GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１５５８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１５５８—１９９７

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊狌犫狊狋犻狋狌狋犻狅狀犪犾犪狋狅犿犻犮犮犪狉犫狅狀犮狅狀犮犲狀狋狅犳

狊犻犾犻犮狅狀犫狔犻狀犳狉犪狉犲犱犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１５５８—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４的主要差異如下：

———本標準在結(jié)構(gòu)上主要依照我國國標編制格式，與ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４有所不同；

———本標準未引用“偏差”、“關(guān)鍵詞”兩章內(nèi)容。

本標準代替ＧＢ／Ｔ１５５８—１９９７《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》。

本標準與原標準相比主要有以下變化：

———對測量的碳原子含量有效范圍進行了修改，室溫下從硅中代位碳原子含量５×１０１５ａｔ·ｃｍ－３

（０．１ｐｐｍａ）到碳原子的最大溶解度，７７Ｋ時檢測下限為５×１０１４ａｔ·ｃｍ－３（０．０１ｐｐｍａ）；

———補充了“術(shù)語”、“干擾因素”“報告”三章；

———在“操作步驟”中增加了“儀器檢查”內(nèi)容。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準負責起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研

究所、峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：何秀坤、李靜、段曙光、梁洪。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１５５８—１９７９、ＧＢ／Ｔ１５５８—１９９７。

Ⅰ

書

犌犅／犜１５５８—２００９

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

１范圍

本標準規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。

本標準適用于電阻率高于３Ω·ｃｍ的ｐ型硅片及電阻率高于１Ω·ｃｍ的ｎ型硅片中代位碳原子

含量的測定，對于精密度要求不高的硅片，可以測量電阻率大于０．１Ω·ｃｍ的硅片中代位碳原子含量。

由于碳也可能存在于間隙位置，因而本方法不能測定總碳含量。

本標準也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測定，但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測定。

本標準測量的碳原子含量的有效范圍：室溫下從硅中代位碳原子含量５×１０１５ａｔ·ｃｍ－３

（０．１ｐｐｍａ）到碳原子的最大溶解度，７７Ｋ時檢測下限為５×１０１４ａｔ·ｃｍ－３（０．０１ｐｐｍａ）。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ６６１８硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術(shù)語

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本標準。

３．１

背景光譜犫犪犮犽犵狉狅狌狀犱狊狆犲犮狋狉狌犿

在紅外光譜儀中，無樣品存在的情況下使用單光束測量獲得的譜線，通常包括氮氣，空氣等信息。

３．２

基線犫犪狊犲犾犻狀犲

從測量圖譜中碳峰的兩側(cè)最小吸光度處作出的一條切線，用來計算吸收系數(shù)α，如圖１所示。

３．３

基線吸收犫犪狊犲犾犻狀犲犪犫狊狅狉犫犪狀犮犲

與計算吸收峰高度的碳峰相對應波數(shù)處的基線值。

３．４

傅里葉變換紅外光譜儀犉狅狌狉犻犲狉狋狉犪狀狊犳狅狉犿犻狀犳狉犪狉犲犱（犉犜犐犚）狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋犲狉

一種通過傅里葉變換將由干涉儀獲得的干涉圖轉(zhuǎn)換為振幅波數(shù)（或波長）光譜圖來獲取數(shù)據(jù)的紅

外光譜儀。

３．５

半高寬犳狌犾犾狑犻犱狋犺犪狋犺犪犾犳犿犪狓犻犿狌犿（犉犠犎犕）