GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１５５４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１５５４—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５《硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５相比，主要有如下變化：

———增加了“本方法也適用于硅單晶片”；

———增加了“術語和定義”、“干擾因素”章；

———第４章最后一句將“用肉眼和金相顯微鏡進行觀察”修改為“用目視法結合金相顯微鏡進行

觀察”；

———將原標準中“表１四種常用化學拋光液配方”刪除，對化學拋光液配比進行了修改，刪除了乙酸

配方；并將各種試劑和材料的含量修改為等級；增加了重量比分別為５０％ＣｒＯ３和１０％ＣｒＯ３

標準溶液的配比；增加了晶體缺陷顯示常用的腐蝕劑對比表；依據(jù)ＳＥＭＩＭＦ１８０９０７０４增加

了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應用及適用性的分類對比表；

———第９章將原ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５中“（１１１）面缺陷顯示”中電阻率不小于０．２Ω·ｃｍ的試樣腐

蝕時間改為了１０ｍｉｎ～１５ｍｉｎ；“（１００）面缺陷顯示”中電阻率不小于０．２Ω·ｃｍ的試樣和電

阻率小于０．２Ω·ｃｍ的試樣腐蝕時間全部改為１０ｍｉｎ～１５ｍｉｎ；增加了（１１０）面缺陷顯示；增

加了對重摻試樣的缺陷顯示；在缺陷觀測的測點選取中增加了“米”字型測量方法。

本標準的附錄Ａ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ１５５４—１９７９、ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５。

———ＧＢ４０５７—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１５５４—２００９

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

１范圍

本標準規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。

本標準適用于晶向為〈１１１〉、〈１００〉或〈１１０〉、電阻率為１０－３Ω·ｃｍ～１０４Ω·ｃｍ、位錯密度在

０ｃｍ－２～１０５ｃｍ－２之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。

本方法也適用于硅單晶片。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＹＳ／Ｔ２０９硅材料原生缺陷圖譜

３術語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４中規(guī)定的術語和定義適用于本標準。

４方法原理

本方法利用化學擇優(yōu)腐蝕顯示結晶缺陷。試樣經(jīng)擇優(yōu)腐蝕液腐蝕，在有缺陷的位置被腐蝕成淺坑

或丘，在宏觀上可能組成一定的圖形，在微觀上呈現(xiàn)為分立的腐蝕坑或丘。采用目視法結合金相顯微鏡

進行觀察。

５干擾因素

５．１腐蝕液放置時間過長，有揮發(fā)、沉淀物現(xiàn)象出現(xiàn)，影響腐蝕效果。

５．２腐蝕時腐蝕時間過短、位錯特征不明顯；腐蝕時間過長、腐蝕蝕坑易擴大，表面就粗糙，背景就不清

晰，特征就不明顯，位錯也不易觀察。

５．３腐蝕時腐蝕溫度高，反應速度就快了，反應物易附在試樣表面影響缺陷的觀察。

５．４腐蝕時，試樣的擺放方式對結果的觀察也有一定的影響，如果腐蝕時試樣豎放在耐氫氟酸容器內，

則可能會在試樣表面產(chǎn)生腐蝕槽，影響缺陷的觀察。

６試劑和材料

６．１三氧化鉻，化學純。

６．２氫氟酸，化學純。

６．３硝酸，化學純。

６．４