GB/T 1558-1997硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

ICS29.045H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1558-1997硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法Testmethodforsubstitutionalatomiccarboncontentofsiliconbyinfraredabsorption1997-12-22發(fā)布1998-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T1558-1997前本標(biāo)準(zhǔn)等效采用ASTMF123—91《硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法》對(duì)我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)GB1558—83《測(cè)定硅品體中代位碳含量的紅外吸收方法》進(jìn)行修訂而成的。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)GB1558—83中半值寬度的定義和試樣厚度的要求按ASTMF123—91作了修訂。本標(biāo)準(zhǔn)在編寫(xiě)時(shí)略去了ASTMF123-91的第5章“意義和用途”,將ASTMF123的第8章“取樣”和第9章“測(cè)試樣品和參比樣品"合并為本標(biāo)準(zhǔn)的第7章“試樣制備"以使標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)單、明了。本標(biāo)準(zhǔn)從1998年8月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)生效之日起，同時(shí)代替國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB1558—83.本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是提示的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)由峨眉半導(dǎo)體材料廠負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：梁洪、劉文魁、吳福立本標(biāo)準(zhǔn)1979年6月首次發(fā)布,1997年第二次修訂。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅中代位碳原子含量GB/T1558一1997紅外吸收測(cè)量方法代替GB1558-83Testmethodforsubstitutionalatomiccarboncontentofsiliconbyinfraredabsorption范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于載流子濃度小于5×10"m～"、室溫電阻率大于0.10·cm的硅單品中代位碳原子濃度的測(cè)定。由于碳也可能存在于間隙位置，因而本方法不能測(cè)定總碳濃度。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅多品中代位碳原子濃度的測(cè)定。其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測(cè)定。本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量碳原子濃度的有效范圍為：室溫下從硅中代位碳原子濃度1×10""at·cm-（200PPba）到碳原子的最大溶解度,77K時(shí)下限降到5×10"at·cm-(100PPba).2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。在標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性：GB/T6618—1995硅片厚度和總厚度變化的測(cè)試方法3定義本標(biāo)準(zhǔn)采用以下定義。3.1基線basiclinc從參比圖譜吸收峰兩側(cè)最大透過(guò)率處作出的一條切線，用來(lái)計(jì)算吸收系數(shù)“。見(jiàn)圖1。3.2碳濃度carbondensity在本方法中,是指占據(jù)晶格替代位置的碳原子的體密度。根據(jù)比耳定律,它與吸收系數(shù)成正比，單位是at·cmn-。3.3半值寬度f(wàn)ullwidthathalfmaximum半峰高處的吸收帶寬度。見(jiàn)圖1。3.4參比樣品referencespecimen在本方法中，是指與被測(cè)試樣的厚度及表面制備相同，載流子濃度不大于被測(cè)試樣的載流子濃度碳濃度小于1×