標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 20515-2006是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),專注于半導(dǎo)體器件中的集成電路領(lǐng)域,特別是針對(duì)半定制集成電路的規(guī)范。此標(biāo)準(zhǔn)分為多個(gè)部分,而第五部分專門詳細(xì)闡述了半定制集成電路的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)及質(zhì)量要求等方面的具體規(guī)定。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:

  1. 范圍:首先明確了該部分標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范疇,即規(guī)定了半定制集成電路的設(shè)計(jì)原則、參數(shù)定義、測(cè)試方法及驗(yàn)收條件等,適用于集成電路設(shè)計(jì)者、制造商和用戶。

  2. 術(shù)語(yǔ)和定義:為確保文檔的一致性和理解度,列出了相關(guān)專業(yè)術(shù)語(yǔ)及其定義,如半定制集成電路、可編程邏輯器件、ASIC(特定應(yīng)用集成電路)等基礎(chǔ)概念。

  3. 設(shè)計(jì)要求:闡述了半定制集成電路在設(shè)計(jì)階段應(yīng)遵循的原則和要求,包括電路功能、性能指標(biāo)、兼容性、可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)及可制造性設(shè)計(jì)(DFM)等方面。

  4. 工藝技術(shù)要求:涉及集成電路制造過(guò)程中采用的工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),如晶圓材料、光刻精度、摻雜濃度、金屬化層的材料與厚度等,確保成品的可靠性和一致性。

  5. 測(cè)試與檢驗(yàn):詳細(xì)說(shuō)明了半定制集成電路的測(cè)試項(xiàng)目、測(cè)試方法、測(cè)試條件及合格判定準(zhǔn)則,包括功能測(cè)試、參數(shù)測(cè)試、可靠性測(cè)試等,確保產(chǎn)品符合預(yù)定性能和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

  6. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存:規(guī)定了集成電路產(chǎn)品的標(biāo)識(shí)信息、包裝方式、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境要求,以防止在流通和存儲(chǔ)過(guò)程中對(duì)集成電路造成損害。

  7. 文檔與資料:要求提供完整的技術(shù)文檔和用戶手冊(cè),包括設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)、測(cè)試報(bào)告、使用指南等,以便用戶正確理解和應(yīng)用半定制集成電路。


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  • 2006-10-10 頒布
  • 2007-02-01 實(shí)施
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GB/T 20515-2006半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路_第1頁(yè)
GB/T 20515-2006半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路_第2頁(yè)
GB/T 20515-2006半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路_第3頁(yè)
GB/T 20515-2006半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路_第4頁(yè)
GB/T 20515-2006半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路_第5頁(yè)
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ICS31.200L56中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20515-2006/IEC60748-5:1997半導(dǎo)體器件集成電路第5部分;半定制集成電路Semiconductordevices-integratedcircuitsPart5:Semicustomintegratedcircuits(IEC60748-5:1997,IDT)2006-10-10發(fā)布2007-02-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T20515-2006/IEC60748-5:1997三前言引言1總則1.1范圍1.2規(guī)范性引用文件2術(shù)語(yǔ)和圖形符號(hào)2.1總則2.2半定制集成電路的相關(guān)術(shù)語(yǔ)2.3半定制集成電路圖形符號(hào)3承制方提供的半定制集成電路的基本資料3.1總則……………3.2電電路識(shí)別和類型3.3應(yīng)用的相關(guān)描述3.4庫(kù)單元功能描述的規(guī)定3.5極限值(絕對(duì)最大額定值體系)3.6推薦工作條件(在規(guī)定工作溫度范圍內(nèi))3.7庫(kù)單元電特性3.8附加資料4側(cè)試方法4.1總則·····4.2特殊要求4.3靜態(tài)特性4.4動(dòng)態(tài)特性5接收和可靠性5.1電耐久性試驗(yàn)5.2環(huán)境試驗(yàn)·5.3失效分析程序6設(shè)計(jì)方面…………6.2庫(kù)(由承制方批準(zhǔn))6.3計(jì)算機(jī)輔助工程(CAE)設(shè)計(jì)硬件6.4CAE設(shè)計(jì)軟件………·…………·……·7用戶/承制方接口……………7.1用戶/承制方設(shè)計(jì)接口的概念7.2用戶/承制方典型接口文件…8半定制集成電路交付生產(chǎn)的基本數(shù)據(jù)……8.18.2應(yīng)用相關(guān)描述……11設(shè)計(jì)方面……8.312附錄A(資料性附錄)用戶/承制方接口活動(dòng)所用的格式

GB/T20515-2006/IEC60748-5:1997半導(dǎo)體器件集成電路系列標(biāo)準(zhǔn)包括如下標(biāo)準(zhǔn):GB/T16464一1996半導(dǎo)體器件集成電路第1部分:總則(idtIEC60748-1:1984);GB/T16465—1996膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用能力批準(zhǔn)程序)(idtIEC60748-22:1992;-GB/T17574-1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路(idtIEC60748-2:1985):-GB/T17940-2000半導(dǎo)體器件:集成電路第3部分:模擬集成電路(idtIEC60748-3:1986);IEC60748-4半導(dǎo)體器件集成電路第4部分:接口集成電路:GB/T20515—2006半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路;IEC60748-11半導(dǎo)體器件集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路):-IEC6O748-20膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范;IEC60748-21膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用鑒定批準(zhǔn)程序)本標(biāo)準(zhǔn)為第5部分,等同采用IEC60748-5:1997《半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成路》英文版)。為便于使用,本標(biāo)準(zhǔn)做了如下編輯性修改:a)刪除國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中的前言。b)已經(jīng)等同轉(zhuǎn)化為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的引用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),否則引用IEC原文.本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所(CESI)本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:王琪

GB/T20515-2006/IEC60748-5:1997作為一個(gè)準(zhǔn)則,在本標(biāo)準(zhǔn)涉及到的時(shí)候,引用GB/T17573—1998和GB/T16464—1996是十分必要的。在本標(biāo)準(zhǔn)中,用戶將會(huì)發(fā)現(xiàn)所有基本信息:術(shù)語(yǔ):-圖形符號(hào):-基本額定值和特性:功能描述:測(cè)試方法:接收和可靠性;設(shè)計(jì)方面:用戶/承制方接口。條款順序?qū)?yīng)于GB/T17573—1998,第山篇.2.1分款

GB/T20515-2006/IEC60748-5:1997半導(dǎo)體器件集成電路第5部分:半定制集成電路總則1.1范范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了下列集成電路(IC)分類體系樹(shù)(見(jiàn)圖1)中有關(guān)半定制集成電路子類的標(biāo)準(zhǔn)注:這個(gè)體系樹(shù)是不封團(tuán)的.可以在需要時(shí)拓展。集成電路(用戶參半定制專用1門陣列CSiC電與設(shè)計(jì))(包括軟宏單元)標(biāo)準(zhǔn)單元(包括軟宏單元)全定制電路(承制方設(shè)計(jì))專用標(biāo)準(zhǔn)IC(ASSP)通用IC非現(xiàn)場(chǎng)可數(shù)字IC編程IC存儲(chǔ)器RAMROM微處理器·微控制器市元(MCU)模擬IC微處理器單元(MPU)-接口IC現(xiàn)場(chǎng)可現(xiàn)場(chǎng)可編現(xiàn)場(chǎng)可編賽件(PLD)陣列(PLA)現(xiàn)場(chǎng)可編程-現(xiàn)場(chǎng)可縮ROM程門陳列(PROM)(PGA)現(xiàn)場(chǎng)可編程微控制器單元包括PROMCPMCU富:半定創(chuàng)IC分美圖1集成電路體系樹(shù)1.2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件.其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn).然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T4728.1

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