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文檔簡介

第五章

存儲器隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）半導體存儲器(內(nèi)存儲器、一般采用MOS管）隨機存儲器（RAM）：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）動態(tài)隨機存儲器（DRAM）⑴SRAM的典型芯片

2114邏輯符號6116邏輯符號5.1

典型的存儲器芯片按位擴充SRAM的擴展按位擴充SRAM的擴展字節(jié)擴充2164邏輯符號⑵ＤRAM的典型芯片⑶

只讀存儲器典型芯片

5.2

存儲器地址譯碼方式⑴

全譯碼方式（全譯碼法）A19－A13=1010100⑵部分譯碼方式（部分譯碼法）⑶線性譯碼方式（線選法）例：8片6264（8K×8，SRAM）構成一個64K的存儲器，分配在E0000H～EFFFFH的內(nèi)存空間。E0000H～E1FFFHE2000H～E3FFFHE4000H～E5FFFHE6000H～E7FFFHE8000H～E9FFFHEA000H～EBFFFHEC000H～EDFFFHEE000H～EFFFFH5.3

存儲器地址譯碼電路的設計一、專用譯碼電路的地址譯碼器例：20位地址、8位數(shù)據(jù)系統(tǒng)中，一片2764（8K×8位）ROM芯片和一片6264（8K×8位）SRAM芯片構成16KB內(nèi)存，其中，RAM的地址范圍為0B2000H～0B3FFFH，ROM的地址范圍為0BA000H～0BBFFFH。試用74LS138譯碼器設計該存儲器系統(tǒng)。二、ROM譯碼器（自學）例63S241（512×4位）PROM芯片（9條地址線）為譯碼器，4片6264（8K×8），構成32K地址空間E0000H～E7FFFH的存儲器系統(tǒng)。63S241的070H～073H為：（070H）=1110B（071H）=1101B（072H）=1011B

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