第一項(xiàng)中第位表示多晶后幾位用分子式表示多晶名稱(chēng)如硅鍺等

..1P,,Si、Ge。

313牌號(hào)的第二項(xiàng)表示多晶的生產(chǎn)方法用英文第一個(gè)字母的大寫(xiě)形式表示其中

..,,:

表示三氯氫硅法

a)T;

表示硅烷法

b)S;

表示還原法

c)R