GB/T 15649-1995半導(dǎo)體激光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

UDC621.382.2L48中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15649—1995半導(dǎo)體激光二極管空白詳細(xì)規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes1995-07-24發(fā)布1996-04-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體激光二極管空白詳細(xì)規(guī)范GB/15649-1995Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定半導(dǎo)體激光二極管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范相一致。本規(guī)范是與GB4589.1一90《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12565—90《半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范》有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。要求的資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：(1）授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱。（2）IECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)。（3）總規(guī)范和分規(guī)范號(hào)及其年份號(hào)。（4）詳細(xì)規(guī)范號(hào)，發(fā)布日期和國(guó)家要求的任何更多的資料。器件的識(shí)別：（5）器件型號(hào)：(6）典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足幾種應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性.極限值和檢驗(yàn)要求應(yīng)予滿足。（7）外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)。(8）質(zhì)量評(píng)定類別。（9）能在器件各型號(hào)之間比較的最重要特性的參考數(shù)據(jù)，「整個(gè)空白詳細(xì)規(guī)范中，在方括號(hào)內(nèi)給出的內(nèi)容僅供指導(dǎo)制定詳細(xì)規(guī)范時(shí)用，而不包括在詳細(xì)規(guī)范中在極限值和特性值的"數(shù)值”欄中,"X"表示在詳細(xì)規(guī)范中應(yīng)給出的