標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15870-1995 硬面光掩模用鉻薄膜》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了硬面光掩模行業(yè)中使用的鉻薄膜的各項(xiàng)技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求。然而，您提供的對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)信息不完整，我無(wú)法直接指出與某一特定標(biāo)準(zhǔn)相比的具體變更內(nèi)容。但可以說(shuō)明一般情況下，當(dāng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)更新或與另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)比時(shí)，可能涉及的變更點(diǎn)通常包括：

  1. 技術(shù)指標(biāo)調(diào)整：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)鉻薄膜的厚度、純度、均勻性、附著力等關(guān)鍵性能指標(biāo)提出更嚴(yán)格或不同的要求，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步或行業(yè)需求變化。

  2. 測(cè)試方法改進(jìn)：隨著檢測(cè)技術(shù)和分析手段的發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入新的測(cè)試方法，以提高測(cè)量精度或便利性，例如采用更先進(jìn)的光譜分析技術(shù)來(lái)評(píng)估薄膜質(zhì)量。

  3. 環(huán)保與安全要求：考慮到環(huán)境保護(hù)和生產(chǎn)安全的日益重視，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)增加對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中污染物排放、有害物質(zhì)限制等方面的規(guī)定。

  4. 包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存規(guī)范更新：為確保產(chǎn)品在流通環(huán)節(jié)中的品質(zhì)穩(wěn)定，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)包裝材料、標(biāo)識(shí)要求、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境提出新的或更為具體的要求。

  5. 術(shù)語(yǔ)和定義的統(tǒng)一：為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)共識(shí)保持一致，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)相關(guān)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行修訂或新增，以提升標(biāo)準(zhǔn)的通用性和互操作性。

  6. 質(zhì)量管理與認(rèn)證體系：隨著質(zhì)量管理理念的演進(jìn)，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)融入更系統(tǒng)的質(zhì)量控制要求，或者對(duì)接國(guó)際認(rèn)可的質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)。

由于缺乏具體的對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)，以上僅為一般性說(shuō)明，實(shí)際的變更內(nèi)容需要依據(jù)完整的標(biāo)準(zhǔn)文檔進(jìn)行詳細(xì)比對(duì)才能確定。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實(shí)施
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GB/T 15870-1995硬面光掩模用鉻薄膜_第1頁(yè)
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中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15870--1995硬面光掩模用鉻薄膜Chromethinfilmsforhardsurfacephotomasks1995-12-22發(fā)布1996-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T15870-1995本標(biāo)準(zhǔn)非等效采用SEMI標(biāo)準(zhǔn)Semip2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》。本標(biāo)準(zhǔn)第4章“要求”中4.6按Semip2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》制定，其余均按我國(guó)國(guó)情制定。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7237—87(鉻版》中3.2的內(nèi)容進(jìn)行補(bǔ)充。與GB7237中3.2的重要技術(shù)改變之處為：增加磁濺射方法制作的鉻膜有關(guān)技術(shù)指標(biāo)。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：長(zhǎng)沙韶光微電子總公司、電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：吳保華、王亦林、趙雨生、談仁良

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15870-1995硬面光撞模用鉻薄膜1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硬面光掩模用鉻薄膜的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則等內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)適用于硬面光掩模用鉻薄膜(以下簡(jiǎn)稱鉻薄膜)2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)淮的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB191一90包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB2828—87逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829—87周期檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于生產(chǎn)過(guò)程穩(wěn)定性的檢查》GB7239—87鉻版鉻膜和膠膜厚度的測(cè)試方法GB7240—87格版鉻膜表面反射率的測(cè)試方法GB7241—87鉻版光密度的測(cè)試方法GB/T15871—1995硬面光掩?；錝J/T10584—94微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語(yǔ)3定義本標(biāo)準(zhǔn)采用SJ/T10584中的定義。4要求4.11鉻薄膜光密度a）鉻薄膜的光密度為2.5士0.3(白光);b）特殊要求，由供需雙方商定。4.2鉻薄膜厚度a）真空蒸發(fā)成膜的低反射率(LRC)鉻膜厚度為145nm±15nm;b）磁控灘射成膜的低反射率(SLRC)鉻膜厚度為95nm±10nm;)特殊要求，由供需雙方商定。4.3鉻薄膜反射率a）高反射：R>40%;b）中等反射：15%<R<40%；c）低反

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