GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１５５４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱犳狅狉犮狉狔狊狋犪犾犾狅犵狉犪狆犺犻犮狆犲狉犳犲犮狋犻狅狀狅犳狊犻犾犻犮狅狀犫狔

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１５５４—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５《硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５相比，主要有如下變化：

———增加了“本方法也適用于硅單晶片”；

———增加了“術(shù)語和定義”、“干擾因素”章；

———第４章最后一句將“用肉眼和金相顯微鏡進(jìn)行觀察”修改為“用目視法結(jié)合金相顯微鏡進(jìn)行

觀察”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中“表１四種常用化學(xué)拋光液配方”刪除，對化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修改，刪除了乙酸

配方；并將各種試劑和材料的含量修改為等級；增加了重量比分別為５０％ＣｒＯ３和１０％ＣｒＯ３

標(biāo)準(zhǔn)溶液的配比；增加了晶體缺陷顯示常用的腐蝕劑對比表；依據(jù)ＳＥＭＩＭＦ１８０９０７０４增加

了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應(yīng)用及適用性的分類對比表；

———第９章將原ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５中“（１１１）面缺陷顯示”中電阻率不小于０．２Ω·ｃｍ的試樣腐

蝕時(shí)間改為了１０ｍｉｎ～１５ｍｉｎ；“（１００）面缺陷顯示”中電阻率不小于０．２Ω·ｃｍ的試樣和電

阻率小于０．２Ω·ｃｍ的試樣腐蝕時(shí)間全部改為１０ｍｉｎ～１５ｍｉｎ；增加了（１１０）面缺陷顯示；增

加了對重?fù)皆嚇拥娜毕蒿@示；在缺陷觀測的測點(diǎn)選取中增加了“米”字型測量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：何蘭英、王炎、張輝堅(jiān)、劉陽。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ１５５４—１９７９、ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５。

———ＧＢ４０５７—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１５５４—２００９

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)硅晶體完整性的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向?yàn)椤矗保保薄?、〈１００〉或〈１１０〉、電阻率為１０－３Ω·ｃｍ～１０４Ω·ｃｍ、位錯(cuò)密度在

０ｃｍ－２～１０５ｃｍ－２之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗(yàn)。

本方法也適用于硅單晶片。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＹＳ／Ｔ２０９硅材料原生缺陷圖譜

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４中規(guī)定的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

４方法原理

本方法利用化學(xué)擇優(yōu)腐蝕顯示結(jié)晶缺陷。試樣經(jīng)擇優(yōu)腐蝕液腐蝕，在有缺陷的位置被腐蝕成淺坑

或丘，在宏觀上可能組成一定的圖形，在微觀上呈現(xiàn)為分立的腐蝕坑或丘。采用目視法結(jié)合金相顯微鏡

進(jìn)行觀察。

５干擾因素

５．１腐蝕液放置時(shí)間過長，有揮發(fā)、沉淀物現(xiàn)象出現(xiàn)，影響腐蝕效果。

５．２腐蝕時(shí)腐蝕時(shí)間過短、位錯(cuò)特征不明顯；腐蝕時(shí)間過長、腐蝕蝕坑易擴(kuò)大，表面就粗糙，背景就不清

晰，特征就不明顯，位錯(cuò)也不易觀察。

５．３腐蝕時(shí)腐蝕溫度高，反應(yīng)速度就快了，反應(yīng)物易附在試樣表面影響缺陷的觀察。

５．４腐蝕時(shí)，試樣的擺放方式對結(jié)果的觀察也有一定的影響，如果腐蝕時(shí)試樣豎放在耐氫氟酸容器內(nèi)，

則可能會在試樣表面產(chǎn)生腐蝕槽，影響缺陷的觀察。

６試劑和材料

６．１三氧化鉻，化學(xué)純。

６．２氫氟酸，化學(xué)純。

６．３硝酸，化學(xué)純。

６．４