標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1554-1995 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法》相比于《GB 1554-1979》與《GB 4057-1983》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的轉(zhuǎn)變：從《GB 1554-1979》的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)椤禛B/T 1554-1995》的推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)，這一變化體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)適用的靈活性增強(qiáng)，更多地作為推薦指導(dǎo)而非強(qiáng)制執(zhí)行的要求。

  2. 技術(shù)內(nèi)容的更新：《GB/T 1554-1995》引入了更先進(jìn)的硅晶體完整性檢測技術(shù)和方法，具體包括化學(xué)擇優(yōu)腐蝕的詳細(xì)步驟、試劑配比、腐蝕條件控制等方面的新規(guī)定，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)發(fā)展的需要。這些更新有助于提高檢測的準(zhǔn)確性和效率。

  3. 檢驗(yàn)程序的優(yōu)化：新標(biāo)準(zhǔn)對檢驗(yàn)流程進(jìn)行了優(yōu)化，明確了樣品制備、腐蝕過程監(jiān)控、以及后續(xù)觀察分析的具體要求，旨在統(tǒng)一檢驗(yàn)操作，減少人為誤差，提升檢驗(yàn)結(jié)果的一致性和可比性。

  4. 質(zhì)量控制要求的強(qiáng)化：《GB/T 1554-1995》增加了對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境、設(shè)備校準(zhǔn)、人員培訓(xùn)等方面的規(guī)范要求，強(qiáng)調(diào)了檢驗(yàn)過程中的質(zhì)量控制措施，確保檢驗(yàn)結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性。

  5. 術(shù)語和定義的明確：為避免理解上的歧義，新標(biāo)準(zhǔn)對涉及的專業(yè)術(shù)語給出了明確的定義，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的可讀性和實(shí)施的準(zhǔn)確性。

  6. 參考標(biāo)準(zhǔn)的更新：鑒于科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)引用了最新的參考文獻(xiàn)和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，確保了檢驗(yàn)方法的先進(jìn)性和國際兼容性。


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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實(shí)施
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GB/T 1554-1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法_第1頁
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文檔簡介

UDC.669.782：621.193.4H26中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1554-1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法Testmethodforcrystallographicperfectionofsiliconbypreferentialetchtechniques1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

（京)新登字023號中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)桂品體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐做檢驗(yàn)方法GB/T1554-1995中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471995年10月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·1-11891版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1554-1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法代林GB1554-79TestmethodforcrystallographicperfectionGB4057-83ofsiliconbypreferentiaietchtechniques1主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)硅晶體完整性的方法。本標(biāo)準(zhǔn)通用于品向?yàn)?111)或(100)、電阻率為10-～10"n·cm、位錯密度在0～10°cm-之間的硅單晶鍵或硅片中原生缺陷的檢驗(yàn)。用標(biāo)準(zhǔn)GB/T4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法YS/T2097桂硅材料原生缺陷圖譜方法原理試祥經(jīng)擇優(yōu)腐蝕液腐蝕，在有缺陷的位置被腐蝕成淺坑或丘，在宏觀上可能組成一定的圖形,在微觀上呈現(xiàn)為分立的腐蝕淺坑或丘。用肉眼和金相顯微鏡進(jìn)行觀察。試劑和材料4.1三氧化鉻，化學(xué)純4.2氫氟酸(42%)。4.3！硝酸(p1.48/mL)。4.4乙酸(冰乙酸p1.058/mL)4.5高純水,電阻率大于10MQ·cm(25℃)。4.6化學(xué)腐蝕地光液，采用表1中諸配方之一。表1化學(xué)腐蝕拋光液配方硝酸（4.3)氫氟

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