標準解讀

GB/T 16935.3-2005是一項中國國家標準，專注于低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合領(lǐng)域，特別是針對防污保護措施。該標準的第三部分詳細介紹了如何利用涂層、罐封和模壓技術(shù)來提升電氣設(shè)備在惡劣環(huán)境中的絕緣性能和防止污染物侵襲，從而確保設(shè)備的安全運行與延長使用壽命。

標準內(nèi)容概覽：

  1. 范圍：明確了本部分標準適用的低壓電氣設(shè)備類型及這些設(shè)備在特定環(huán)境下通過涂層、罐封和模壓方法實現(xiàn)防污保護的具體要求與指導(dǎo)原則。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實施本標準時需要參考的其他相關(guān)國家標準或國際標準，這些文件為理解及執(zhí)行標準提供了必要的基礎(chǔ)和補充信息。

  3. 術(shù)語和定義：對關(guān)鍵術(shù)語如“涂層”、“罐封”、“模壓”及其在電氣絕緣配合中的具體含義進行了明確界定，便于讀者準確理解標準內(nèi)容。

  4. 一般原則：概述了選擇和應(yīng)用防污保護措施的基本考慮因素，包括環(huán)境條件、污染物種類、設(shè)備工作特性等，以及這些因素如何影響絕緣保護措施的選擇和設(shè)計。

  5. 涂層技術(shù)：詳細說明了各種涂層材料的選擇依據(jù)、性能要求（如耐候性、耐腐蝕性）、涂層厚度、施工方法及質(zhì)量控制標準，以確保涂層能有效隔絕污染物并維持良好的絕緣性能。

  6. 罐封技術(shù)：闡述了罐封作為一種物理隔離手段的原理、設(shè)計要求、密封材料選擇和實施步驟，目的是通過完全封閉設(shè)備的關(guān)鍵部件來阻止污染物進入。

  7. 模壓技術(shù)：介紹了模壓工藝在電氣設(shè)備防污保護中的應(yīng)用，包括模具設(shè)計、材料選擇、成型過程及成品檢驗標準，強調(diào)模壓成型對于提供長期穩(wěn)定絕緣性能的重要性。

  8. 試驗方法與驗收標準：規(guī)定了對采用涂層、罐封和模壓處理后的電氣設(shè)備進行絕緣性能測試的方法和合格判定準則，確保防污保護措施的有效性得到驗證。

  9. 標志、包裝、運輸和儲存：提供了關(guān)于產(chǎn)品標識、包裝要求以及在運輸和儲存過程中保護絕緣層不受損害的指導(dǎo)。

實施意義：

本標準旨在為低壓電氣設(shè)備制造商、設(shè)計者及維護人員提供一套科學(xué)、系統(tǒng)的防污保護操作規(guī)范，通過標準化的涂層、罐封和模壓技術(shù)應(yīng)用，增強設(shè)備對外界污染的抵御能力，減少因污染導(dǎo)致的電氣故障，保障電力系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運行。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 16935.3-2016
  • 2005-08-03 頒布
  • 2006-04-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 16935.3-2005低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護_第1頁
GB/T 16935.3-2005低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護_第2頁
GB/T 16935.3-2005低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護_第3頁
GB/T 16935.3-2005低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護_第4頁
GB/T 16935.3-2005低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護_第5頁
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文檔簡介

ICS29.120K30中華人民共和國國家標準GB/T：16935.3—2005/IEC60664-3:2003低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護Insulationcoordinationforequipmentwithinlow-voltagesystems-Part3:Useofcoating.pottingormouldingforprotectionagainstpollution(IEC60664-3:2003.IDT)2005-08-03發(fā)布2006-04-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T16935.3-2005/IEC60664-3:2003次前言IEC引言1范圍2規(guī)范性引用文件3定義4設(shè)計要求附錄A（規(guī)范性附錄）試驗程序附錄B(規(guī)范性附錄)各相關(guān)產(chǎn)品標準確定的內(nèi)容附錄C（規(guī)范性附錄)用于涂層試驗的印制線路板參考文獻

GB/T16935.3-2005/IEC60664-3：2003本部分等同采用IEC60664-3:2003《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護》。本部分應(yīng)與GB/T16935.1－1997《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理要求和試驗》(idtIEC60664-1:1992)一起使用本部分的附錄A、附錄B和附錄C是規(guī)范性附錄。本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出、本部分由全國低壓電器標準化技術(shù)委員會歸口本部分負責(zé)起草單位：上海電器科學(xué)研究所。本部分參加起草單位：施耐德電氣(中國)投資有限公司、上海人民電器廠本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云、黃業(yè)。本部分參與起草人：曹云秋、許文杰、周磊

GB/T16935.3—2005/IEC60664-3:2003IC引IEC60664這部分具體規(guī)定了適用于剛性組件（例如印制電路板和元件端子）的條件,在該條件下組件的電氣間隙和爬電距離可以減小?？梢圆捎萌魏我环N封裝形式（例如涂層、罐封或模壓)進行防污保護。該保護可以運用于組件的一側(cè)或兩側(cè)。本部分規(guī)定了保護材料的絕緣特性在任何兩個未被保護的導(dǎo)電部件之間,IEC6O664-1和IEC60664-5中對電氣間隙和爬電距離的要求適用。本部分僅涉及永久性保護，不適用于經(jīng)修復(fù)的組件各相關(guān)的產(chǎn)品標準需要考慮對過熱導(dǎo)體和元件保護的影響，特別是在故障條件下.并且決定是否有必要補充附加的要求。對于保護系統(tǒng)的應(yīng)用.組件的安全性能取決于一個精確的和受控的制造過程。質(zhì)量控制的要求.例如抽樣試驗，應(yīng)在各產(chǎn)品標準中考電。

GB/T16935.3-—2005/IEC60664-3:2003低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第3部分：利用涂層、罐封和模壓進行防污保護1范圍本部分適用于利用涂層、罐封和模壓進行防污保護的組件,該類組件的電氣間隙和爬電距離可以小于第1部分或IEC60664-5中規(guī)定的電氣間隙和爬電距離。住1：第1部分指GB/T16935.1-1997下同。本部分規(guī)定了兩種保護型式的要求和試驗程序：用于改善被保護組件的微觀環(huán)境的1型保護：類類似于固體絕緣的2型保護。本部分也適用于各種類型的被保護印制板，包括多層印制板的內(nèi)層表面、基板和類似的被保護組件。對于多層印制板.通過一個內(nèi)層的距離的相關(guān)要求包含在第1部分的固體絕緣要求中。住2：例如基板可用混合集成電路和厚膜技術(shù)制成。本部分僅涉及永久性保護，不適用于可進行機械調(diào)節(jié)和修理的組件。本部分的原理適用于功能性絕緣、基本絕緣、附加絕緣和加強絕緣。范性引用文件下列文件中的條款通過GB/T16935的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而，鼓勵根據(jù)本部分達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第第2部分：試驗方法GB/T2423.1-2001試驗A：低溫（idtIEC60068-2-1:1990）電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗GB/T2423.2-2001第2部分：試驗方法試驗B:高溫（idtIEC60068-2-2:1974）GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗N:溫度變化(idt1EC60068-2-14:1984）GB/T16935.1一1997低低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理、要求和試驗(idtIEC606641:1992）IEC60068-2-78:2001環(huán)境試驗第2-78部分：試驗試驗Cab:濕熱，穩(wěn)定狀態(tài)IEC6o249-1:1982印制電路用基材第1部分：試驗方法IEC60249-2(所有部分）印制電路用基材第2部分：規(guī)范IEC60326-2:1990印制板第2部分：試驗方法IEC60454-3-1:1998電氣用壓敏粘帶第3部分：單項材料規(guī)范第1篇：具

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