課件文稿教程_第1頁
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文檔簡介

注意事項(xiàng)：1．本試卷共四道大題（21小題150一、選擇填空（330分）不含雜質(zhì)與缺 B．能級位于禁帶中C．電阻率很 B．高反C．高速開 C．不含任何雜 D．自旋一軌道耦合出來的能帶上的空穴根據(jù)分布函數(shù)，電子占據(jù)（EF+kT）能級的幾率＿＿。CEF金屬 B．本征半導(dǎo)C．摻雜半導(dǎo) qτ/m*τ是載流子的＿＿渡越時(shí) C．平均自由時(shí) k空間的<100>0.85k空間的<111>0.85k空間的<100>k空間的<111>激子吸 B．光生伏特效光輻 二．簡答題（840分PNPN三．計(jì)算題（50分實(shí)驗(yàn)測得硅的晶格常數(shù)為０.543nmSi的原子體密度（單位體積內(nèi)的原子個數(shù)（5非平衡載流子為8μs。計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率（15分）0300k時(shí)鍺的有效狀態(tài)密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，Eg＝0.67eV；500k時(shí)鍺的Eg＝0.581eV；常數(shù)k=1.380×10-23J/K，求溫度為300k和500k時(shí)，含施主濃度ND＝5×1015cm-3NA＝2×109cm-3的鍺中電子及空穴濃度為多少？（15分）0ND=1015cm－3n型硅，由于光照產(chǎn)生了非平衡載流子△n=△p=1014cm－3四．證明題（1530分對于某n型半導(dǎo)

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